上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產品陣容，以標準AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。本章將以SJ-MOSFET的trr速度更高的PrestoMOS?的兩個系列為例，介紹trr的高速化帶來的優勢。

高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS　FN系列

PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現了內部二極管的反向恢復時間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。PrestoMOS的FN系列與標準型AN系列相比，trr速度提高至約1/5。同時，反向恢復電流Irr也降低至約1/3。這些特性的提升可大大降低開關損耗。順便提一下，PrestoMOS的“Presto”是源于表示“急板”的音樂速度用語。

開發旨在trr高速化的FN系列，是為了使逆變器電路和電機驅動器電路的損耗更低，并通過免除外置二極管從而使元器件數量更少、電路規模更小。一般這類電路是由MOSFET或IGBT與二極管組合構成的。與二極管組合的原因是為了抑制MOSFET和IGBT的內部二極管trr間產生的換流損耗，通常需要2個外置快速恢復二極管（以下簡稱“FRD”）。

從電流路徑的角度看，無需這些外置FRD，但由于MOSFET的內部二極管trr不是很快，因而其間的反向電流Irr成為較大損耗。為了阻止這種Irr，同時為了確保逆變器電路等的再生電流的高速路徑，需要2個FRD。

這樣一來，添加FRD必然會使元器件數量增加，而且MOSFET導通時的漏極電流（Id）路徑中也因添加FRD而導致損耗增加。

PrestoMOS通過實現內部二極管trr的高速化，無需使用這2個FRD也可用最低的損耗實現電路工作。由于不再需要2個FRD，損耗也更低，還可實現小型化和高效化。

下圖是一般的功率調節器（逆變器）電路和電機驅動器電路的功率段的示意圖和損耗比較數據。

在功率調節器電路中，比較了使用PrestoMOS時的損耗和傳統的MOSFET與FRD組合的損耗。使用PrestoMOS時，削減了VF比FRD低的這部分的再生損耗。

在電機驅動器電路例中，與IGBT的比較中，在ID低的范圍由于VCE（MOSFET則是VDS）低故該范圍的損耗變小。以家電為對象的情況下，絕大多數在MOSFET的優勢范圍使用，因而功耗削減備受期待。

導通電阻和柵極容量更低的PrestoMOS MN系列

MN系列的導通電阻和柵極總電荷量比trr高速化的FN系列更低。如下圖所示，A?Ron降低32%、Ron?Qg降低59%。這是以進一步改善逆變器電路等的效率為目標開發的系列。

最后給出這2個系列相關的技術信息鏈接。要想更深入了解產品，需要確認技術規格的規格值和特性圖表，這一點是很重要的。　

　審核編輯：湯梓紅