英飛凌科技股份公司近日宣布推出滿足汽車行業的動力總成和安全應用的各種要求的全新32位多核單片機系列。
2012-05-22 09:33:13
4243 英飛凌科技推出用于商業航空電子設備和雷達系統的脈沖應用和其他類型工業放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統設計
2012-07-15 01:23:461266 Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出全新電源轉換控制器系列及其首個功率MOSFET器件系列。
2012-11-19 17:28:111073 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211206 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導體。具體產品是有超結（Super Junction）構造的功率MOSFET“CoolMOS系列產品”，由奧地利菲拉赫工廠生產。
2013-02-25 08:53:001733 本文提供了來自英飛凌的兩個文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin這個單個模板中文件中包含了286個模型。
2023-12-06 11:32:46505 
本應用筆記介紹了通過利用英飛凌OptiMOS?3解決方案的優化表幫助選擇最佳MOSFET的方法。
2011-12-06 11:33:287366 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰，來實現系統創新和組件水平的改進。源極底置是符合行業標準的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批
2020-02-18 17:50:081494 英飛凌科技股份公司成功開發出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關應用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產品可帶來領先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:001360 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯作業進行了優化。
2020-11-04 11:20:371482 【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431205 
單元（ECU）市場預計將在未來幾年持續增長。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）針對這一發展趨勢，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封裝的新半導體產品
2023-10-13 13:57:361133 
：IFNNY）順應系統層面的發展趨勢，推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率
2023-12-12 18:04:37494 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181485 
）。后者采用.XT互連技術，具有與同類產品相比 更加出色的熱性能 ，并且采用了 開爾文源極概念。 這些MOSFET憑借其優勢確保了極低的開關損耗，提高了系統效率。唯樣商城現貨速發，喜歡盡快下單吧
2022-08-09 15:17:41
。比如英飛凌的OptiMOS功率MOSFET, a可以取值0.4。7. 跨導跨導反映了漏極電流Id對于Vgs變異的敏感程度。9. 寄生電容MOSFET的寄生電容由三類，它們分別是門極源極電容，門極漏極電容
2018-07-12 11:34:11
的MOSFET設計，就無法做到這一點。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補償技術的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統
2018-12-07 10:21:41
MOSFET的耐壓、電流特性和熱阻特性，來理解功率MOSFET的安全工作區SOA曲線。它定義了最大的漏源極電壓值、漏極電流值，以保證器件在正向偏置時安全的工作，如下圖，SOA曲線左上方的邊界斜線，受漏源極
2016-10-31 13:39:12
，和推薦的印制電路板(PCB)占用面積。在為應用選擇合適的器件時，首先從最大額定值表開始考慮。最大額定值表中指定了最大漏源電壓和柵源電壓。這是在決定一個功率MOSFET是否適用于設計時首先要看的地方。例如，智能手機
2018-10-18 09:13:03
大部分功率 MOSFET 都是增強型的。（可能因為實際的制作工藝無法達到理論要求吧，看來理論總是跟實際有差距的，哈哈）MOSFET 是電壓控制型器件，三極管是電流控制型器件，這里說的優缺點當然是要跟
2019-11-17 08:00:00
MOSFET內部的柵極電阻，RG=RUp+RG1+RG2為G極串聯的總驅動電阻。圖1：功率MOSFET驅動等效電路實際的應用中功率MOSFET所接的負載大多為感性負載，感性負載等效為電流源，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
有關，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態電阻。功率MOSFET的開通和關斷過程原理（1）：開通和關斷過程實驗電路（2）：MOSFET 的電壓和電流波形（3
2021-09-05 07:00:00
理想MOSFET 來等效。三個結電容均與結電壓的大小有關，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態電阻。七、功率MOSFET的開通和關斷過程原理1）開通
2021-08-29 18:34:54
功率MOSFET的結構特點為什么要在柵極和源極之間并聯一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
`功率Mosfet參數介紹V(BR)DSS（有時候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
功率二極管、晶閘管、mosfet、IGBT和功率IC的區別和應用
2019-10-24 09:19:22
防止場效應管(MOSFET)接電感負載時，在截止瞬間產生感應電壓與電源電壓之和擊穿場效應管(MOSFET)，一般功率場效應管 (MOSFET)在漏極與源極之間內接一個快速恢復二極管，如圖8所示
2011-12-19 16:52:35
程師的這些要求。英飛凌幾年前開發的OptiMOS?3技術相對于現有的其他MOSFET技術，可使通態電阻RDS(on) 大幅降低60%。另外還可大幅降低CGS （柵極至源極）和 CGD （柵極至漏極）電容
2018-12-06 09:46:29
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現改變了這一
2019-07-08 08:28:02
Architect工具可對變壓器、功率MOSFET、功率二極管、傳輸電纜等進行定制建模，而且建模信息主要利用器件手冊和器件實驗數據；因而定制設計的器件模型較為精確，較為真實反映器件的真實性能。 該課程主要
2017-04-12 20:43:49
應用角度來看，驅動回路和功率回路共用了源極的管腳。MOSFET是一個電壓型控制的開關器件，其開通關斷行為由施加在柵極和源極之間的電壓（通常稱之為VGS）來決定。 從圖1模型來看，有幾個參數是我們需要
2023-02-27 16:14:19
<br/> 功率MOSFET與雙極型功率相比具有如下特點：<br/> 1．MOSFET是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅動
2010-08-12 13:58:43
/DC開關電源的設計開發。2009年加入英飛凌科技（中國）有限公司。任系統應用工程師，負責英飛凌功率半導體器件的應用和方案推廣。演講內容介紹：英飛凌新的OptiMOS產品為MOSFET分離器件設立了一個
2012-07-13 10:50:22
各位大神，可否用IR2113 驅動共源集MOSfet ,且mosfet關斷時，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
轉換器拓撲圖，其中Cgs、Cgd和 Cds分別為開關管MOSFET的柵源極、柵漏極和漏源極的雜散電容，Lp、Lkp、Lks和Cp分別為變壓器的初級電感、初級電感的漏感、次級電感的漏感和原邊線圈的雜散
2018-10-10 20:44:59
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測試，調門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
大量回收IGBT模塊 新舊收購IGBT模塊 全新IGBT模塊回收 長期高價收購個人和廠家積壓或過剩庫存的電子料,收購三極管,回收貼片三極管,可控硅,場效應管,寧波收購IGBT模塊 長期回收二手
2022-01-01 19:06:43
大部分功率 MOSFET 都是增強型的。（可能因為實際的制作工藝無法達到理論要求吧，看來理論總是跟實際有差距的，哈哈）MOSFET 是電壓控制型器件，三極管是電流控制型器件，這里說的優缺點當然是要跟
2019-11-17 08:00:00
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關超結MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
康華光主編的模電中講到N型的增強型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
能/風力發電產生的電源轉換至能夠與電力系統並聯的電源，能夠讓這些新式發電裝置發揮更佳的效能。此處所指之高頻切換電源轉換技術，乃是利用半導體功率元件以「高頻切換方式」，結合各式能量轉換元件，如變壓器、儲
2018-12-05 09:46:52
的產生機理 由功率MOSFET的等效電路可知，3個極間均存在結電容，柵極輸入端相當于一個容性網絡，驅動電路存在著分布電感和驅動電阻，此時的橋式逆變電路如圖1所示。以上管開通過程為例，當下管V2已經完全
2018-08-27 16:00:08
電流值。AON6590(40V，0.99mΩ)電流連續漏極電流ID脈沖漏極電流IDM連續漏極電流IDSM雪崩電流IAS 1 連續漏極電流ID連續漏極電流在功率MOSFET的數據表中標示為電流ID，對于
2016-08-15 14:31:59
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
達100A的電流處理能力等特性，使該系列產品在40至80V電壓等級的低電阻MOSFET應用方面樹立了全新的標準。OptiMOS 3產品用于要求高效率和高功率密度的功率轉換和電源管理系統，應用范圍廣泛
2018-12-07 10:23:12
供電，其中輸入電壓V在直接來自總線電壓。這可能會有很大的電壓變化，包括由于應用環境而導致的高壓尖峰。耗盡型MOSFET可用于在線性穩壓器電路中實現浪涌保護，如圖5所示。MOSFET 以源極跟隨器配置連接
2023-02-21 15:46:31
Figure 4 是具有驅動器源極引腳的 MOSFET 的驅動電路示例。它與以往驅動電路（Figure 2）之間的區別只在于驅動電路的返回線是連接到驅動器源極引腳這點。從電路圖中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢，可降低設
2009-06-23 21:17:44594 Diodes推出為VoIP應用優化的全新MOSFET
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復雜性
2009-12-03 09:50:37764 英飛凌推出適用于節能家電的創新功率轉換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列（RC指
2010-01-25 08:44:19758 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統
2010-01-26 09:22:57827 英飛凌推出性能領先業界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產品陣
2010年1月21日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近
2010-01-26 09:25:271053 英飛凌推出全新XMM2138平臺支持不斷增長的雙卡手機市場
英飛凌科技股份公司近日推出支持雙卡手機操作的全新 XMM2138平臺。雙卡手機可在一部手機中同時使用兩個SIM（
2010-02-26 11:16:24590 英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示
2010-03-01 11:20:47731 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協議
全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51571 用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411162 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅動應用、電動助力轉向（EPS）系統和汽車啟停系統的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22557 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16692 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41648 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 英飛凌科技今日推出全新的XMC4000 32位單片機產品家族，它們選用ARM?的Cortex?-M4處理器。英飛凌利用自身在開發針對應用而優化的外設，并具備出色的實時功能的單片機方面的30多年的豐
2012-02-22 09:22:591285 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業界首創整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品，進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:381390 2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產品家族，它們是采用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片，可提高牽引和工業傳動等高性能設備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516 
近日英飛凌擬收購ST半導體的消息受到廣泛關注，作為全球功率器件老大，英飛凌日前發布的財報顯示強勁的增長，在全球MOSFET供應吃緊，價格飆漲的形勢下，英飛凌稱部分MOSFET產品交貨時間超過26周，最長達52周。
2018-08-06 11:25:414299 英飛凌革命性OptiMOS產品的P溝道功率MOSFET之一，在導通電阻的開關系統設計中，能經受極高的質量考驗以滿足高性能的需求；加入增強模式，可根據不同應用場景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513180 
SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎上進一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 在上篇文章中，介紹了功率MOSFET的基本參數Rds（on）、VBR（DSS）、Qgs、和Vgs。為了更深入的理解功率MOSFET的其它一些參數，本文仍然選用英飛凌公司的功率MOSFET為例，型號為
2020-07-14 11:34:072750 什么樣的MOSFET才適合儲能系統？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產品系列，幫助儲能系統輕松實現更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251014 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設計理念， 具有更低的導通電阻和同類產品中更佳的優值系數 （FOM）。
2021-12-03 10:50:381073 英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列，旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。
2022-03-14 17:39:161650 
英飛凌的總體戰略是將當今的每一項尖端硅技術與寬帶對應技術相結合。基于市場上已經推出的 CoolSiC? 技術，英飛凌推出了全新的 CoolGaN? 解決方案，這些解決方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:11795 
OptiMOS 已經成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053319 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優化電源設計
2022-12-29 10:02:53785 
未來電力電子系統的設計將持續推進，以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758 英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 的 OptiMOS MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。它配有一個M1連接器，用于連接iMOTION模塊化應用設計套件(MADK)控制板EVAL-M1-101T。
2023-11-17 17:08:41534 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 
英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125 在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統和能量轉換領域邁入了新的發展階段。
2024-03-12 09:53:5297 英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45209 
英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29126 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36131
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