前幾期講的MOSFET的物理結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性是我們研究MOSFET的基礎(chǔ),只掌握這些在實際電路中是沒法用的,今天講的內(nèi)容才是我們在電路設(shè)計中所用到的,但是前幾期的內(nèi)容都是廢話嗎?當(dāng)然不是,只有知道了那些基礎(chǔ),再看到電路模型的時候才不會感覺奇怪,才會把MOSFET的電路模型深入到自己的潛意識中。
2023-02-16 11:50:22
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NMOS在工作在飽和區(qū)時是一個非線性壓控電流源,小信號時可以看成是線性的。
2023-02-16 15:13:46
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期我們介紹了NMOS當(dāng)作為放大器時的等效電路是什么?包括大信號模型和小信號模型,模型中當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時,我們把NMOS當(dāng)成一個理想的壓控電流源,實際上由于溝道長度的變化會隨著V_DS略微改變,如果考慮這個因素就需要溝道長度修正模型。
2023-02-16 15:15:25
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根據(jù)上一篇對CMOS工作原理的分析,我們可以將MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個區(qū)域,以NMOS為例。
2023-04-25 14:23:00
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引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮寫,具有高速和低損耗的特性,廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。和普通的阻容一樣,MOS也有其寄生模型,了解其等效寄生模型有助于我們在高速應(yīng)用中快速掌握其特性。
2023-06-08 11:56:06
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分析IGBT,一般可以采用兩種模型,一種是簡化的“PIN+MOS”模型,一種是更切合實際的“PNP+MOS”模型,前者邏輯分析簡單
2023-11-30 17:00:48
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在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強(qiáng)調(diào)了這個模型所存在的一個短板,即所有電流都通過MOS溝道,實際上只有電子電流通過MOS溝道,而空穴電流則通過p-base。
2023-12-01 10:17:46
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的是MOS場效應(yīng)管,簡稱MOS管(即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管,以及最近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。按溝道半導(dǎo)體資料
2018-10-29 22:20:31
MOS管型防反接保護(hù)電路圖3利用了MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,現(xiàn)在 MOSFET Rds(on)已經(jīng)能夠做到毫歐級,解決了現(xiàn)有采用二極管
2021-10-29 08:31:20
]MOS管型防反接保護(hù)電路圖3.]圖3利用了MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,現(xiàn)在 MOSFET Rds(on)已經(jīng)能夠做到毫歐級,解決了現(xiàn)有
2019-12-10 15:10:43
電源設(shè)計,也涉及嵌入式開發(fā),對大小功率mos管,都有一定的理解,所以把心中理解的經(jīng)驗總結(jié)一番,形成理論模型。MOS管等效電路及應(yīng)用電路如下圖所示:把MOS管的微觀模型疊加起來,就如下圖所示:我們知道
2018-11-21 14:43:01
的是一個三極管加一個MOS管,或者一個NMOS加一個PMOS。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來討論的是基于圖2電路引起的MOS關(guān)做開關(guān)對輸入端電源的影響。圖1 三極管加MOS管形式開關(guān)電路圖2 NMOS加PMOS形式開關(guān)電路2. ...
2021-10-29 06:49:15
一般有三個極。四類MOS管增強(qiáng)型運用較為普遍,下圖是畫原理圖時增強(qiáng)型NMOS和PMOS管的符號:漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管,在驅(qū)動感性負(fù)載(指有線圈負(fù)載的電路,如馬達(dá)),這個二極管
2019-01-28 15:44:35
我最近在做一個微能源收集的項目,我們有1.5V 20mA的交流輸出,現(xiàn)在我想通過MOS管來降低整流過程中的壓降,但是相關(guān)資料里的4MOS管整流電路使用了2個PMOS和2個NMOS,為什么不使用4個NMOS來做這個整流電路那?NMOS不是各方面都比PMOS強(qiáng)嗎?
2019-07-24 15:39:22
件的搭配,本文就針對筆者在實際工作中的關(guān)于 MOS 管(三極管)的應(yīng)用做一些整理。本文所介紹的功能,使用三極管也是可以的,但是實際應(yīng)用中,多使用 MOS 管,故本文多以 MOS 管進(jìn)行說明。2. 應(yīng)用2.1 NMOS 開關(guān)控制如圖,通過 NMOS 的開關(guān)作用,完成對 LED 的亮滅控制。此時
2021-11-11 08:02:38
了解MOS管的開通/關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn),使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計復(fù)雜,一般情況下意義不大,所以很少采用。下面先了解MOS管的開通/關(guān)斷
2021-10-28 08:37:47
MOS管的漏電流在微型可穿戴設(shè)備中,對于電池的功耗要求很高,所以為了省電,其實電路也是很多的,最省電的無疑就是直接斷開電池的供電了。這種方案要用到一個NMOS和一個PMOS組合使用,NMOS作為下管
2021-10-12 16:45:51
的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。 至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問底。 對于這兩種增強(qiáng)型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易
2019-02-14 11:35:54
電源設(shè)計,也涉及嵌入式開發(fā),對大小功率MOS管,都有一定的理解,所以把心中理解的經(jīng)驗總結(jié)一番,形成理論模型。MOS管等效電路及應(yīng)用電路如下圖所示:
2019-05-21 06:44:49
(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。至于
2011-11-07 15:56:56
等效模型MOS管相比于三極管,開關(guān)速度快,導(dǎo)通電壓低,電壓驅(qū)動簡單,所以越來越受工程師的喜歡,然而,若不當(dāng)設(shè)計,哪怕是小功率MOS管,也會導(dǎo)致芯片燒壞,原本想著更簡單的,最后變得更加復(fù)雜。這幾年來
2022-01-03 06:55:36
MOS管詳解,讓你頭痛的MOS管不在難~!!!
2018-06-25 09:57:31
什么是MOS管?NMOS是什么?PMOS又是什么?NMOS管與PMOS管有哪些不同?
2021-10-15 09:09:38
最近在看利用增強(qiáng)型NMOS管或者PMOS管對電路或電源極性反接保護(hù)設(shè)計,網(wǎng)上眾說紛紜,其中經(jīng)典的說法為: 或(個人認(rèn)為右側(cè)圖中的MOS管畫錯了,應(yīng)是增強(qiáng)型NMOS管) 或(個人認(rèn)為右側(cè)圖中的MOS管
2019-07-13 14:13:40
您好,我使用的是“IC-CAP”軟件,因此我可以訪問我的MOS晶體管的VerilogA模型。外部電壓和流動電流由IC-CAP存儲。另外,我在每次調(diào)用我的模型時,在一個單獨的文件中保存自己的計算值
2018-12-19 16:29:13
在真實世界中,存在著許多十分相似的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),可以使用極為簡單的圖來建立它們的模型。圖模型和圖數(shù)據(jù)庫得到廣泛的關(guān)注,并且在許多應(yīng)用領(lǐng)域獲得的應(yīng)用。圖模型的概念將和面向?qū)ο蟮母拍钜粯樱跀?shù)字化建模中獲得
2021-09-02 07:18:12
詳解MOS管驅(qū)動電路在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀
2017-08-15 21:05:01
增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到的NMOS,或者PMOS就是指這兩種。至于為什么不適用號耗盡型的MOS管,不建議
2017-12-05 09:32:00
為大家奉上GP,multisim對雙極性晶體管模型進(jìn)行模擬分析是基于GP模型的。
2016-01-16 09:13:21
就Edge Impulse的三大模型之一的分類模型進(jìn)行淺析。針對于圖像的分類識別模型,讀者可參考OpenMv或樹莓派等主流圖像識別單片機(jī)系統(tǒng)的現(xiàn)有歷程,容易上手,簡單可靠。單擊此處轉(zhuǎn)到——星瞳科技OpenMv 所以接下來的分析主要是針對數(shù)據(jù)進(jìn)行識別的分類模型。...
2021-12-20 06:51:26
`MOS集成電路特點:制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單,集成度高、抗干擾能力強(qiáng),特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成
2011-12-27 09:50:37
PSpice模型怎么轉(zhuǎn)換為spice模型
2014-12-20 00:12:54
P型MOS管開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
TOSHIBAVHF高頻MOS管2SK241,multisim中沒有該器件庫模型,用什么哪個器件可以替代來仿真?最好是市場上能夠方便買到的型號。
2016-06-07 14:11:19
,Select調(diào)用就 會返回,然后進(jìn)程再通過recvfrom來進(jìn)行數(shù)據(jù)拷貝。但實際上,它并未向內(nèi)核注冊信號處理函數(shù),所以它并不是非阻塞的。 看到開篇的那張圖,大家肯定會有疑問,為什么之前的這四種模型都是
2019-10-09 16:12:11
pspice場效應(yīng)管模型如何修改想用pspice做場效應(yīng)管MTP2P50E和BUK456800的電路仿真,但是沒有它們的模型,想用一個現(xiàn)成的管子修改一下,挑了一個F1020,edit pspice
2011-09-06 15:52:54
并不重要,只要記住他們分別簡稱g、d、s就可以。圖3我們把單片機(jī)的一個IO口接到這個MOS管的gate端口,就可以控制這個燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個單片機(jī)的IO口輸出為高的時候,NMOS就等
2023-01-29 23:05:20
制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到的NMOS,或者PMOS就是指這兩種。至于為什么不適用號耗盡型的MOS管,不建議
2015-12-21 15:35:48
1.理想模型所謂理想模型,是指在正向偏置時,其管壓降為零,相當(dāng)于開關(guān)的閉合。當(dāng)反向偏置時,其電流為零,阻抗為無窮,相當(dāng)于開關(guān)的斷開。具有這種理想特性的二極管也叫做理想二極管。
2019-05-22 09:06:25
什么是模型呢?什么是關(guān)系?怎樣確定一個模型?模型給我們帶來了什么?
2021-07-02 07:13:30
創(chuàng)作時間:2020-11-17目錄:1.使用MOS管作為開關(guān)控制的應(yīng)用2.單晶體管負(fù)載開關(guān)3.MOS管說明,什么是PMOS,什么是NMOS?4.實例,采用PMOS進(jìn)行開關(guān)控制,且如何看懂
2021-10-29 08:39:45
各位大神們:請幫忙分析下這個NMOS管的奇特用法。此電路作用是是為了防止Load 短路或者過流時不會拉低輸入電源的電壓。Q1: 才能完全導(dǎo)通,是否MOS管Q1 的G極有更高的電壓? Q2:個人感覺如果作為防反接或者電路中為了短路隔離的作用,用PMOS是否更加合適?
2019-08-21 09:45:01
如圖所示,我用nmos做開關(guān)管,通過鋰電池供電,隨著電池電量損耗,柵極電壓會從14v到8v變化,保證mos管一直導(dǎo)通,我想知道,柵極電壓變化會不會影響mos管的導(dǎo)通特性?電池電壓為48v,負(fù)載電流比較大
2019-10-23 11:08:33
在Pspice中仿真,怎么仿真壓敏電阻和放電管,另外,如果庫中沒有其仿真模型,怎么自己建立仿真模型
2017-11-23 15:26:48
文章目錄概述函數(shù)關(guān)系圖模型分析資源層->設(shè)備層設(shè)備層->驅(qū)動層總結(jié)概述今天看了《韋東山升級版全系列嵌入式視頻之總線設(shè)備驅(qū)動模型》這一節(jié)的視頻,看完之后感覺有一種似懂非懂的感覺,因此我
2021-12-23 06:27:26
1 MOS管導(dǎo)通截止原理NMOS管的主回路電流方向為D—>S,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,如 5V(G電位比S電位高)。PMOS管的主回路電流方向為S—>D,導(dǎo)通條件為
2023-02-17 13:58:02
神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于圖像分類、目標(biāo)檢測、語義分割以及自然語言處理等領(lǐng)域。首先分析了典型卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型為提高其性能增加網(wǎng)絡(luò)深度以及寬度的模型結(jié)構(gòu),分析了采用注意力機(jī)制進(jìn)一步提升模型性能的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),然后歸納
2022-08-02 10:39:39
的是MOS場效應(yīng)管,簡稱MOS管(即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管,以及最近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。 按溝道半導(dǎo)體
2009-04-25 15:38:10
音頻的自動分類,尤其是語音和音樂的分類,是提取音頻結(jié)構(gòu)和內(nèi)容語義的重要手段之一,它在基于內(nèi)容的音頻檢索、視頻的檢索和摘要以及語音文檔檢索等領(lǐng)域都有重大的應(yīng)用價值.由于隱馬爾可夫模型能夠很好地刻畫音頻
2011-03-06 23:50:22
1. 前言MOS管做為開關(guān)是一種常用的方式,在電路中比較常用的是一個三極管加一個MOS管,或者一個NMOS加一個PMOS。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來討論的是基于圖2電路引起的MOS關(guān)做開關(guān)
2021-10-28 06:50:48
= 1u W = 1u .MODEL DMOS MOS3_NMOS(KP = 40.755 VTO = 3.85 THETA = 0 VMAX = 1.5e5 ETA = 0 LEVEL = 3
2018-12-12 16:21:55
一個開關(guān)COM 按下接高電平彈開接下面的nmos管。mos管的B+和B-接到運放的+和-了。看不懂這個Nmos管導(dǎo)通以后開管接的是B+還是B-?后面的運放是什么作用
2018-11-27 10:10:05
MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。 至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問底。 對于這兩種增強(qiáng)型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以
2018-10-18 18:15:23
的一種(另一種是JEFT),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到的NMOS,或者PMOS就是指這兩種
2018-12-03 14:43:36
有MOS管的電路仿真時,怎么才能找到MOS管的波形圖
2011-12-27 17:41:18
MOS管是什么?NMOS管和PMOS管的工作原理是什么?NMOS管與PMOS管的區(qū)別在哪?
2021-11-03 06:17:26
請問誰有氣體放電管的仿真模型,跪求給位大神。
2016-09-08 15:17:12
我想將 2 個不同的 ML 模型上傳到微控制器并在我用于分類的模型之間交換(在微控制器內(nèi))但是,代碼似乎只能正確生成一個模型的代碼。這個對嗎?還是應(yīng)該為兩者生成代碼?有沒有使用多個模型的例子?
2022-12-02 07:19:57
,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問底。 對于這兩種增強(qiáng)型MOS管,比較常用的是NMOS管。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以開關(guān)電源
2018-10-26 14:32:12
一、簡介MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2021-11-11 06:28:29
系統(tǒng)模型及其分類[hide][/hide]
2017-10-03 22:59:25
系統(tǒng)模型及其分類.zip
2017-10-04 11:23:53
請問buck-boost電路中的MOS管一定要是NMOS管么,可不可以用PMOS管?已知G極的控制電壓為3.3V
2022-02-12 17:44:53
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
小學(xué)生一枚,求CREE公司CGH系列晶體管模型求問ADS大神,如何將2009版以前的模型文件轉(zhuǎn)換成2011版以后啊?
2017-11-21 22:49:59
MOS管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流;而MOS管是壓控流器件,也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。選擇NMOS or PMOS?在選擇這兩種MOS管之前,需要弄清兩個問題:1.高端驅(qū)動 2.低端驅(qū)動...
2021-10-29 08:16:03
,適用于整個技術(shù)平臺,而非針對每個器件尺寸和型號分別建模的獨立分立式模型庫。模型直接跟蹤布局和制程技術(shù)參數(shù)(圖1)。可擴(kuò)展參數(shù)允許采用CAD電路設(shè)計工具進(jìn)行設(shè)計優(yōu)化。對于給定應(yīng)用,最佳設(shè)備無法在固定
2019-07-19 07:40:05
基于模型的動態(tài)測試工具TPTTPT特性PikeTec公司是全球知名的基于模型的嵌入式系統(tǒng)測試工具TPT的軟件供應(yīng)商,總部位于德國柏林,其創(chuàng)始人均在戴姆勒公司擁有十多年的軟件測試經(jīng)驗。TPT作為針對
2022-07-25 15:35:26
系統(tǒng)模型及其分類系統(tǒng):具有特定功能的總體,可以看作信號的變換 器、處理器。系統(tǒng)模型:系統(tǒng)物理特性的數(shù)學(xué)抽象,一般也稱為數(shù)學(xué)模型。 電路的微分方程為:該微
2009-09-08 21:00:25
10 DNA序列的分類模型本文提出了DNA序列分類的三種模型,基一,基于A,G,T,C四種堿基出現(xiàn)的頻率,其二利用了同一堿基在序列中的間隔,這一信息是單純考慮頻率所不能包含的.
2009-09-16 11:52:45
17 3D打印高性能材料 模型樹脂 RE 51 RE 51 模型樹脂RE 51是一款可快速打印的模型樹脂材料,具有高精度的材料特性,可使打印模型具有光潔、精細(xì)的紋理表面
2023-02-15 14:50:30
基于yamaguchi分解模型的全極化SAR圖像分類
2010-06-16 09:51:15
11 基于PLSA主題模型的多標(biāo)記文本分類_蔣銘初
2017-01-08 10:40:54
0 超像素詞包模型與SVM分類的圖像標(biāo)注_於敏
2017-03-19 19:03:46
1 系統(tǒng)模型及其分類
2017-12-06 14:52:04
0 本文主要研究了基于非參數(shù)方法的分類模型交叉驗證結(jié)果比較,主要是對實例通過非參數(shù)的方法進(jìn)行模型比較的假設(shè)檢驗,檢驗兩分類模型是否存在顯著差異。模型的真實泛化誤差是一個較為科學(xué)的模型比較標(biāo)準(zhǔn),對于分類
2017-12-08 15:28:44
1 針對二元關(guān)聯(lián)法(BR)未考慮標(biāo)簽之間相關(guān)性,容易造成分類器輸出在訓(xùn)練集中不存在或次數(shù)較少標(biāo)簽的不足,提出了基于貝葉斯模型的多標(biāo)簽分類算法( MLBM)和馬爾可夫型多標(biāo)簽分類算法(MMLBM)。首先
2017-12-25 13:50:05
1 為提高低配置計算環(huán)境中的視覺目標(biāo)實時在線分類特征提取的時效性和分類準(zhǔn)確率,提出一種新的目標(biāo)分類特征深度學(xué)習(xí)模型。根據(jù)高時效性要求,選用分類器模型離線深度學(xué)習(xí)的策略,以節(jié)約在線訓(xùn)練時間。針對網(wǎng)絡(luò)深度
2018-03-20 17:30:42
0 MOS管的等效模型 我們通常看到的MOS管圖形是左邊這種,右邊的稱為MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:37
27498 
針對點云數(shù)據(jù)本身信息量不足導(dǎo)致現(xiàn)有三維點云分類方法分類精度較低的問題,結(jié)合多模態(tài)特征融合,設(shè)計一種三維點云分類模型。通過引入投影圖對點云數(shù)據(jù)信息進(jìn)行擴(kuò)充,將點云數(shù)據(jù)與圖像數(shù)據(jù)同時作為輸入
2021-03-11 14:09:11
3 分類問題是數(shù)據(jù)挖掘和機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域硏究的重點問題,貝葉斯網(wǎng)絡(luò)模型因其簡單髙效的特點而廣泛應(yīng)用于分類問題。一依賴估測器(ODE)模型作為半監(jiān)督學(xué)習(xí)貝葉斯網(wǎng)絡(luò)模型中的經(jīng)典模型,受到研究人員的廣泛關(guān)注。現(xiàn)有
2021-03-17 15:05:10
12 shapelets集合,一般所獲得的shapelets只在平均意義上具有某種鑒別性;與此同時,普通模型往往忽略了待分類實例所具有的局部特征。為此,我們提出了一種依據(jù)待分類實例顯著局部特征的懶惰式分類模型。這種模型為每個待分類實例構(gòu)建各自的數(shù)據(jù)驅(qū)動的懶惰式 shapelets分類模型,
2021-03-31 10:50:03
6 多類分類問題的實際應(yīng)用中,在決策對象的認(rèn)識由粗粒度向細(xì)粒度轉(zhuǎn)化時,通過使用粒結(jié)構(gòu),提出種基于多類分類的序貫三攴決策模型。在此基礎(chǔ)上,使用該模型非増量的方法計算序貫三支決策的時間開銷較大,針對
2021-06-04 14:33:28
0 的關(guān)鍵。為了獲得妤的文本表示,提高文本分類性能,構(gòu)建了基于LSTM的表示學(xué)習(xí)-文本分類模型,其中表示學(xué)習(xí)模型利用語言模型為文本分類模型提供初始化的文本表示和網(wǎng)絡(luò)參數(shù)。文中主要采用對抗訓(xùn)練方法訓(xùn)練語言模型,即在詞向量
2021-06-15 16:17:17
18 基于注意力機(jī)制的新聞文本分類模型
2021-06-27 15:32:32
29 改進(jìn)VGG模型在蘋果外觀識別分類中的應(yīng)用
2021-07-02 14:52:56
30 前面給大家分別匯總了OpenCV中支持的圖像分類與對象檢測模型,視覺視覺任務(wù)除了分類與檢測還有很多其他任務(wù),這里我們就來OpenCV中支持的非分類與檢測的視覺模型匯總一下。
2022-08-19 09:10:03
886 NMOS管,其電路模型可分為大信號模型和小信號模型。
2022-10-14 13:04:13
5377 本系列文章將在 AI 愛克斯開發(fā)板上使用 OpenVINO 開發(fā)套件依次部署并測評 YOLOv8 的分類模型、目標(biāo)檢測模型、實例分割模型和人體姿態(tài)估計模型。
2023-05-05 11:47:53
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PyTorch教程4.3之基本分類模型.pdf》資料免費下載
2023-06-05 15:43:55
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