富士通半導體(上海)有限公司日前正式宣布，富士通半導體與威達云端電訊共同合作推出便攜式WiMAX-WiFi路由器( CW6200i
2010-11-25 09:33:52
857 富士通半導體有限公司臺灣分公司宣佈，旗下采用ARM Cortex處理器核心的FM3系列32位元RISC微控制器將推出第五波新產品。這波新品數量多達93款，富士通半導體自9月28日起為客戶提供樣品
2012-09-26 09:26:212319 
富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新產品MB85RC256V。
2012-10-16 12:05:091880 香港商富士通半導體有限公司臺灣分公司宣佈推出新款V系列晶片MB85RC256V。富士通半導體目前的V系列FRAM產品涵蓋4KB、16KB、 64KB、256KB容量，MB85RC256V是首款可在2.7V-5.5V電壓範圍內運作的
2012-10-18 14:40:251173 富士通半導體于日前宣布，利用配備該公司開發的硅基板GaN功率器件的服務器用電源，成功輸出了2.5kW的高功率，同時還公布了 2013年下半年開始量產硅基板GaN功率器件的目標。該公司將
2012-11-12 09:16:211072 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出其新的基于ARM Cortex?-M4處理器內核的FM4系列32位通用RISC微控制器
2012-11-15 11:16:062053 富士通半導體推出最新支持PWM調光的LED驅動芯片MB39C602系列，MB39C602系列采用Flyback拓撲結構，并帶主動PFC，支持PWM調光。
2012-12-10 13:41:123295 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器，是富士通半導體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產品將于2013年3月起開始提供新品樣片。
2013-03-25 16:09:371037 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款全新的電源管理IC產品，為收集能量而開發的MB39C811 DC/DC降壓轉換器和MB39C831 DC/DC升壓轉換器。預定今年六月開始提供新產品的樣片。
2013-05-13 10:08:211154 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術，但由于其優于硅的性能優勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:533168 
關系。 ? 雙方將利用臺達多年來積累的電源開發技術與羅姆的功率元器件開發和生產技術，聯合開發適合更多電源系統的600V耐壓GaN功率器件。 ? 2022年3月，羅姆確立了柵極耐壓高達8V的“150V耐壓GaN HEMT”的量產體系，并將該系列產品命名為“EcoGaN?”，產品非常適用于
2022-04-28 16:50:411918 
近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領域不斷發展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導體
2022-08-22 09:44:013651 ~150V輸出電壓可調范圍：3.3V-30V，通過設置FB電阻 輸出電流5A以內支持恒流恒壓CC/CV模式功能輸出恒壓精度1%輸出恒流精度1% 高效率：可高達 98%固定開關頻率：140KHz可編程EN關斷
2020-12-08 14:27:46
如果基于GaN的HEMT可靠性的標準化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時提供高質量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導體行業中
2020-09-23 10:46:20
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
。GaN器件尤其在高頻高功率的應用領域體現了其獨特的優勢，其中，針對GaN功率器件的性能特點，該器件可被用于適配器、DC-DC轉換、無線充電、激光雷達等應用場合。
圖1 半導體材料特性對比
傳統的D類
2023-06-25 15:59:21
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。與目前絕大多數的半導體材料相比，GaN 具有獨特的優勢：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導率更高，使其成為最令人矚目的新型半導體材料之一。目前，GaN 基發光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
點擊: 功率半導體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導體器件應用手冊功率半導體器件應用手冊——彎腳及焊接應注意的問題本文將向您介紹大家最關心的有關TSE功率半導體器件封裝的兩個問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前,我國已經成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
，所以應選擇VBR大于268.8V的器件。4、若要使半導體放電管通過大的浪涌電流后自復位，器件的維持電流IH必須大于系統所能能提供的電流值。即：IH(系統電壓/源阻抗)。 `
2014-12-24 16:56:27
富士通MB95F698，用什么仿真器，哪里可以買到。
2021-08-20 22:11:06
富士通FRAM存儲器有哪些特點？富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應用？
2021-07-11 06:09:49
本帖最后由 qzq378271387 于 2012-7-31 21:34 編輯
富士通：基于ARM Cortex M3的產品和技術介紹
2012-07-31 21:32:15
發展新能源汽車的更大反思。”富士通半導體產品經理李丹在日前于武漢舉行的2012 AETF第七屆亞太汽車電子技術論壇峰會上闡述了自己的觀點，并探討了汽車電子技術的總體發展趨勢以及及富士通半導體的平臺化開
2012-12-20 13:53:48
之一就是低壓無法驅動內部的SRAM模塊。不過上周富士通半導體和美國SuVolta公司開發的新制程卻可以使電壓閾值下降至0.4V左右。SoVolta開發的DDC晶體管制造的576Kb SRAM模塊最低
2011-12-13 19:11:36
、Macronix、英飛凌、三星、三洋、TI、東芝等諸多豪強入局“廝殺”，到如今“剩者為王”的少數FRAM大廠并存，FRAM技術在過去數十年的競爭中不斷突破與發展，最終逐漸登上主流行業與應用的“C位”！富士通半導體
2020-10-30 06:42:47
H6203G 是一款150V高耐壓芯片支持100V轉3.3V 100V轉5V 100V轉12V。
產品描述
H6203G是一種內置150V耐壓MOS，支持輸入高達120V的高壓降壓開關控制器，可以向負載
2024-01-26 14:13:26
前言全球知名半導體制造商ROHM利用多年來在消費電子領域積累的技術優勢，正在積極推進面向工業設備領域的產品陣容擴充。在支撐"節能、創能、蓄能"技術的半導體功率元器件領域，ROHM
2019-07-08 08:06:01
欠壓鎖定，輸出過載保護， 過溫保護，短路保護等。
SL3160 采用SOP8 封裝。
特征
● 最大800MA 輸出電流
● 15V 至150V 寬工作電壓
● 內置150V 功率MOSFET
2023-09-18 14:44:25
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
模擬和 GaN 邏輯的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以單開關 v 和半橋 vi 格式推出，如圖 2 所示。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch
2021-07-06 09:38:20
電壓能力從第四代的3000V躍升到了第七代的6500V，并且實現了高頻化（10-100kHz）應用。功率半導體器件主要應用領域作為電能/功率處理的核心器件，功率半導體器件主要用于電力設備的電能
2019-02-26 17:04:37
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
功率半導體器件在工業、消費、軍事等領域都有著廣泛應用，具有很高的戰略地位。功率半導體產品可以分為功率器件、電源管理 IC 和功率模組三大類。圖：功率半導體產品分類來源：國金證券研究所隨著下游電氣化
2022-11-11 11:50:23
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
安森美半導體電源方案部（PSG）加速了擴展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅動器產品陣容，針對汽車應用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車認證的器件數現已超過4,000，是該行業中最大的供應商
2018-10-25 08:53:48
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
、售前服務及售后服務，讓您無任何后顧之憂。我們的優勢：廠家直銷，價格優勢，貨源充足，技術支持，品質保證。OC5806L是歐創芯半導體發布全球首款支持最高150V輸入的降壓恒壓驅動芯片，主要應用于車載
2019-11-11 15:31:39
`根據Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發展，從而使專業的半導體企業受惠；另一方面，他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
本帖最后由 nogenius 于 2012-4-22 09:25 編輯
RT，求能輸出極微小電流但輸出電壓能達到150v以上的恒流源設計電路，主要用作寬禁帶半導體測試儀的一部分{:soso_e196:}
2012-04-22 08:43:00
用于無線充電應用的高壓GaN功率半導體單級6.78 MHz功率放大器設計
2023-06-21 11:45:06
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
氧化物半導體（Si LDMOS，Lateral Double-diffused Metal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
方向為更高的功率密度，更小的體積，更低的成本及損耗。特別是材料迭代方面，從硅Si材料逐漸向氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料升級，使得功率器件體積和性能均有顯著提升。那么什么是第三代半導體GaN呢？它是由氮
2021-12-01 13:33:21
（FACOM100）后開始跨足信息產業。其間隨著個人化信息處理技術、網絡多媒體技術、業務集約在因特網潮流的興起，富士通以不斷創新的高科技形象享譽日本和全球。現在，富士通已經發展成為橫跨半導體電子器件、計算機通訊平臺
2014-05-21 10:54:53
富士通半導體股份有限公司(富士通半導體)近日正式宣布與數字多媒體產品SoC系統解決方案供應商臺灣擎展科技有限
2010-11-22 09:23:16478 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布推出6MHz升降壓DCDC轉換器芯片-MB39C326。該芯片適用于移動電話、智能手機、電子閱讀器和其它手持移動設備的射頻功率放大器。富士通將于2011年6月起提供該新產品的樣片
2011-02-25 09:15:402016 富士通半導體宣布推出采用新工藝的高安全性、高精度、高性價比的雙通道FLASH的通用8位微控制器MB95560系列
2011-07-05 08:54:021209 
富士通半導體(上海)宣布，推出針對汽車應用的113款MCU，其中包括53款16位MCU MB96600系列和60款32位MCU MB91520系列
2011-07-15 09:33:393441 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 μm 技術的全新 SPI FRAM產品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個型號，并從即日起開始為客戶提供樣片。
2011-07-20 09:04:26681 富士通半導體 (上海)有限公司日前宣布推出基于新工藝的8款MB95630系列產品，使其F2MC-8FX家族產品陣容進一步加強。新產品內置了直流無刷電機控制器和模擬電壓比較器更適用于馬達控制
2011-09-29 10:03:051286 
富士通半導體（上海）有限公司今日宣布推出基于ARM? CortexTM-M3處理器內核的32位RISC微控制器的FM3系列的新產品。該系列于去年11月首次面世，本次推出的是第3波產品。此次，富士通半導
2011-10-19 09:05:16557 
富士通半導體(上海)有限公司近日宣布推出業內首款商用多模收發器芯片——MB86L12A。該芯片是MB86L10A的后續產品
2011-10-25 08:57:07990 
富士通半導體(上海)有限公司近日宣布推出其基于0.18μm技術的全新系列FRAM產品家族。該系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 兩個型號，均支持I2C接口且可在5V電壓下工作，即日起即可供貨。
2012-02-08 09:11:44890 
富士通半導體(上海)有限公司近日宣布推出MB86L13A LTE(FDD和TDD)優化收發器。該全新收發器為面向LTE專向應用開發，采用富士通開拓的RFIC設計架構
2012-04-17 09:26:34985 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布推出用于電源管理IC的在線設計仿真工具（PMIC）——Easy DesignSim。Easy DesignSim為使用富士通豐富電源管理IC產品線（如轉換器、開關、電源及
2012-04-26 08:40:18644 
美國Transphorm公司發布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創建的風險企業，因美國谷歌向其出資而備受功率半導體
2012-05-18 11:43:441931 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出第五波基于ARM? CortexTM-M3處理器內核的32位RISC微控制器的FM3系列新產品
2012-09-25 14:57:581619 
據彭博社報道，消息人士稱，富士通在重組中準備出售半導體業務。
2012-09-26 10:12:26903 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，新推出接口橋接芯片“MB86E631”，該芯片內部集成了一個雙核ARM? Cortex?-A9處理器與許多不同接口于一體。新產品樣品將從2012年12月晚些時候可
2012-10-17 16:11:481194 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布，其基于富士通FM3的電機控制新技術---180度全直流變頻空調方案獲得了2012年電子產品世界編輯推薦獎之“年度最佳綠色節能方案獎”。
2012-11-09 18:35:08905 富士通半導體有限公司臺灣分公司宣佈，成功透過硅基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應器達到2.5kW的高輸出功率，并擴大電源供應的增值應用，實現低碳能源社會。富士通半導
2012-11-21 08:51:361369 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布出席在中國上海舉行的“第十二屆慕尼黑上海電子展。富士通半導體將展出其微控制器（包括FM系列和最新8FX系列）、汽車電子、存儲器產品、模擬產品、無線通信方案以及家庭影音產品六大系列，共計12余種新產品以及數十種Demo。
2013-03-13 14:34:351033 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，其基于ARM? Cortex?-M3 處理器內核的FM3家族32位通用RISC微控制器產品升級后的陣容。富士通半導體共計推出38款新產品，包括內置大容量儲存器
2013-04-24 10:08:512050 說到變頻電機控制，就不得不說說富士通半導體的技術和產品。富士通半導體開發的變頻方案采用了各種先進技術和算法，匹配過20多款壓縮機，具有可現場系統整合調試、功能驗證和性能優化的優勢，適用于各種變頻控制應用。
2013-05-17 10:55:001392 
富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出首批基于ARM? Cortex?-M4處理器內核的FM4系列32位RISC 微控制器。富士通半導體本次共推出84款MB9B560R/460R/360R/160R 系列產品，將于2013年7月底開始提供樣片。
2013-07-03 11:19:33807 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，富士通半導體股份有限公司和ARM于今日簽署了一項授權協議：富士通半導體將充分利用ARM big.LITTLE?技術和ARM Mali-T624圖形處理器推出片上系統（SoC）解決方案。
2013-07-11 17:32:171579 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，成功開發了專為先進的28 nm SoC器件量身打造的全新設計方法，不僅能實現更高的電路密度，同時也可有效縮短開發時間。
2014-01-15 17:00:51588 
兩家公司已經達成： i）晶圓代工服務協議，富士通將為安森美半導體制造晶圓； ii） 安森美半導體將成為富士通日本福島縣會津若松市8英寸晶圓廠少數股東的最終協議
2014-08-01 09:08:231041 2014年8月11日–富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，富士通半導體旗下嵌入式解決方案奧地利公司（簡稱FEAT）推出最新CGI Studio工具套件3.0版本。
2014-08-11 11:19:302992 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，成功推出擁有1 Mb內存的FRAM產品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業內擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
2015-07-08 15:03:571568 上海， 2016-11-08——富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出業界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）（注1）產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體（注2）合作開發的首款ReRAM存儲器產品。
2017-03-24 18:03:201539 富士通電子元器件（上海）有限公司推出業界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）（注1）產品 MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體（注2）合作開發的首款ReRAM存儲器產品。
2017-03-24 18:48:431375 本視頻主要內容：介紹了富士通半導體的FRAM產品特性：低功耗，快速讀寫，高讀寫次數和防輻射特性。
2017-03-29 11:34:27951 美商安森美半導體（ON Semiconductor）與富士通半導體株式會社（Aizu Fujitsu Semiconductor Manufacturing Limited）于10月1日共同宣布
2018-10-08 15:00:004265 關鍵詞：安森美 , 富士通 來源：中時電子報 安森美半導體公司與富士通半導體株式會社宣布，安森美半導體已經完成對富士通半導體制造株式會社(Aizu Fujitsu Semiconductor
2018-10-08 14:26:02385 聯電財務長劉啟東表示，聯電于2014年參與日本三重富士通半導體增資、并取得15.9％股權及1席董事，并由聯電授權40納米技術。不過，由于該投資的閉鎖期規定為2.5年，雙方在去年中開始密切接觸，最終決議聯電將百分百收購日本三重富士通半導體股權，取得12吋晶圓廠產能。
2018-12-27 17:53:169859 意法半導體(簡稱ST)推出了一個新系列——氮化鎵(GaN)功率半導體。該系列產品屬于意法半導體的STPOWER產品組合，能夠顯著降低各種電子產品的能耗和尺寸。該系列的目標應用包括消費類電子產品的內置
2022-01-17 14:22:542180 全球知名半導體制造商ROHM已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列 （GNE1040TB）”的量產體制，該系列產品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數據中心等工業設備和各種物聯網通信設備的電源電路。
2022-03-28 15:25:301290 富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產品系列中密度最大的產品。
2022-04-24 16:06:021133 150V耐壓GaNHEMT*1(以下簡稱"GaN器件")的高達8V柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)*2技術。近幾年來,隨著IoT設備需求的不斷增長,功率轉換效率的提
2021-04-09 10:07:47514 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 美格納半導體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯手創造了一項新技術，解決了導致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:40709 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49293 
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