規范的產品通常由硅制成，并作為推挽式應用系統的一部分運行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學水平上工作的機制可能有些復雜，但總的來說，它們用一系列極化離子引導和引導電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極
管，mos
管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點?。。?/div>
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y構
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
。需要說明的是，晶體管有很多種類型，每種類型又分為N型和P型，下面圖中的電路符號就是一個N型晶體管。 晶體管電路有導通和截止兩種狀態，這兩種狀態就可以作為“二進制”的基礎。從模電角度來說晶體管還有
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
雙極性晶體管是利用兩種離子導電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統，其整體上是呈現電中性的，當其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
我有臺晶體管測試儀：WQ4832，但是剛買的二手機，不會用，不知道有沒有高手能指導指導？
2011-10-21 08:57:17
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶體管應用電路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型低通濾波器，帶隙型穩壓電路，三角波→正弦波變換器，低失真系數振蕩器，移相器，串聯調節器，斬波放大器等。
2018-01-15 12:46:03
的設計，運算放大電路的設計與制作。下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。本書面向實際需要，理論聯系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識。1．1 學習晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
無量綱的比例系數。hfe稱為輸出端交流短路時的電流放大系數，簡稱電流放大系數。它反映基極電流IB對集電極電流IC的控制能力，即晶體管的電流放大能力，是一個無量綱的數，習慣上用β表示。 hoe稱為輸入端
2021-05-13 07:56:25
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數變化不超出規定允許值時的最大集電極耗散功率。使用晶體管時，實際功耗不允許超過PCM，通常還應留有較大余量，因為功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶體管的分類 Si晶體管的分類根據不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發
2018-11-28 14:29:28
是自來水的閥門，發射極是配管，集電極是水龍頭。用自來水的構造來舉例說明晶體管的作用。把晶體管的3個引腳-基極、集電極和發射極分別視作自來水的閥門、水龍頭和配管。通過微小之力（即基極的輸入信號）來控制
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關有很多優點，主要是；(1)容易關斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
是自來水的閥門，發射極是配管，集電極是水龍頭。用自來水的構造來舉例說明晶體管的作用。把晶體管的3個引腳-基極、集電極和發射極分別視作自來水的閥門、水龍頭和配管。通過微小之力（即基極的輸入信號）來控制
2019-05-05 00:52:40
）用業收集電子。晶體管的發射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當
2013-08-17 14:24:32
圖像中放、伴音中放、緩沖放大等）電路中使用的高頻晶體管，可以選用特征頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 22:11 編輯
眾所周知，一個普通的雙極型晶體管有二個PN結、三種工作狀態（截止、飽和、放大）和四種運用接法（共基、共發、共集和倒置
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區（發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
儀器僅對NPN 型晶體管進行測試，若要測試PNP 型管，需將電路內的晶體管改型，3DG 改為3CG ， 3CG 改為3DG ， VD1 應反接，電源正、負極互換(振蕩電路極性不變)。電路中， NE555
2008-07-25 13:34:04
晶體管ILD0912M150HV功率晶體管ILD0912M15HV功率晶體管ILD0912M400HV功率晶體管ILD0912M60功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產臺聯系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:07:29
）的三層結構的Field-Effect Transistor（場效應晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
場效應晶體管（包括N型管和P型管）和耗盡型場效應晶體管（包括N型管和P型管）電路符號就很接近了，二者的差別是符號中有一個是用虛線表示的，一個是用實線表示的。虛線表示的是增強型場效應晶體管，實線表示的是耗盡型場效應晶體管。`
2019-04-15 12:04:44
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
。晶體管NPN型和PNP型結晶體管工作狀態晶體管的工作原理類似于電子開關。它可以打開和關閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經第二個通道的較小電流的強度來控制通過一個通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
兩個N型半導體和一個P型半導體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
PNP雙極型晶體管的設計
2012-08-20 08:29:56
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結型晶體管 雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結結
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型低通濾波器，帶隙型穩壓電路，三角波→正弦波變換器，低失真系數振蕩器，移相器，串聯調節器，斬波放大器等。 點擊鏈接進入舊版 ：晶體管電路設計與制作
2020-08-19 18:24:17
管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種晶體管應用電路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型
2021-01-05 22:38:36
放大電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計》(上)面向實際需要，理論聯系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識
2017-07-25 15:29:55
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區域內，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術）嚴格來說，晶體管是指基于半導體材料的所有單一元件，包括由各種半導體材料
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
兩種比光敏二極管產生更高輸出電流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶體管和光敏集成電路。后一個術語指的是基本上是一個光電二極管和放大器集成到同一封裝。什么是光電晶體管？光電二極管可以產生光電流，因為它的結
2022-04-21 18:05:28
的微小變化非常敏感。由于這個原因，達林頓通常用于觸摸和光傳感器。光電達林頓專為光敏電路而設計?！ ≥敵鰝韧ǔＪ歉吖β省⒌驮鲆娴?。使用非常高功率的晶體管，它可以控制電機，電源逆變器和其他大電流設備。中等
2023-02-16 18:19:11
有PN結型、PIN結型、雪崩型以及肖特基結型4種，其中應用較多的是用硅材料制成的PN結型光敏二極管。光敏二極管主要用于自動控制。如光耦合、光電讀出裝置、紅外線遙控裝置、紅外防盜、路燈的自動控制、過程
2023-02-09 15:52:45
本文將重點討論使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩定電流源。穩定電流源(BJT)目標本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產生穩定（對輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”，但是適度的輸出電流和相對于其發射極（E）的基極（B）的負電壓將使其“打開”，從而允許大的發射極-集電極電流流動。我可以用NPN代替PNP嗎？如果您還記得一個簡單
2023-02-03 09:45:56
單極型晶體管也稱場效應管，簡稱FET（FieldEffectTransistor）。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產生的電場效應來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子（多數載流子）參與
2020-06-24 16:00:16
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
單結晶體管有一個PN結和三個電極，一個發射極和兩個基極，所以又稱雙基極二極管。其結構、等效電路及電路符號如下圖所示。a、單結晶體管的結構；b、等效電路；c、電路符號它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導通，則該多發射極晶體管集電極輸出導通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
。場效應晶體管有時被稱為單極性晶體管，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管（bipolar juncTIon transistors，縮寫：BJT）。盡管由于半導體材料的限制，以及曾經雙極性晶體管比
2019-05-08 09:26:37
音頻放大器的差分輸入電路及調制、較大、阻抗變換、穩流、限流、自動保護等電路，可選用結型場效應晶體管。音頻功率放大、開關電源、逆變器、電源轉換器、鎮流器、充電器、電動機驅動、繼電器驅動等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管
2018-11-05 17:16:04
）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數國產管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
，導致流過晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下，晶體管被關閉?！ 〗財鄥^域特征如下所示： 圖3.截斷區域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類似于單刀單擲固態開關
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
黑色，則晶體管為NPN型;如果固定測試引線是紅色引線，則管子是PNP型晶體管?！ ∽⒁猓烘N管用R×100測量，硅管用R×1k測量。 ○ 確定發射器和集電極 使用萬用表測量除基極電極外兩極的電阻。更換
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
0.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極管在發射極和基極之間只有0.2～0.3V的電壓，晶體管就開始工作。常用型號有：3AX系列的鍺低頻管、3AG系列的鍺高頻管、3AK系列的鍺開關管、3
2018-01-18 10:07:56
晶體管使用的電流的最大值解說DTA/C系列為例，構成數字晶體管的個別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數字晶體管。此數字晶體管流過IC=100mA
2019-04-09 21:49:36
DTA/C系列為例，構成數字晶體管的個別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數字晶體管。此數字晶體管流過IC=100mA時，基極電流IB需要相對
2019-04-22 05:39:52
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
的選擇和比較進行了分析?？紤]了晶體管參數，如與時間相關的輸出有效電容（Co（tr））和關斷能量（Eoff）等，這會影響LLC轉換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
求51單片機 STC89c526個晶體管問題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，以此類推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
J1 12V輸入，J2 CAMERA 的IR-CUT切換信號反饋輸出 ；CSD1光敏電阻，我的問題是Q3這個晶體管的作用是什么？
2019-03-13 10:41:39
2000一5000（α＝0.995-0.9998）?！ ∈且訮型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結隔離槽的集成電路才能制作這種結構的管子。由于這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數據庫以外,更多更多晶體管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
控制電路。有了前面的這些基礎，下面再加入一個新的電路需求，用晶體管實現過流保護電路。感興趣的同學可以先不要往下看，自己在腦海中想一想，看看有沒有火花迸出來。圖2一個PNP、NPN控制負載圖3《電子學
2016-06-03 18:29:59
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
時，RC阻尼電路能夠一直晶體管集電極和發射極間出現的浪涌電壓。 3、充放電型RCD阻尼電路 圖三 圖三適用于帶有較窄反向偏置安全工作區的器件浪涌電壓一致。當晶體管關斷時，電容C通過二極管被充電
2020-11-26 17:26:39
3DD15三極管參數,3DD15A,3DD15B,3DD15C,3DD15D,3DD15E,3DD15F 關鍵字： 3DD15,三極管參數 ? ? 3DD15三極管參數表 ?
2018-09-20 19:58:15
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