在講述的設計中，通過L1的波紋電流的振幅被選定為輸入電流的20%。在這種選擇下，電感可以根據下列等式(5) 計算∶

　　給出的電感差不多是1mH。當RMS電流等於RMS輸入電流時，L1的峰值電流是

　　在這個電流和5A/mm2的電流密度下，所需的銅線截面積約為0.58mm2。 由於高頻電流僅為輸入電流的20%，趨膚效應和鄰近效應不是很明確。三或四條細電線并聯總面積能夠達到所需面積就足夠了。在實際設計中，使用了三根直徑為0.5mm的電線，電流密度略低於5A/mm2。L1 的磁環尺寸根據被稱為磁環區域乘積Ap確定，即有效磁性截面積和繞組面積(骨架)的乘積。這個乘積很容易證明是

　　其中ACu是銅線面積，Bpeak 是飽和磁通密度(對於大多數鐵氧體，≤0.35T)。fCu是銅填充因子，對於簡單電感，約為0.5;對於含有幾個線圈的變壓器，約為0.4。確定這些數據後，L1的Ap需求值是

　　基於慣例，對大多數磁環，磁性截面積和繞組面積非常相近，需要的磁環面積為

　　因此，對於我們的應用，一個合適的磁環的Ae約為122mm2。雖然，要找到此磁截面的磁芯并不難，但電感的高度由於應用要求被限制在25mm。因此，經過一番對磁環和筒管規格說明書仔細搜索之後，選擇了EER3542，它的Ae為107mm2，AW為154mm2，得到AP約為16500mm4。

　　其中AL，0是無氣隙磁芯的AL(查磁芯規格書)，有氣隙的磁芯的AL是1mH/1242=65nH。如果後兩個值的單位是nH，Ae 的單位是mm2，那麼氣隙長度s 的單位是毫米。在這次設計中，氣隙長度約2 毫米。

　　3.3 Q1和D1

　　因為最高額定輸入電壓是265VRMS，Q1的最大漏極電壓為500V 似乎足夠了。但是建議使用一個額定電壓為600V的MOSFET，因為經驗顯示這個600V MOSFET，能夠承受浪涌測試，根據無損壞IEC61000-4-5標準，而500V類型則需要額外的浪涌電壓限制器。同樣，這對於Boost二極管也是有效的。這是因為電解質電容C5能夠吸收大量能量，保護一個600V 器件，而不是500V器件。Q1和D1的峰值電流和通過L1 的峰值電流是相同的，即4.5A，而Q1的RMS 電流為∶

　　D1的RMS 電流為∶

　　尤其對於MOSFET，低功耗和峰值電流是選擇某些器件的重要考慮因素。

　　經過一番計算，選擇了一個最大RDSon約為0.45Ω@100℃的SuperFetTM FCP16N60。Q1 的總功耗分成傳導功耗和開關功耗。傳導功耗如下∶

　　開關損耗進一步分為，由於源漏電容(加上寄生電容的，例如L1 和PCB)放電導致的功耗和由於開關過程中電流和電壓重疊帶來的功耗，以及D1反向恢復帶來的功耗。所有這三項都無法確切了解，但可以根據下面的表達式估計∶

　　FCP16N60的COSS,eff是110pF，而雜散電容Cext估計為150pF。50ns的交叉時間tcrossover 是一個合理的估計值，并且得到測量確認。二極管反向恢復導致的功耗預計為2W。最終，Q1 的總功耗是∶