功率損耗是開關(guān)器件性能評估的重要環(huán)節(jié),也是很多示波器付費選配的高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環(huán)境,對設(shè)備和探頭也投入不菲,但如果工程師忽略了探頭之間的時間偏移,測試結(jié)果很可能會隨之失去意義。
2017-12-01 16:00:17
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在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中,原本2,742μJ的開關(guān)損耗變?yōu)?,690μJ,損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2,039μJ降至1,462μJ,損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44
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MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索,那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:23
1504 MOS 管的開關(guān)損耗對MOS 管的選型和熱評估有著重要的作用,尤其是在高頻電路中,比如開關(guān)電源,逆變電路等。
2023-07-23 14:17:00
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的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),開關(guān)損耗測試對于器件評估非常關(guān)鍵,但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認(rèn)知上。電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的,開關(guān)
2024-01-20 17:08:06
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要提高開關(guān)電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面:開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn),下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
要提高開關(guān)電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面:開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)。
2021-03-11 06:04:00
開關(guān)電源的最大效率驗證和檢定
2019-03-11 13:42:40
3、開關(guān)動態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的,很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗,器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時間,也稱作死區(qū)時間,在這個過程中會產(chǎn)生
2021-12-29 07:52:21
事先知道損耗發(fā)生場所或部件的話,可有效且迅速地對應(yīng)。損耗雖然會在電路內(nèi)功耗的所有部分產(chǎn)生,不過主要損耗因素為I2R損耗、開關(guān)損耗及自我消耗電流損耗、遷移損耗、其他損耗。I2R損耗因內(nèi)置功率晶體管的導(dǎo)通電
2018-11-27 16:46:28
一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時所產(chǎn)生的功率損耗;關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析:(1)、非理想的開關(guān)管在開通時,開關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)組成的類型,也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比,開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中,Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
在BUCK型開關(guān)電源中,如果沒有損耗,那效率就是100%,但這是不可能的,BUCK型開關(guān)電源中主要的損耗是導(dǎo)通損耗和交流開關(guān)損耗,導(dǎo)通損耗主要是指MOS管導(dǎo)通后的損耗和肖特基二極管導(dǎo)通的損耗(是指完
2021-10-29 08:08:29
一般情況下使用CAD軟件測量出來的CAD圖紙尺寸只能查看,那如果想將測量的結(jié)果導(dǎo)出Excel表格,該如何操作呢?下面就讓小編以浩辰CAD看圖王電腦版為例來給大家分享一下將CAD圖紙中測量結(jié)果導(dǎo)出
2021-04-28 17:23:14
您好,我正在使用網(wǎng)絡(luò)分析儀(PNA-L N5230A 4端口)使用FOM選項80進(jìn)行一些頻率偏移測量。為了驗證測量校正,我首先測量混頻器的轉(zhuǎn)換損耗,遵循在線幫助(應(yīng)用 - >頻率偏移
2018-09-26 14:53:36
如圖片所示,為什么MOS管的開關(guān)損耗(開通和關(guān)斷過程中)的損耗是這樣算的,那個72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容,2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
-請問各位專家,我是個電源新手,剛開始接觸MOS管。現(xiàn)在又些問題,開關(guān)損耗主要是導(dǎo)通和關(guān)斷這兩個過程,其它損耗可忽略嗎?
2019-06-27 09:10:01
MOS管的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認(rèn)知上,PFCMOS管的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索,那么該如何量化評估呢
2018-11-09 11:43:12
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds,而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān),與MOS管的結(jié)電容,輸入電容,輸出電容都有關(guān)系吧?具體的關(guān)系是什么?有沒有具體計算開關(guān)損耗的公式?
2017-05-31 10:04:51
的損耗的簡單測量方法。 2 IGBT 參數(shù)的定義 廠商所提供的IGBT 開關(guān)參數(shù)通常是在純感性負(fù)載下測量的, 圖1 和圖2 分別是IR 公司和TOSHIBA公司測量開關(guān)時間的電路和定義開關(guān)時間
2018-10-12 17:07:13
trr快(可高速開關(guān))?trr特性沒有溫度依賴性?低VF(第二代SBD)下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比,大幅改善了反向恢復(fù)時間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
;utm_campaign=tekTop 2: 示波器測量電源開關(guān)損耗應(yīng)用寶典隨著人們需要改善功率效率,延長電池供電的設(shè)備的工作時間,其中一個關(guān)鍵因素是開關(guān)器件的損耗。本應(yīng)用指南將概括介紹這些測量
2016-03-10 16:38:38
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計算功率MOSFET開關(guān)損耗,并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子
2021-01-30 13:20:31
的電源產(chǎn)品中,我們需要了解功率器件的動態(tài)特性:1、器件在不同溫度的特性2、短路特性和短路關(guān)斷3、柵極驅(qū)動特性4、關(guān)斷時過電壓特性5、二極管回復(fù)特性6、開關(guān)損耗測試等那么面對這些特性我們?nèi)绾芜M(jìn)行有效測量
2020-02-14 11:16:06
對于同一個電源,使用不同的示波器測量紋波和噪聲值總是有些差異。甚至使用不同的探頭也會影響測量結(jié)果。是什么原因呢? 一、紋波和噪聲的區(qū)別 紋波 由于開關(guān)電源的開關(guān)管工作在高頻的開關(guān)狀態(tài),每一個開關(guān)
2016-09-13 15:48:38
需要測量電流的主要原因是什么?怎么測量電流的損耗?
2021-05-11 06:52:08
“迷惑”。 不同的測試設(shè)備都有典型的應(yīng)用場合和測量范圍,之所以會出現(xiàn)測量結(jié)果不一致的情況,往往和測試設(shè)備本身的參數(shù)特性有關(guān)系,其中很關(guān)鍵的一個指標(biāo)就是儀器的帶寬。帶寬不同的儀器,哪怕測試相同的信號,測試
2017-11-20 15:35:42
總共可以降低77%。這是前面提到的第一個優(yōu)勢。右圖是以PWM逆變器為例的損耗仿真,是開關(guān)頻率為5kHz和30kHz時開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的總體損耗。在與IGBT模塊的比較中,5kHz條件下總體損耗降低
2018-11-27 16:37:30
一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%,而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關(guān)器件的損耗,對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準(zhǔn)確測量開關(guān)損耗呢?一、開關(guān)損耗
2021-11-18 07:00:00
“軟開關(guān)”是與“硬開關(guān)”相對應(yīng)的。硬開關(guān)是指在功率開關(guān)的開通和關(guān)斷過程中,電壓和電流的變化比較大,產(chǎn)生開關(guān)損耗和噪聲也較大,開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的提高而增加,導(dǎo)致電路效率下降;開關(guān)噪聲給電路帶來嚴(yán)重
2019-08-27 07:00:00
公式計算:同樣,關(guān)斷損耗的米勒平臺時間在關(guān)斷損耗中占主導(dǎo)地位。對于兩個不同的MOSFET,如A管和B管,即使A管的Qg和Ciss小于B管的,但如果A管的Crss比B管的大得多時,A管的開關(guān)損耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
的開通過程中,跨越線性區(qū)是產(chǎn)生開關(guān)損耗的最根本的原因。這表明:米勒平臺時間在開通損耗中占主導(dǎo)地位,這也是為什么在選擇功率MOSFET的時候,如果關(guān)注開關(guān)損耗,那么就應(yīng)該關(guān)注Crss或QGD,而不僅僅是
2017-02-24 15:05:54
和E5071C矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀;各方法差分插入損耗測試結(jié)果如表2所示。 4結(jié)語 本文主要介紹了目前業(yè)界使用的幾種PCB傳輸線信號損耗測量方法。由于采用的測試方法不同,測得插入損耗值也不一樣,測試結(jié)果不能直接做橫向?qū)Ρ龋虼藨?yīng)根據(jù)各種技術(shù)方法的優(yōu)勢和限制,并且結(jié)合自身的需求選擇合適的信號損耗測試技術(shù)。
2018-09-17 17:32:53
周期時間的測量 開關(guān)周期時間Tperiod(uS) 11.6762 開關(guān)管的開關(guān)損耗Pswitch(W) 0.327087666 開關(guān)管的導(dǎo)通損耗Pon-resistance(W) 0.477385448 開關(guān)管的總功耗Ploss(W) 0.804473114
2011-06-10 10:19:20
算法,可根據(jù)負(fù)載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量,與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比,在增加開關(guān)頻率的同時減小了開關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開關(guān)損耗。
2019-10-18 08:34:17
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗?Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對開關(guān)過程有什么影響?
2021-04-07 06:01:07
算法,可根據(jù)負(fù)載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量,與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比,在增加開關(guān)頻率的同時減小了開關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開關(guān)損耗。
2019-10-12 07:36:22
電源工程師知道,整個電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗,因為這兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動損耗不同,因為它很直觀,所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天,我們將詳細(xì)分析
2021-10-29 08:43:49
開關(guān)損耗,可以使用高分辨率示波器,一定要校正電壓探頭和電流探頭時延。使用濾波和平均功能,在設(shè)定的時間周期內(nèi)獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。 2. 如果想在示波器上測量開關(guān)損耗,可以把電壓乘以電流,取啟動或關(guān)閉期間
2016-01-12 11:08:55
探頭和電流探頭之間的時間偏差6消除探頭零偏和噪聲7電源測量中記錄長度的作用8識別真正的Ton 與Toff 轉(zhuǎn)換8有源器件測量:開關(guān)
2008-07-08 17:51:58
電壓轉(zhuǎn)換速率上測量電流也可以幫助您最大限度地減少串?dāng)_,改善精度。 如需了解開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗測試要點,請參閱本系列博文中的第6篇博文。 文章來源:日圖科技 微信:Ritu-17微博:日圖科技Ritu
2016-08-31 15:36:31
時MOSFETs、IGBTs和磁性器件的損耗。由于大多數(shù)磁性器件采用定制設(shè)計,如開關(guān)器件,因此最好在工作狀態(tài)下測試磁性器件。這一步可以正確分析其特性。 在測量開關(guān)損耗時,我們推薦使用MS05000B
2016-09-02 14:39:38
損耗通過等式2表示:在等式3中加上總開關(guān)損耗的結(jié)果:注意,在圖1中,t2比第三個時段(t3)短得多。因此,在這些等式中,你可以估算在t3時段中的損耗。在一個時段這些有限的過渡時間會出現(xiàn)兩次:MOSFET
2018-08-30 15:47:38
偏振相關(guān)損耗(PDL)的測量對測量系統(tǒng)中的擾動極其敏感,這些擾動包括光源的不 穩(wěn)定性,連接器的反射,甚至是測試光纖的布局。如果測試裝置布置不合理,即使采用高精度的測量設(shè)備也可能會出現(xiàn)較大的測量
2018-02-27 10:17:47
是為密勒電容(CGD)充電。在米勒時刻期間,漏極電流在IOUT端是恒定的,而VDS從VIN開始下降。在這段時間內(nèi)的功率損耗通過等式2表示:在等式3中加上總開關(guān)損耗的結(jié)果:注意,在圖1中,t2比第三個時段
2018-06-05 09:39:43
今天開始看電源界神作《開關(guān)電源設(shè)計》(第3版),發(fā)現(xiàn)第9頁有個名詞,叫“交流開關(guān)損耗”,不明白是什么意思,有沒有哪位大蝦知道它的意思啊?謝謝了!!
2013-05-28 16:29:18
詳細(xì)查考的事項,但如果從柵極驅(qū)動電路中消除了LSOURCE的影響,則根據(jù)Figure 4中說明的原理,開關(guān)速度將變快。關(guān)于關(guān)斷,雖然不像導(dǎo)通那樣區(qū)別顯著,但速度同樣也會變快。-這就意味著開關(guān)損耗得到
2020-07-01 13:52:06
產(chǎn)生效果相反的兩種反饋電壓,分別控制 MOSFET 柵源電壓的上升和下降時間,因此降低功率回路中的 di/dt。然而,這樣通常會增加開關(guān)損耗,因此并非理想方法 [8],[9]。功率級寄生電容公式 1
2020-11-03 07:54:52
圖1:開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)周期開始時,驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分,您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段(圖
2022-11-16 08:00:15
MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動電阻等因素影響,在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的,
2009-04-08 15:21:32
32 根據(jù)開關(guān)器件的物理模型,分析了開關(guān)器件在Boost 電路中的損耗,并計算了Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗,給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對一臺3kW的Boost 型PFC 整流電源進(jìn)
2009-10-17 11:06:06
71 目錄引言 3電源設(shè)計問題指向測量需求 3開關(guān)式電源基礎(chǔ)知識 3-4有源元件測量:開關(guān)單元 4-11開關(guān)式設(shè)備中的功率損耗原理 4關(guān)閉損耗 
2010-06-30 09:31:05
51 摘要:LVDS解串器的偏移容限用來表示其抖動容限。本應(yīng)用筆記描述了限制偏移容限的條件,并給出了測量4通道解串器偏移容限的步驟。
介紹TLVDS解串器的偏移
2009-05-02 10:43:19
712 
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗,并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:59
3320 根據(jù)MOSFET的簡化模型,分析了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,通過典型的修正系數(shù),修正了簡化模型的極間電容。通過開關(guān)磁鐵電源的實例計算了工況下MOSFET的功率損耗,計算結(jié)果表明該電源中
2011-11-14 16:46:22
112 MOSFET才導(dǎo)通,因此同步MOSFET是0電壓導(dǎo)通ZVS,而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS,因此同步MOSFET在整個開關(guān)周期是0電壓的開關(guān)ZVS,開關(guān)損耗非常小,幾乎可以忽略不計,所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗,選取時只需要考慮RDS(ON)而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:23
59180 
探頭偏移,實現(xiàn)最大精度。為保證新興SMPS 設(shè)計的可靠性、穩(wěn)定性、性能和一致性,設(shè)計工程師必須執(zhí)行許多復(fù)雜的電源測量。帶有DPOxPWR電源分析應(yīng)用模塊明顯簡化了電源分析工作,自動電源測量,如諧波、電源質(zhì)量、開關(guān)損耗、安全工作區(qū)、轉(zhuǎn)換速率、調(diào)制和紋波,保證了快
2015-05-26 14:38:17
573 隨著人們需要改善功率效率,延長電池供電的設(shè)備的工作時間,分析功率損耗及優(yōu)化電源效率的能力比以前變得更加關(guān)鍵。效率中一個關(guān)鍵因素是開關(guān)器件的損耗。本應(yīng)用指南將概括介紹這些測量,以及使用示波器和探頭進(jìn)行
2015-10-27 16:31:33
1288 為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題,通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖,定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來源,進(jìn)而為緩啟動電路設(shè)計優(yōu)化,減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:05
38 FPGA平臺實現(xiàn)最小開關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:11
10 基于DSP的最小開關(guān)損耗SVPWM算法實現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:49
7 使用示波器測量電源開關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:38
0 偏移量測量時應(yīng)該注意許多
2016-12-29 20:58:21
0 MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動電阻等因素影響,在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的,比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實驗數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對IGBT開關(guān)損耗測量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:52
21 MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索,那么該如何量化評估呢?
2017-11-10 08:56:42
6345 1、CCM 模式開關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:57
8162 
合和測量范圍,之所以會出現(xiàn)測量結(jié)果不一致的情況,往往和測試設(shè)備本身的參數(shù)特性有關(guān)系,其中很關(guān)鍵的一個指標(biāo)就是儀器的帶寬。帶寬不同的儀器,哪怕測試相同的信號,測試結(jié)果往往也都不同。 首先我們來看看儀器測量帶寬是
2018-01-17 09:52:00
2097 
和交變損耗建模。其次,對軟磁復(fù)合材料和無取向電工鋼片進(jìn)行模型參數(shù)辨識,并比較兩種材料的損耗特性和模型參數(shù)。最后,利用三維磁特性測量裝置進(jìn)行多種勵磁模式下的損耗測量,并對比實驗結(jié)果與模型預(yù)測值。結(jié)果表明,在旋轉(zhuǎn)復(fù)
2018-02-06 15:18:33
0 變壓器出廠實驗需要測量其空載勵磁特性、空載損耗和負(fù)載損耗。空載損耗主要是鐵損耗,測量空載損耗時往往要施加一個容量較大的工頻電源。為了減小實驗電源容量,使測量設(shè)備便攜化,提出一種采用低頻電源代替
2018-02-07 13:59:42
1 高壓開關(guān)的介紹和作用高壓開關(guān)分、合閘時間及同期性是用于測量高壓斷路器的機(jī)械性能,是變壓器與用電設(shè)備的橋接裝置,在整個回路中起到開斷和關(guān)合的重要作用,測量高壓開關(guān)其性能的好壞也是影響系統(tǒng)安全的重要因素
2018-08-13 15:15:20
903 一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%,而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關(guān)器件的損耗,對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準(zhǔn)確測量開關(guān)損耗呢?
2019-06-26 15:49:45
721 一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%,而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關(guān)器件的損耗,對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準(zhǔn)確測量開關(guān)損耗呢?
2019-06-27 10:22:08
1926 一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%,而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關(guān)器件的損耗,對于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 16:54:53
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同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開關(guān)(高邊+低邊)是對VIN和GND電壓進(jìn)行切換(ON/OFF),該過渡時間的功率乘以開關(guān)頻率后的值即開關(guān)損耗。
2020-04-06 10:51:00
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功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:02
48 根據(jù)開關(guān)器件的物理模型 ,分析了開關(guān)器件在 Boost 電路中的損耗 ,并計算了 Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗 ,給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對一臺 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計。
2021-05-11 11:01:25
12 一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時所產(chǎn)生的功率損耗;關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析:(1)、非理想的開關(guān)管在開通時,開關(guān)
2021-10-22 10:51:06
11 電源工程師知道,整個電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗,因為這兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動損耗不同,因為它很直觀,所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天,我們將詳細(xì)分析
2021-10-22 17:35:59
53 歡迎回到直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統(tǒng)效率方面的內(nèi)容,在本文中,我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗,從第1部分中的圖3(此處為圖1)開始:VDS和ID曲線隨時間變化
2022-01-21 17:01:12
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,熱損耗極低。 開關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關(guān)器件的損耗可以說是開關(guān)電源中最為重要的一個損耗點,課件開關(guān)損耗測試是至關(guān)重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關(guān)損耗測試方案中的探頭應(yīng)用進(jìn)行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:57
1095 功率損耗是開關(guān)器件性能評估的重要環(huán)節(jié),也是工程師在選配時重點關(guān)注的一項高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環(huán)境,對設(shè)備和探頭也投入不菲,但如果工程師忽略了探頭之間的時間偏移,測試結(jié)果很可能
2021-12-15 15:22:40
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3、開關(guān)動態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的,很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗,器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時間,也稱作死區(qū)時間,在這個過程中會產(chǎn)生
2022-01-07 11:10:27
0 開關(guān)過程中,穿越線性區(qū)(放大區(qū))時,電流和電壓產(chǎn)生交疊,形成開關(guān)損耗。其中,米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺時間,在開關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:00
978 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關(guān)損耗、2)開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:22
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MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,但不同的應(yīng)用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來,發(fā)現(xiàn)有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18
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從某個外企的功率放大器的測試數(shù)據(jù)上獲得一個具體的感受:導(dǎo)通損耗60W開關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子:可知,六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:49
15 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗:見文識意,開關(guān)損耗就是開關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49
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全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28
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晶體管開關(guān)時間的測量可以通過使用一個時間計數(shù)器來實現(xiàn),可以通過設(shè)置一個起始時間和一個結(jié)束時間,然后計算兩者之間的時間差來測量晶體管的開關(guān)時間。
2023-02-24 16:20:25
2909 MOSFET的柵極電荷(米勒電容)以及控制IC的驅(qū)動能力。本應(yīng)用筆記將詳細(xì)分析導(dǎo)通開關(guān)損耗以及選擇開關(guān)P溝道MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-03-10 09:26:35
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CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:22
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使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34
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使用電壓探頭和電流探頭等不同類型的示波器探頭進(jìn)行測量時,對探頭進(jìn)行偏移校正是十分必要的。 圖1 Keysight U1880A 偏移校正夾具 偏移校正十分重要,因為對于開關(guān)損耗測量,晶體管開關(guān)打開
2024-02-04 11:31:30
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