電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱為BJT，簡稱為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線性放大特性，但在電力電子應用中卻工作在開關狀態，從而減小功耗。GTR可通過基極控制其開通和關斷，是典型的自關斷器件。
2011-01-22 11:57:57
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根據定義，相同晶體管具有相同的W/L和工藝技術常數。在簡單電流鏡中，兩個晶體管具有相同的VGS。
2020-11-20 13:55:3310216 
來源：Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 本次活動是對11月份學子專區的延續；本次將介紹電流鏡，其輸出可以不受輸入電流變化的影響。因此，使用MOS晶體管從另一個角度來研究
2021-01-24 12:16:382786 
NMOS在工作在飽和區時是一個非線性壓控電流源，小信號時可以看成是線性的。
2023-02-16 15:13:461567 
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。
2023-02-21 17:35:148860 
NMOS晶體管工作在線性區時，漏源兩端的溝道存在阻性連接，以下文字對這種阻性連接進行簡單介紹。
2023-04-17 11:58:511767 
“晶體管開關”，是使用晶體管控制電路通斷的開關。根據實際應用場景，也稱“模擬開關(analog Switch)”或“邏輯開關(Logic Switch)”。它或許是一些電子發燒友們DIY時遇到的第一個電路。本文將展示四種晶體管開關電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。
2023-06-12 09:29:002031 
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
的種類電壓電流雙極晶體管集電極發射極間電壓 : VCE集電極電流 : IC數字晶體管輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流
2019-04-15 06:20:06
用。基極電壓源通過電阻提供基極電流為了使晶體管成為電子開關工作，需要提供一個電壓源，并將其通過電阻與基極相連接。如果要使開關導通，基極電壓源通過電阻向晶體管的基極提供足夠大的電流IB就可以使得晶體管導
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
的變化。
1、當柵極電壓未達到門檻電壓時，漏源之間基本處于關斷狀態，即使漏源之間加上電壓漏電流也很小。
2、當柵極電壓達到門檻電壓時，導電溝道開始出現，場效應管進入線性區，漏源之間電阻開始減小，此時漏源
2024-01-18 16:34:45
工作。所加負向電壓越大，在PN結處所形成的耗盡區越厚，導電溝道越窄，溝道電阻越大，漏極電流越小;反之，所加負向電壓越小，在PN結處所形成的耗盡區越薄，導電溝道越厚，溝道電阻越小，漏極電流越大。由此通過控制柵-源間所加負向電壓完成了對溝道電流的控制。
2016-06-29 18:04:43
示二進制的“0”和“1”。
源極和
漏極之間是溝道(Channel)，當沒有對柵極(G)施加電壓的時候，溝道中不會聚集有效的電荷，
源極(S)和
漏極(S)之間不會有有效
電流產生，
晶體管處于關閉狀態?？梢园?/div>
2017-08-03 10:33:03
一、晶體管開關電路：是一種計數地接通-斷開晶體管的集電極-發射極間的電流作為開關使用的電路，此時的晶體管工作在截止區和飽和區。當需要輸出大的負載電流時，由于集電極電流(負載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
在合理設置靜態工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路。如圖Z0212所示。 晶體管的端口電壓和電流的關系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數
2021-05-13 07:56:25
(sat)，這是集電極-發射極間的飽和電壓。這是流過既定的集電極電流時，即晶體管導通時的電壓降，因此可通過該值求得導通時的電阻。 MOSFET（圖中以Nch為例）通過給柵極施加電壓在源極與漏極間
2020-06-09 07:34:33
電流時，即晶體管導通時的電壓降，因此可通過該值求得導通時的電阻。MOSFET（圖中以Nch為例）通過給柵極施加電壓在源極與漏極間創建通道來導通。另外，柵極通過源極及漏極與氧化膜被絕緣，因此不會流過
2018-11-28 14:29:28
得到了晶體管的h參數后，就可以畫出晶體管的線性等效電路，圖Z0214是晶體管的h參數等效電路。 關于h參數等效電路，應注意以下幾點： （1）電壓的參考極性為上正下負，電流的參考正方向是流入為正
2021-05-25 07:25:25
是"增幅"和"開關"。比如收音機。放大空中傳播的極微弱信號，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號的情況，但是
2019-05-05 00:52:40
之間）和發射結（B、E極之間），發射結與集電結之間為基區。 根據結構不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
”現象。這就是因輸入信號的幅值太高，晶體管進入飽和區后，對信號失去放大作用，同時對信號產生限幅作用后的結果。由此可得出第一個問題的答案：隨著基極電流的增加，晶體管的工作狀態將由放大區向飽和區過渡，當
2012-02-13 01:14:04
分為硅管和鍺管兩類。 晶體管內部結構的特點是發射區的摻雜濃度遠遠高于基區摻雜濃度，并且基區很薄，集電結的面積比發射結面積大。這是晶體管具有放大能力的內部條件。 2. 電流分配與放大作用 體管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
，并聯晶體管的源極電流仍然存在部分共享路徑，這將會對柵極驅動產生影響（見圖2）。理想情況下，所有源極電流都將從漏極流至晶體管源極，但不可避免的一種情況是，部分源極電流會從開爾文源極（Kelvin
2021-01-19 16:48:15
原廠供應中低壓高壓MOSA1SHB（HU2301是PMOS管 HU2302是NMOS管。A1SHB（HU2301）PMOS管。晶體管類型 ： P溝道MOSFET最.大功耗PD ： 1.25W漏源電壓
2020-09-21 21:26:22
Finfet技術（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
的比例關系。2）偏置電路 當晶體管用于實際的放大電路時，還需要添加合適的偏置電路。這有幾個原因。首先，由于晶體管的BE結（相當于二極管）的非線性，輸入電壓達到一定水平后必須產生基極電流（對于硅管，通常
2023-02-08 15:19:23
NPN晶體管的b處沒有電壓輸入時，c和e之間沒有電流流動，三極管處于截止狀態。在圖（b）中，當正電壓輸入到NPN晶體管的b時，e的N區的負電子被b中P區的正電子吸引。 由于發電廠的作用，它們沖向（擴散
2023-02-15 18:13:01
化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT2020產品名稱：射頻晶體管NPT2020產品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應用從直流3.5 GHz調諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
，電壓源耦合到PNP晶體管。這一次，發射極連接到電源電壓V抄送通過負載電阻器，RL，限制流過連接到集電極端子的設備的最大電流。基電壓VB相對于發射極偏置負，并連接到基極電阻R。B，用于再次限制最大基極
2023-02-03 09:44:48
。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中
2010-08-13 11:36:51
的“0”和“1”。源極和漏極之間是溝道(Channel)，當沒有對柵極(G)施加電壓的時候，溝道中不會聚集有效的電荷，源極(S)和漏極(S)之間不會有有效電流產生，晶體管處于關閉狀態。可以把這種關閉
2017-09-12 11:10:57
源電流IDSS是指結型或耗盡型絕緣柵場效應晶體管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。（2）夾斷電壓夾斷電壓UP是指結型或耗盡型絕緣柵場效應晶體管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道
2019-04-04 10:59:27
本設計實例是一個2線式電流調節器（圖1），它在性能和器件數目之間達到了很好的平衡。通過使用三個晶體管、三個電阻和一個LED燈，可實現很好的調節效果（在大部分電壓范圍內準確度好于1%）、較低的工作
2018-09-29 17:15:25
，場效應晶體管屬于電壓控制器件，沒有輸入電流也會有輸出電流。3、三極管輸入阻抗小，場效應晶體管輸入阻抗大。4、有些場效應晶體管源極和漏極可以互換，三極管集電極和發射極不可以互換。5、場效應晶體管
2019-04-08 13:46:25
區域組成：柵極、源極和漏極。與雙極晶體管不同，FET 是電壓控制器件。柵極處的電壓控制電流從晶體管的源極流向漏極。場效應晶體管具有非常高的輸入阻抗，從幾兆歐 (MΩ) 到更大的電阻值。
這種高輸入阻抗
2023-08-02 12:26:53
：發射極、基極和集電極;場效應晶體管的三極是：源極、柵極、漏極。由于晶體管的三極性，它們也有三種使用方式：接地發射極（也稱為公共發射放大器/ CE配置），接地基極（也稱為公共基極放大器/CB配置）和接地
2023-02-03 09:36:05
行直流測試，顯示結果優良，表明氮化鎵在未來透明電子系統中有很大的應用潛力。我們的晶體管柵極—源極距離為1.5μm的，柵極長為2μm，柵極—漏極距離為9.5μm，呈現的最大漏電流為602 mA/mm，最大
2020-11-27 16:30:52
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
，出于實際原因，保持區域大致相同至關重要?！ ∪缜八觯瑢崿F更多計算能力的一種方法是縮小晶體管的尺寸。但隨著晶體管尺寸的減小，漏極和源極之間的距離降低了柵極控制溝道區域電流的能力。正因為如此，平面
2023-02-24 15:25:29
PLC輸入分為源型和漏型，什么是源型和漏型，是指傳感器的晶體管類型嗎？源型NPN和漏型PNP，還是指信號流入流出的方向，源極為流出，射極為流入？再或者是指信號輸出的方式，集電極輸出和射極輸出？電子專業常說的有源指的是什么？什么有源負載，有源電路的。
2024-01-14 00:29:14
本文將重點討論使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩定電流源。穩定電流源(BJT)目標本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產生穩定（對輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展?！?、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展?！?、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
單極型晶體管也稱場效應管，簡稱FET（FieldEffectTransistor）。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產生的電場效應來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子（多數載流子）參與
2020-06-24 16:00:16
的第一個電路。 本文將展示四種晶體管開關電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設計過程中，有時需要“獨立”控制幾個開關的通與斷。例如構造某種波形。晶體管開關能夠實現一些開關的通與斷不會
2016-08-30 01:01:44
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
（1）場效應晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場效應晶體管
2019-03-28 11:37:20
作阻抗變換。3、場效應管可以用作可變電阻。4、場效應管可以方便地用作恒流源。5、場效應管可以用作電子開關。五、場效應管的測試1、結型場效應管的管腳識別： 場效應管的柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極
2011-12-19 16:30:31
耗盡區，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結交界面所形成的耗盡區就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓
2019-05-08 09:26:37
在開路形態下保管。4、場效應晶體管(包括結型和絕緣柵型)的漏極與源極通常制成對稱的，漏極和源極可以互換運用。但是有的絕緣柵場效應晶體管在制造商品時已把源極和襯底銜接在一同了，所以這種管子的源極和漏極
2019-03-22 11:43:43
、漏極電流等參數。選用音頻功率放大器推挽輸出用VMOS大功率場效應晶體管時，要求兩管的各項參數要一致（配對），要有一定的功率余量。所選大功率管的最大耗散功率應為放大器輸出功率的0.5~1倍,漏源擊穿電壓應為功放工作電壓的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20
載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
電路功能與優勢數字控制電流源在許多應用中至關重要，如電源管理、電磁閥控制、電機控制、阻抗測量、傳感器激勵和脈搏血氧儀等。本文介紹三種利用 DAC、運算放大器和 MOSFET 晶體管構建支持串行接口
2018-10-16 08:45:57
區域，而粉紅色陰影區域表示截止區域?！ D1. 晶體管工作區 這些區域定義為： ? 飽和區域。 在這個區域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實現最大電流，在集電極-發射極處實現最小壓降
2023-02-20 16:35:09
1. 場效應晶體管開關電路學習過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發射極之間的電流；而場效應晶體管是電壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流
2019-03-29 12:02:16
有一個電流源，其電流大小未知，其變化范圍從微安到幾十毫安（5V供電），需要設計一個可控電路，或接通后電流源可對電容充電，或斷開。試著采用NMOS管實現開關作用，利用NMOS的柵源電壓大于閾值電壓時漏
2017-05-19 11:44:05
電路怎么設計？我采用NMOS管實現開關作用，完成開關的閉合。但是由于電路中使用的是電流源，當我用OrCAD Capture CIS建立仿真電路時，總是提示電流源的輸出管腳錯誤 ERROR
2017-12-01 16:20:52
我有一個源極跟隨器（共漏極）配置的NMOS晶體管，但具有從輸出到輸入的反饋。它被用作功率級，因為負載的功率很高。如何用運算放大器代替電壓源？
2024-03-01 07:26:44
輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流 : ID例：開關雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關
2019-05-05 09:27:01
常用場效應管及晶體管參數常用場效應管及晶體管參數場效應管的主要參數 (1)直流參數 飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
直流電流增益率的關系式GI：數字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2電壓關系式 VIN
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區別GI和hFE的區別VI(on)和VI(off)的區別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
引起的拉應力，限制垂直漏極 - 基板泄漏電流并防止導電Si襯底中的深度擊穿路徑，在兩者之間插入晶格緩沖層（圖2）。硅體和晶體管的有源頂側?！ D2.格緩沖區 該緩沖器在確定晶體管的關鍵可靠性特性中起著
2023-02-27 15:53:50
勵磁電流ILM開始在死區時間內對低側晶體管的輸出電容放電。在狀態2時，寄生輸出電容完全放電，GaN功率晶體管通過2DEG通道從源極到漏極以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一個固有的雙極
2023-02-27 09:37:29
Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、常見的nmos和pmos的原理與區別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semicond...
2021-11-11 06:28:29
限模擬乘法器由6個級聯的兩輸入組合結構單元(Combiner)組成，這種結構已廣泛應用于射頻電路中，它的NMOS管分別對源漏相接，且通過負載電阻R直接到電源。因它的輸入電壓可直接控制晶體管電流，因而該乘法器
2019-07-16 07:40:41
，另外就一個就是芯片制程，制程這個概念，其實就是柵極的大小，也可以稱為柵長，在晶體管結構中，電流從Source流入Drain，柵極（Gate）相當于閘門，主要負責控制兩端源極和漏級的通斷。電流會損耗
2020-07-07 11:36:10
請問BJT工藝的線性穩壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
，使場效應晶體管不會失效。就選擇場效應晶體管而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道場效應晶體管能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。我們須在整個工作溫度范圍內測試電壓
2019-04-02 11:32:36
是溝道區，n+區是漏區。對于p型TFET來說，p+區是漏區，i區是溝道區，n+區是源區。漏極電壓用Vd表示，柵極電壓用Vs表示，柵極電壓用Vg表示。隧穿場效應晶體管是什么----隧穿場效應晶體管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
越大,亦即 SIT的源漏極之間是靠漏電壓的靜電感應保持其電連接的,因此稱為靜電感應晶體管。SIT和一般場效應晶體管(FET)在結構上的主要區別是：①SIT溝道區摻雜濃度低，為1012～1015厘米-3
2010-06-25 20:35:16
的電流-電壓特性曲線，即I-V 曲線。晶體管的I-V 特性決定了器件的基本功耗、效率和其他主要性能驅動因素。從本質上來說，I-V 曲線是漏極-源極電流(I) 與漏極-源極電壓(V) 之間的關系圖，用不
2018-08-04 14:55:07
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高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
（PTAT）的電流，利用這個電流與一個工作在飽和區的二極管連接的NMOS晶體管的閾值電壓進行補償，實現了一個低溫漂、高精度的基準電壓源的設計?！ ? NMOS晶體管的構成 兩個工作在弱反型區的NMOS晶體管
2018-11-30 16:38:24
晶體管線性階梯波發生器電路圖
2009-07-01 13:11:05567 
。 本文將展示四種晶體管開關電路，其中2種使用NMOS，2種使用PMOS。 在電路設計過程中，有時需要獨立控制幾個開關的通與斷。例如構造某種波形。晶體管開關能夠實現一些開關的通與斷不會影響其他開關的通與斷，即開關之間相互獨立，相互無關。常在人機交互場景之中有著特定
2020-09-03 15:28:3023364 
雙極型晶體管的原理 雙極型晶體管是一種電流同時控制電子和空穴的導電，是最普及的一種功率晶體管，具有體積小、質量輕、耗電少、壽命長、可靠性高的特點。 雙極型晶體管原理： 對于PNP型器件，需要將兩組
2021-08-18 17:24:334930 NMOS晶體管是一種電子元件，它是一種半導體晶體管，其中N指的是n型半導體材料，它具有負極性，可以用來控制電流的流動。它的主要功能是在電路中控制電流的流動，以及控制電路的輸入和輸出信號。
2023-02-11 16:09:0511838 
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
nMOS晶體管導通是通過溝道里面的電子產生電流的，一般NMOS的源極接襯底，共同接到地，漏極到源極加上正電壓，電子從源極向漏極流動，我們取電流的方向和電子流動的方向相反，所以電流是漏極流到源極。
2023-02-11 16:41:541979 
PMOS晶體管，也稱為P溝道金屬氧化物半導體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區域使用p型摻雜劑。這個晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個主要端子：源極、柵極和漏極。晶體管的源極端
2023-02-11 16:48:0312266 
將詳盡論述NMOS和PMOS的符號區別以及相關的特點。 NMOS代表n型金屬氧化物半導體，它是以n型材料為基礎的晶體管。相比之下，PMOS代表p型金屬氧化物半導體，它是以p型材料為基礎的晶體管。這兩種類型的晶體管有著不同的電流和導通特性。 首先，我們來看NMOS的符號。
2023-12-18 13:56:221530 晶體管偏置電阻的計算主要是為了確定適當的基極電流以確保晶體管正常工作和線性放大。
2024-02-05 15:06:28313 
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