本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應用中的第一步,但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻。 碳化硅的不足是: 碳化硅圓片的價格還較高,其缺陷也多。 三、碳化硅肖特基二極管的特點 上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低,約
2019-01-11 13:42:03
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計,2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
材料的兩倍以上。因此,SiC所能承受的溫度更高,一般而言,使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件所能達到的最大工作溫度可到600 C。2) 高阻斷電壓與Si材料相比,SiC的擊穿場強是Si的十倍多
2021-03-25 14:09:37
用于電機驅動領域的優勢,尋找出適合碳化硅功率器件的電機驅動場合,開發工程應用技術。現已有Sct3017AL在實驗室初步用于無感控制驅動技術中,為了進一步測試功率器件性能,為元器件選型和實驗驗證做調研
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
的功率半導體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。 02 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期(VAC大于0)的時候,T2為主開關管。 當T2開通時,電感L儲能,電流
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性,在持續使用內部體二極管的連續導通模式(CCM)功率因數校正(PFC)設計,例如圖騰功率因數校正器的硬開關拓撲中,碳化硅
2023-03-14 14:05:02
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件,主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36
是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20
390 8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實驗結果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-03-05 10:43:22
266 
6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:16
613 
6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術
2022-01-21 09:37:00
736 
6.3.5.1界面態分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.8其他
2022-01-12 10:00:29
744 
6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.5.5界面的不穩定性∈《碳化硅技術
2022-01-21 09:35:56
706 
8.2.9閾值電壓控制8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.8UMOS的先進設計∈《碳化硅
2022-03-02 09:27:23
531 
8.2.11氧化層可靠性8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.10.34H-SiC
2022-03-07 09:51:01
285 
6.3.4.4Terman法6.3.4.3確定表面勢6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內
2022-01-07 11:49:21
725 
8.2.1MOS靜電學回顧8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.1.6功率JFET器件的實現
2022-02-22 09:21:59
449 
7.3.4電流-電壓關系7.3pn與pin結型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.3.3“i”區的電勢下降∈《碳化硅技術基本原理——生長
2022-02-14 09:44:16
801 
6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.2.1反應性離子
2022-01-04 16:34:33
543 
7.3.3“i”區的電勢下降7.3pn與pin結型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.3.2“i”區中的載流子濃度∈《碳化硅技術基本原理
2022-02-14 09:41:11
310 
7.3.2“i”區中的載流子濃度7.3pn與pin結型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.3.1大注入與雙極擴散方程∈《碳化硅技術
2022-02-14 09:36:44
444 
6.5總結第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.2n型SiC
2022-01-27 09:16:44
861 
8.2.12MOSFET瞬態響應8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.11氧化層可靠性
2022-03-07 09:38:20
455 
8.2.5比通態電阻8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.4飽和漏極電壓∈《碳化硅技術
2022-03-01 10:40:24
412 
6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.5.3界面
2022-01-18 09:28:24
662 
6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:23:45
517 
8.2.10.1影響反型層遷移率的機理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內
2022-03-03 09:46:19
354 
6.3.4.5高低頻方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.3確定表面
2022-01-10 09:48:37
347 
6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.5.1界面
2022-01-13 11:21:29
631 
6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:11:56
775 
6.1.4半絕緣區域的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.3p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:23:25
402 
6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術基本原理
2022-01-24 14:08:51
807 
8.1.3飽和漏極電壓8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.1.2電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征
2022-02-18 10:11:58
344 
8.2.2分裂準費米能級的MOS靜電學8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.1MOS靜電學
2022-02-23 09:23:34
418 
6.1.3p型區的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:21:13
565 
8.1.2電流-電壓關系8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.1.1夾斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征
2022-02-18 10:10:24
363 
11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統中的應用《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:器件主控:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-24 11:34:51
578 
6.1.2n型區的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:17:33
617 
6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理
2022-01-04 14:10:56
564 
7.2肖特基勢磊二極管(SBD)第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.1.3雙極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-09 09:27:53
440 
7.1.3雙極型功率器件優值系數7.1SiC功率開關器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.1.2單極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術
2022-02-09 09:25:05
378 
7.4結勢壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.3.4電流-電壓關系∈《碳化硅技術
2022-02-15 11:20:41
2353 
7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.5總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-07 16:12:08
568 
8.2.6功率MOSFET的實施:DMOSFET和UMOSFET8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內
2022-02-28 11:20:02
1054 
6.3.5.5界面的不穩定性6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.5.4
2022-01-19 09:16:10
482 
6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.5高低頻方法
2022-01-10 14:04:39
631 
6.3.4.7電導法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.6C-Ψs方法
2022-01-12 10:44:27
394 
8.2.7DMOSFET的先進設計8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.6功率MOSFET
2022-02-28 10:46:39
321 
7.1.2單極型功率器件優值系數7.1SiC功率開關器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長
2022-02-07 15:01:28
396 
6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-24 10:22:28
480 
8.2.3MOSFET電流-電壓關系8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.2分裂準費米能級
2022-02-24 10:08:25
466 
6.3.4.1SiC特有的基本現象6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.3熱氧化氧化硅
2022-01-05 13:59:37
493 
8.2.10.2反型層遷移率的器件相關定義8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-03-04 10:19:46
276 
6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術基本原理——生長
2021-12-31 14:13:05
466 
6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術
2022-01-24 10:09:12
1034 
6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.4半絕緣區域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 14:25:52
549 
11.2.2開關模式直流-直流變換器11.2基本的功率變換電路第11章碳化硅器件在電力系統中的應用《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP
2022-04-15 16:32:32
269 
7.3pn與pin結型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.2肖特基勢磊二極管(SBD)∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-10 09:18:15
614 
8.1.4比通態電阻8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.1.3飽和漏極電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征
2022-02-20 16:16:46
636 
6.2.1反應性離子刻蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 10:57:22
817 
6.3.4.8其他方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.7電導法∈《碳化硅
2022-01-11 17:26:05
445 
6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-25 09:18:08
743 
7.3.1大注入與雙極擴散方程7.3pn與pin結型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.3pn與pin結型二極管∈《碳化硅技術基本原理
2022-02-11 09:25:07
541 
8.1.1夾斷電壓8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.4結勢壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS
2022-02-16 09:43:48
325 
6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.2.1反應性離子刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.6
2021-12-31 10:31:17
723 
8.1.5增強型和耗盡型工作模式8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.1.4比通態電阻∈《碳化硅技術基本原理——生長
2022-02-20 14:15:56
384 
11.2.3開關模式逆變器11.2基本的功率變換電路第11章碳化硅器件在電力系統中的應用《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代
2022-04-15 11:01:18
403 
8.2.8UMOS的先進設計8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.7DMOSFET的先進
2022-03-01 10:36:06
605 
8.1.6功率JFET器件的實現8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.1.5增強型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術
2022-02-21 09:29:28
537 
6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.1SiC
2022-01-07 14:24:25
420 
5.3.2.1壽命控制5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5.3.2載流子壽命“殺手
2022-01-06 09:38:25
510 
5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5.3.1.2雜質∈《碳化硅
2022-01-06 09:37:40
535 
8.2.4飽和漏極電壓8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.3MOSFET電流-電壓關系
2022-02-25 09:29:27
469 
5.3.1.2雜質5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術
2022-01-06 09:30:23
552 
5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能
2022-01-06 09:27:16
693 
6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16
636 
5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55
621 
汽車領域中得到了廣泛的應用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優勢及應用等方面進行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半導體器件,它的工作原理與傳統的硅功率器件基本相同,
2023-09-05 09:04:42
1880 ,因此在電動汽車、風力發電、軌道交通等領域得到了廣泛應用。本文將對碳化硅功率器件的原理、特點、應用現狀、挑戰以及未來發展趨勢進行詳細介紹。
2023-12-14 09:14:46
241 隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,逐漸在電力電子領域嶄露頭角。與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高導熱率和高電子飽和遷移率,使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優點。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應用領域以及發展前景。
2023-12-21 09:43:38
353 碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統的硅基功率器件具有許多優勢,主要體現在以下幾個方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰
2023-12-21 11:27:09
286 隨著科技的不斷進步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導體材料,在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發展潛力,將在多個領域展現出顯著的優勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優勢
2024-01-06 14:15:03
353 碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49
379 隨著能源危機和環境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點,被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域以及未來發展趨勢。
2024-02-21 09:27:13
210 隨著全球能源危機和環境問題的日益突出,高效、環保、節能的電力電子技術成為了當今研究的熱點。在這一領域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學特性,正在逐步取代傳統的硅基功率器件,引領著電力電子技術的發展方向。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的特點、優勢、應用以及面臨的挑戰和未來的發展趨勢。
2024-02-22 09:19:21
170 碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用碳化硅材料的優良特性,可以在更高的溫度和電壓下工作,實現更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24
125
評論