JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:50
3509 受惠于人工智慧及云端運(yùn)算對(duì)高效能運(yùn)算的強(qiáng)勁需求，2018年伺服器出貨量可望創(chuàng)下新高，也帶動(dòng)伺服器DRAM強(qiáng)勁需求，但以目前三大DRAM廠產(chǎn)能布建情況來看，主流的伺服器DDR4明年將缺貨一整
2017-12-25 08:56:387745 
和?x16 配置中均可提供高達(dá)?2133Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，并可與1.5V DDR3實(shí)現(xiàn)100%兼容。目前，華邦的?DRAM 產(chǎn)品布局包括1Gb-4Gb DDR3、128Mb-2Gb DDR
2022-04-20 16:04:032554 
SDRAM可以用于程序和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。DDR3特征：1)支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的JESD79-3C的設(shè)備2)33位的地址，使得其擁有8G的地址訪問空間3)支持16/32/64位數(shù)據(jù)總線寬度4)CAS延遲
2018-01-18 22:04:33
大家好，為了能夠leveling成功，DDR3的布線約束需要規(guī)定到每一片DRAM的CLK長度與DQS長度差值不能超過一定范圍。但是根據(jù)6678或者6670開發(fā)板，其中關(guān)于DQS和CLK長度差的布線
2019-01-02 15:21:58
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
DDR2 DDR3 dimm接口封裝文件，金手指接口
2017-12-03 22:22:02
嗨，我是FPGA領(lǐng)域的新手。現(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是，在我的情況下，我不必
2019-05-05 15:29:38
GDDR3那就是真的錯(cuò)誤的用法了，因?yàn)檎嬲?b class="flag-6" style="color: red">DDR3顯存已經(jīng)在現(xiàn)在的主流顯卡上正式使用了，具體是那款，答案你一會(huì)就會(huì)看見的。今天我來說明一下這兩種規(guī)格的不同吧。如果有不對(duì)的地方請指正，也希望能夠和大家交流交流
2011-02-23 15:27:51
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-03-12 16:05:56
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 22:58:49
概述: JS-9300A內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:55:45
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
通過DDR3內(nèi)存名MT41J128M16-16Meg*16*8Banks通過命名怎樣算出內(nèi)存的大小？
2017-06-15 21:19:11
HI，我的FPGA是Kintex-7的XC7K410T-2FFG900。我的DDR3是2Gb，由128Mb * 16組成。 DDR3數(shù)據(jù)速率為1600Mbps，因此我必須在HP BANK中使用VRN
2020-07-21 14:47:06
各位朋友有沒有遇到過DDR3 Vref 信號(hào)上100nF濾波電容失效的情況？我們板子用到了2顆DDR3芯片，VREFCA和VREFDQ管腳各自通過兩個(gè)10K電阻分壓得到0.76V。主芯片上還有一個(gè)MEM_VREF管腳也是通過兩個(gè)1K電阻分壓得到0.76V。
2019-02-19 10:41:35
DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random accessmemory）是應(yīng)用在計(jì)算機(jī)及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。DDR3 在 DDR2
2019-05-22 08:36:26
共享交流一下，DDR3布線技巧
2016-01-08 08:17:53
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3，也沒有復(fù)用總線將DDR3的CS直接拉到地的話，DDR3初始化不成功所以說DDR3的CS信號(hào)是通過沿采樣的嗎，電平采樣不行？無法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯
各位好！關(guān)于DDR3，之前有小結(jié)過如果進(jìn)行DDR3的SW leveling和進(jìn)行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時(shí)，如果進(jìn)行DDR3的問題定位，現(xiàn)小結(jié)一下，附上相關(guān)文檔。如有相關(guān)問題，可在樓下跟帖討論。謝謝！
2018-06-21 04:01:01
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DR2與DDR有哪些區(qū)別？DDR3與DDR2的區(qū)別是什么？
2021-10-26 06:15:07
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設(shè)計(jì)。Gowin DDR3 參考設(shè)計(jì)可在高云官網(wǎng)下載，參考設(shè)計(jì)可用于仿真，實(shí)例化加插用戶設(shè)計(jì)后的總綜合，總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
管理員，發(fā)一份關(guān)于K2 ddr3 initialization文檔吧····我只找到了關(guān)于k1的
2018-06-21 17:16:04
Micron_Memory_DDR2、DDR3全系列原理圖庫+封裝庫
2016-12-16 08:37:52
Achieving High Performance DDR3 Data Rates in Virtex-7 and Kintex-7 FPGAs。Xilinx官方DDR3資料。
2016-05-27 16:39:58
，甚至轉(zhuǎn)虧為盈。不過，受第二季電子廠拉貨速度減緩影響，DRAM價(jià)格4月底顯疲態(tài)；根據(jù)集邦科技的報(bào)價(jià)，近期DDR3 1Gb eTT（有效測試顆粒）均價(jià)已跌破3美元關(guān)卡，跌至2.87美元，和3月底的3.04
2010-05-10 10:51:03
DDR3的IP核配置完畢后，產(chǎn)生了好多文件，請問如何調(diào)用這些文件實(shí)現(xiàn)DDR3的讀寫呢？看了一些文章，說是要等到local_init_done為高電平后，才能進(jìn)行讀寫操作。請問DDR3的控制命令如
2016-01-14 18:15:19
看完保證你會(huì)做DDR3的仿真
2015-09-18 14:33:11
效能，不會(huì)在零售市場成為技術(shù)主流）當(dāng)市場需求超過4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能，不會(huì)在零售市場成為技術(shù)主流）當(dāng)市場需求超過4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
嗨，我正在設(shè)計(jì)一個(gè)定制FPGA板＆amp;我將使用帶有Kintex（XC7K160T-2FFG676C）FPGA的DDR3 RAM。我閱讀了xilinx＆amp; amp; amp; amp
2020-04-17 07:54:29
都是其“支持者”。時(shí)至今日，DDR2和DDR3陸續(xù)開始退出市場。三星已在2021年末Q4確定停產(chǎn)DDR2；同時(shí)三星及海力士計(jì)劃逐步退出DDR3市場。根據(jù)DDR3市占率頂峰期2014年的數(shù)據(jù)（市占率達(dá)84
2022-10-26 16:37:40
了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓，DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格，它是在DDR3基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，比DDR3更占優(yōu)勢。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變
2019-07-25 14:08:13
1. 嵌入式的內(nèi)存內(nèi)存的發(fā)展從DRAM到廣泛使用的SDRAM，到之后一代的DDR（或稱DDR1），然后是DDR2和DDR3進(jìn)入大眾市場，2015年開始DDR4進(jìn)入消費(fèi)市場。單片機(jī)領(lǐng)域中，使用較多
2021-12-17 07:44:44
可能會(huì)跳過這個(gè)4Gb單位元元容量，也就是說屆時(shí)單條DDR2的DRAM模塊，容量最大可能只會(huì)到4GB。而DDR3模塊容量將從1GB起跳，目前規(guī)劃單條模塊到16GB也沒問題（注意：這里指的是零售組裝市場專用的unbuffered DIMM而言，server用的FB與Registered不在此限）。
2011-12-13 11:29:47
來源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報(bào)告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長15.5%。主要原因來自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
我是一名labview FPGA程序員，使用的是NI 7975 fpga模塊，它具有kintex 7 fpga。該模塊具有外部DDR3 DRAM 0f 2GB以及kintex 7 fpga資源。數(shù)據(jù)應(yīng)該從芯片到芯片之間會(huì)有多少延遲？這是DDR3 DRAM雙端口（同時(shí)讀寫操作可能??）???
2020-05-20 14:42:11
自己畫的6657的板，發(fā)現(xiàn)DDR3初始化有問題，初始化參數(shù)是按照芯片手冊來設(shè)置的，寫數(shù)據(jù)進(jìn)去會(huì)出錯(cuò)。初步懷疑是DDR3布線問題,請問TI的大神們，6657對(duì)DDR3的布線有什么具體的要求嗎？或者是
2018-06-21 05:42:03
方案的硬件設(shè)計(jì)。DDR2 器件設(shè)計(jì)方法參考 DDR3 即可。兩者在體系結(jié)構(gòu)上差別很小，主要區(qū)別 DDR3 器件的總線速度更快，DDR3 器件供電電壓為 1.5V，而 DDR2器件供電電壓為 1.8V
2022-09-29 06:15:25
數(shù)字信號(hào)處理[3]已經(jīng)成為FPGA的一個(gè)重要課題，高速的采樣頻率帶來的是大容量的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，DDR3以較低的功耗，較快的存儲(chǔ)速度，較高的存儲(chǔ)容量和較低的價(jià)格迅速占領(lǐng)市場；同時(shí)在繪制PCB板圖
2018-08-30 09:59:01
。大量收購以下DDR3，歡迎您有貨聯(lián)系我們，保證給您高價(jià)體驗(yàn)。現(xiàn)代:DDR3/64*16/H5TQ1G63EFR-PBCDDR3/128*16/H5TQ2G63FFR-PBCDDR3/128*16
2021-10-13 19:12:25
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2021-10-13 19:18:05
親愛的先生Vivado：v2016.4裝置：Artix-7我嘗試在Vivado中使用MIG設(shè)計(jì)DDR3 SODIMM接口。但是，MIG只生成一對(duì)ddr_ck。我認(rèn)為DDR3 SODIMM需要2對(duì)ddr_ck，如ddr_ck0和ddr_ck1。我該如何生成2對(duì)ddr_ck？謝謝。
2020-08-24 06:45:17
現(xiàn)在因?yàn)轫?xiàng)目需要，要用DDR3來實(shí)現(xiàn)一個(gè)4入4出的vedio frame buffer。因?yàn)槠邮褂玫氖莑attice的，參考設(shè)計(jì)什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來實(shí)現(xiàn)這個(gè)vedio
2015-08-27 14:47:57
自建Spartan6 DDR3仿真平臺(tái)
2019-08-01 06:08:47
怎樣對(duì)DDR3芯片進(jìn)行讀寫控制呢？如何對(duì)DDR3芯片進(jìn)行調(diào)試？
2021-08-12 06:26:33
，DRAM合約價(jià)也在淡季明顯上漲。6月價(jià)格預(yù)期再調(diào)漲5%據(jù)業(yè)者表示，PC DRAM合約價(jià)在第一季大漲36%后，韓系DRAM廠在4月再度全面調(diào)漲第二季合約價(jià)，其中，4GB DDR3/DDR4模組合約價(jià)大漲
2017-06-13 15:03:01
本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2021-04-20 06:30:52
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 11:34 編輯
各位專家好！剛剛學(xué)習(xí)DSP,還沒有入門。實(shí)驗(yàn)室購買了TMS320C6678開發(fā)板。請問：1、為什么DSP需要外接DDR3?2
2018-06-20 00:40:57
_666_7_MHz( )[ Set_Pll2();]而Set_Pll2()函數(shù)我無法找到，因此不知道如何修改？請問有辦法能夠修改gel文件中DDR3 PLL的配置么？
2018-08-06 07:33:54
針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)
2012-12-29 19:12:39
DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過技術(shù)門檻
市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research指出，2007年以來，全球DRAM廠商在過度樂觀的預(yù)期下，相繼投入產(chǎn)能擴(kuò)充競賽，這也使得DRAM供過于求
2009-11-17 10:10:49590 DDR3將是2010年最有前景市場
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世
2009-12-15 10:28:14769 
臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13602 DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，
2010-01-18 16:04:441094 DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能
據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士
2010-01-20 09:25:34685 DDR3來臨2010年DRAM市場云開月明
2009年DRAM 市場烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時(shí)期，終于守得云開見月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲
2010-01-26 09:54:00549 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM模組市場追蹤報(bào)告，由于速度更快和功耗較低，DDR3技術(shù)在2012年初幾乎完全統(tǒng)治了DRAM模組市場。第一季度DDR3模組出貨量達(dá)到1.507億個(gè)，占全球總體DRAM模組市場的87
2012-05-03 09:19:12871 
DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝，管腳露在芯片兩側(cè)的，測試起來相當(dāng)方便；但是，DDRII和III就不一樣了，
2017-11-06 13:44:108454 
雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 只要遵循適當(dāng)?shù)牟襟E，對(duì)KeyStone DSPs的DDR3 DRAM控制器的初始化是直接的。然而，如果省略了某些步驟，或者如果以錯(cuò)誤的順序執(zhí)行一些序列敏感的步驟，DDR3操作將是不可預(yù)測的。
2018-04-28 11:09:34
9 繼儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器價(jià)格走跌之后，原本報(bào)價(jià)尖挺的DRAM也開始松動(dòng)，其中，連續(xù)八季漲價(jià)的DDR3率先走跌，臺(tái)灣包括晶豪科、南亞科等業(yè)者都以DDR3為主要產(chǎn)品，將首當(dāng)其沖。
2018-08-08 10:31:143377 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì)，二、DDR電路的信號(hào)完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計(jì)建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:000 從成本的角度來看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個(gè)角度可以講通。
2020-09-08 16:28:234062 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東西了，DDR5都要上市了，但DDR3還不會(huì)被淘汰，而且兆易創(chuàng)新主要是用于利基市場，也就是消費(fèi)電子產(chǎn)品，對(duì)內(nèi)存的性能、容量等要求不高。
2020-11-03 10:10:212341 DDR3內(nèi)存。 兆易創(chuàng)新在電話會(huì)議中透露，自研DRAM現(xiàn)在還在按照原計(jì)劃進(jìn)行，目前研發(fā)進(jìn)度跟預(yù)期基本一樣，預(yù)期明年上半年會(huì)有產(chǎn)品出來。 兆易創(chuàng)新表示，自研第一個(gè)產(chǎn)品會(huì)是DDR3， 4Gb，面向利基市場。 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東
2020-11-03 11:13:592021 據(jù)外媒消息，日益嚴(yán)重的DDR3短缺，導(dǎo)致價(jià)格飛漲，三星電子也因此放緩了減少低密度DRAM產(chǎn)能的計(jì)劃。
2021-03-19 10:45:261622 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03154 日前，世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示，多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入，至今已長達(dá)15年，因?yàn)槠洳辉俜河糜?b class="flag-6" style="color: red">主流平臺(tái)，即便退出市場也不會(huì)
2022-04-06 12:22:564679 一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915 本文介紹一個(gè)FPGA開源項(xiàng)目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19743 
DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56518 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003905 法人方面解釋說：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢。ddr3的價(jià)格也隨之上漲，給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405
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