延續7納米制程領先優勢，臺積電支援極紫外光(EUV)微影技術的7納米加強版(7+)制程將按既定時程于3月底正式量產，而全程采用EUV技術的5納米制程也將在2019年第2季進入風險試產。 據了解，獨家
2019-02-13 10:08:15
4409 ? 電子發燒友網報道（文/周凱揚）作為目前最先進的半導體制造設備，EUV光刻機的誕生是由各個部件在技術上的集體突破才最終成型的，比如光刻膠、掩膜板和鏡組等等。但最為關鍵的還是EUV名號中的極紫外光
2023-02-13 07:04:004326 在9月份召開的“SEMICON Taiwan 2014”展覽會上，ASML公司的臺灣地區銷售經理鄭國偉透露，第3代極紫外光（EUV）設備已出貨6臺。
2014-10-11 09:09:541795 “7納米是很重要的節點，是生產工藝第一次轉向EUV的轉折點。三星和臺積電都宣布了將采用EUV(極紫外光微影)技術在7納米，而EUV是摩爾定律能夠進一步延續到5納米以下的關鍵。” Gartner(中國
2017-01-19 10:15:491397 在日前于美國舉行的西部光電展（Photonics West）上，業界多家廠商探討了極紫外光（EUV）微影所需的250W光源、具有發展前景的紅外線與近紅外線攝影機，以及利用雷射發光二極管（LED）光源進行數據通訊等議題。
2017-03-09 07:50:452523 在三星決定7nm率先導入EUV后，讓EUV輸出率獲得快速提升，臺積電決定在7nm強化版提供客戶設計定案，5nm才決定全數導入。
2017-08-23 08:38:231779 極紫外 (EUV) 光刻系統是當今使用的最先進的光刻系統。本文將介紹這項重要但復雜的技術。
2023-06-06 11:23:54688 
他們正在研發下一代極紫外光刻機的，計劃在2022年年初開始出貨，2024/2025年大規模生產。 在EUV光刻機方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機，去年出貨26臺，創造了新紀錄。據報道，ASML公司正在研發新一代EUV光刻機，預計在2022年開始出貨。根據
2020-03-18 09:16:392659 制造的各道工序，不少晶圓廠在新建之際時，都要對該地區的電力輸送進行大改。 ? 極度耗電的EUV 光刻機 ? 由于制造EUV光源的能源轉換效率并不算高，所以哪怕7nm節點下，EUV光刻機的目標功耗只有250W，其實際需要的電力供應依然驚人。一臺EU
2023-10-25 01:14:001062 ，購買或者開發EUV光刻機是否必要？中國應如何切實推進半導體設備產業的發展？EUV面向7nm和5nm節點所謂極紫外光刻，是一種應用于現代集成電路制造的光刻技術，它采用波長為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
污染物將嚴重改變受照物體表面的吸收特性。除非另有規定，試驗時應當保證樣品的清潔，但在評定表面污染物的作用時，有關規范應規定樣品表面處理等必要內容；5、紫外光耐氣候試驗箱濕度在不同濕度條件下，各種材料、涂料
2017-09-07 15:07:23
自然界的陽光和濕氣對材料的破壞，每年造成難以估計的經濟損失，紫外光耐氣候試驗箱可以再現陽光、雨水和露水所產生的破壞。設備通過將待測材料曝曬放在經過控制的陽光和濕氣的交互循環中，同時提高溫度的方式
2018-03-01 10:47:14
MAX1614EUV - High-Side, n-Channel MOSFET Switch Driver Internal On/Off Latch - Maxim Integrated Products
2022-11-04 17:22:44
，光源是ArF（氟化氬）準分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機，但是到了7nm這個節點已經的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺積電都會在7nm這個節點引入極紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
真空紫外輻射有高于共價鍵鍵能的光子能量,可在室溫下激起化學反應。自上世紀80年代,基于稀有氣體介質阻擋放電的準分子真空紫外光燈面世以來,真空紫外光源有了很大的發展,商業化的準分子真空紫外光燈已有上百
2010-05-06 08:56:18
`有時自己做一些PCB，閑來無事，利用紫外光LED和一個網購定時模塊制作了一個曝光箱，還沒進行PCB實操，放一個變色鏡在上面，十幾秒就變色，上圖`
2018-01-30 14:47:54
7nm以下的工藝也將導入EUV技術。據***媒體報道，臺積電5nm制程將于今年第二季度量產。據臺積電介紹， 5nm是臺積公司第二代使用極紫外光（EUV）技術的制程，其已展現優異的光學能力與符合預期的良好
2020-02-27 10:42:16
本文介紹了一種基于AMBE-2000的紫外光語音系統設計。實驗證明，紫外光語音通信系統具有低竊聽率、低位辨率、全方位、高抗干擾能力、音質優、功耗低等特點。
2021-03-31 06:04:34
原文來源：如何對紫外光老化試驗箱的維護保養工作小編：林頻儀器 為了使紫外光老化試驗箱能過能好的工作，所以我們平時一定要對其進行定期的維護和保養，這樣才能讓它一直處于良好的工作狀態，那我們在平時
2016-09-05 15:05:57
德國UV7800紫外光管道非開挖修復機器人系統開創式的配電設計，可以上UV燈鏈支持拓展延長，固化效率提升1/3以上。同時設備可采用電腦程序控制或獨立的PLC系統控制。在突發事故中，平板電腦發生故障
2019-12-13 14:27:25
【作者】：呂鵬;劉春芳;張潮海;趙永蓬;王騏;賈興;【來源】：《強激光與粒子束》2010年02期【摘要】：描述了Z箍縮放電等離子體極紫外光源系統中的主脈沖電源,給出了主電路拓撲結構,重點介紹了三級磁
2010-04-22 11:41:29
的物理現象：一是大氣層中的臭氧對波長在200nm到280nm之間的紫外光有強烈的吸收作用，這個區域被叫做日盲區，到達地面的日盲區紫外光輻射在海平面附近幾乎衰減為零；另一現象是地球表面的日盲區紫外光被大氣
2019-06-18 08:00:06
或評估影響產品耐用性的組成變化等方面有極大的幫助。設備可以極好地預測產品將在戶外遭遇的變化。 盡管紫外光（UV）只占陽光的5％，但是它卻是造成戶外產品耐用性下降的主要光照因素。這是因為陽光的光化學
2017-10-11 15:40:19
荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產品介紹：ISTEQ公司開發了一種基于激光產生等離子體（LPP）的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩定性。它采用可自刷新的材料，無需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:06:24
荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產品介紹：ISTEQ公司開發了一種基于激光產生等離子體（LPP）的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩定性。它采用可自刷新的材料，無需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:16:48
新式半導體光刻技術中，極紫外光刻(EUV)被認為是最有前途的方法之一，不過其實現難度也相當高，從上世紀八十年代開始探尋至今已經將近三十年， 仍然未能投入實用。極紫外光
2010-06-17 17:27:381470 介紹了國內外紫外光通信系統幾種紫外光源的發展,并從光譜特點、功率、效率等方面分析了其在紫外光通信中的應用特點。指出了紫外發光二極管(UVED)決定了未來紫外光通信高速、小型
2011-10-17 17:02:10
48 巴隆周刊（Barrons）報導，艾司摩爾（ASML）上周公布上季財報亮眼，并宣布已接到新一代極紫外光（EUV）微影機臺六部訂單，有分析師推測，臺積電可能訂走了其中五臺，即一口氣買下5.5億美元的設備。
2017-01-22 11:19:0326386 為對抗三星，臺積電計劃導入極紫外光(EUV)微影設備，決定在7納米強化版提供客戶設計、并在5納米全數導入。這項決定引發群聚效應，激勵相關設備供應鏈和材料廠全數動起來，搶進「臺積大聯盟」，以分到市場。
2018-06-17 11:27:002411 EUV光刻機的唯一供應商ASML在2017年度Semicon West半導體設備展上也表示，250瓦的EUV光源也萬事俱備。公司2017年財報中也強調，其EUV光刻機滿足了125WPH（每小時生產
2018-01-23 14:51:008018 
? 前些天，新聞曝光的中芯國際花了1．2億美元從荷蘭ASML買來一臺EUV極紫外光刻機，未來可用于生產7nm工藝芯片，而根據最新消息稱，長江存儲也迎來了自己的第一臺光刻機，國產SSD固態硬盤將迎來重大突破。
2018-06-29 11:24:008478 三星官網發布新聞稿，三星、高通宣布擴大晶圓代工業務合作，包含高通下一代5G移動芯片，將采用三星7納米LPP（Low-Power Plus）極紫外光（EUV）制程。 新聞稿指出，通過7納米LPP
2018-02-23 07:31:561279 納米電子與數字技術研發創新中心 IMEC 與美國楷登電子( Cadence) 公司聯合宣布，得益于雙方的長期深入合作，業界首款 3nm 測試芯片成功流片。該項目采用極紫外光刻(EUV)技術。
2018-03-19 15:08:308347 隨機變化需要新方法、新工具，以及不同公司之間的合作。 極紫外（EUV）光刻技術正在接近生產，但是隨機性變化又稱為隨機效應正在重新浮出水面，并為這項期待已久的技術帶來了更多的挑戰
2018-03-31 11:52:005861 臺積電為防堵強敵三星在七納米導入極紫外光（EUV）及后段先進封裝，搶食蘋果新一代處理器訂單，已加速在七納米強化版導入極紫外光時程。供應鏈透露，臺積電可望年底建構七納米強化版試產線，進度追平或超前三星，讓三星無奪蘋機會。
2018-04-08 11:22:00896 Borodovsky在采訪中表示，另一個可能導致5nm缺陷的因素是現有的EUV光阻劑材料缺乏均勻度。此外，他還表示支持直接電子束寫入，因為EUV使用的復雜相移光罩最終將膨脹至目前浸潤式光罩價格的8倍。
2018-04-11 15:59:3711349 
非關鍵層面上首次嘗試使用EVU極紫外光刻系統，工藝節點從CLN7FF升級為CLN7FF+，號稱晶體管密度可因此增加20%，而在同樣密度和頻率下功耗可降低10%。 臺積電5nm(CLN5)將繼續使用荷蘭
2018-05-15 14:35:133793 
盡管極紫外光(EUV)步進機的大量生產面臨復雜的問題以及緊迫的時間，專家們仍然抱持樂觀態度...
2018-06-01 16:01:492726 傳三星電子（Samsung Electronics）啟動采用極紫外光（EUV）微影設備的DRAM生產研發，雖然三星目標2020年前量產16納米DRAM，不過也有可能先推出17納米制程產品。
2018-08-17 17:07:22709 今年4月開始，臺積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產，蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或將會使用它制造，但仍在使用傳統的深紫外光刻(DUV)技術。
2018-10-17 15:44:564730 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產，2018年EUV光刻工藝終于商業化了，這是EUV工藝研發三十年來的一個里程碑。不過EUV工藝要想大規模量產還有很多技術挑戰，目前的光源功率以及晶圓產能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:403376 現在的EUV光刻機使用的是波長13.5nm的極紫外光，而普通的DUV光刻機使用的是193nm的深紫外光，所以升級到EUV光刻機可以大幅提升半導體工藝水平，實現7nm及以下工藝。
2018-11-01 09:44:264269 “ASML的EUV光刻機使用的13.5納米的極紫外光源，價格高達3000萬元，還要在真空下使用。”項目副總師胡松說，“而我們使用的365納米紫外光的汞燈，只要幾萬元一只。我們整機價格在百萬元級到千萬元級，加工能力介于深紫外級和極紫外級之間，讓很多用戶大喜過望。”
2018-12-03 10:53:1212225 ASML副總裁Anthony Yen表示，ASML已開始開發極紫外（EUV）光刻機，其公司認為，一旦當今的系統達到它們的極限，就將需要使用極紫外光刻機來繼續縮小硅芯片的特征尺寸。
2018-12-09 10:35:077142 全球三大晶圓代工廠臺積電、英特爾、三星，最快將在2019年導入極紫外光微影技術（EUV），值得注意的是，全球可提供EUV光罩盒的業者只有兩家，家登是其中之一，且家登已經通過艾司摩爾（ASML）認證，此舉無疑宣告，家登今年EUV光罩盒將大出貨，公司更透露，接單強勁，目前已有供給告急壓力。
2019-01-03 11:16:374248 隨著晶圓代工廠臺積電及記憶體廠三星電子的7納米邏輯制程均支援極紫外光（EUV）微影技術，并會在2019年進入量產階段，半導體龍頭英特爾也確定正在開發中的7納米制程會支援新一代EUV技術。
2019-01-03 11:31:593812 就在日前，半導體設備大廠荷蘭商艾司摩爾 （ASML） 在財報會議上表示，2019 年 ASML 將把極紫外光刻機 （EUV） 的年出貨量從 18 臺，提升到30 臺之后，現有外國媒體報導，晶圓代工
2019-02-13 16:53:038511 據臺媒2月12日報道，為延續7納米制程領先優勢，臺積電支持極紫外光(EUV)微影技術的7nm加強版制程將按既定時間于3月底正式量產，而全程采用EUV技術的5nm制程也將在今年第2季進入風險試產。
2019-02-16 11:11:154482 將光刻技術轉移到EUV波段意味著材料和光源的巨大變化。新的13.5納米EUV等離子體光源取代了193納米波長的紫外激光器。光子能量隨著波長的減小而增加，因此來自激光驅動的新型等離子體EUV光源的每個光子所攜帶的能量是來自舊激光光源的光子的14倍。
2019-03-16 10:32:215629 國內知名關鍵性貴重材料之保護、傳送及儲存解決方案整合服務商家登日前正式發布新一代EUV極紫外光光罩傳送盒G/GP Type同時獲全球最大半導體設備商ASML認證，G/GP Type 版本可用于NXE:3400B，家登加速進入EUV微影技術先進裂程，大量制造全面啟航。
2019-03-20 10:21:455638 臺積電指出，5nm制程將會完全采用極紫外光(EUV)微影技術，因此可帶來EUV技術提供的制程簡化效益。5nm制程能夠提供全新等級的效能及功耗解決方案，支援下一代的高端移動及高效能運算需求的產品。目前，其他晶元廠的7nm工藝尚舉步維艱，在5nm時代臺積電再次領先。
2019-04-04 16:05:571660 臺積電官方宣布，已經開始批量生產7nm N7+工藝，這是臺積電第一次、也是行業第一次量產EUV極紫外光刻技術，意義非凡。
2019-05-28 16:18:243401 繼臺積電、三星晶圓代工、英特爾等國際大廠在先進邏輯制程導入極紫外光（EUV）微影技術后，同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評估采用EUV技術量產。三星電子今年第四季將開始利用EUV技術生產1z納米DRAM，SK海力士及美光預期會在1α納米或1β納米評估導入EUV技術。
2019-06-18 17:20:312438 當前半導體制程微縮到10納米節點以下，包括開始采用的7納米制程，以及未來5納米、3納米甚至2納米制程，EUV極紫外光光刻技術已成為不可或缺的設備。藉由EUV設備導入，不僅加快生產效率、提升良率，還能
2019-07-05 15:32:482520 臺積電近日宣布，已經開始了7nm+ EUV工藝的大規模量產，這是該公司乃至整個半導體產業首個商用EUV極紫外光刻技術的工藝。作為EUV設備唯一提供商，市場預估荷蘭ASML公司籍此EUV設備年增長率將超過66%。這個目標是否能實現？EUV工藝在發展過程中面臨哪些挑戰？產業化進程中需要突破哪些瓶頸？
2019-10-17 15:57:302351 截至目前，華為麒麟990 5G是唯一應用了EUV極紫外光刻的商用芯片，臺積電7nm EUV工藝制造，而高通剛發布的驍龍765/驍龍765G則使用了三星的7nm EUV工藝。
2019-12-18 09:20:0315995 三星宣布，位于韓國京畿道華城市的V1工廠已經開始量產7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝，這也是全球第一座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。
2020-02-21 16:19:052214 當前在芯片制造中最先進的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產中。
2020-03-25 15:40:482003 芯片加工精度取決于光刻機光線的波長，光線波長越小，芯片精度越高。隨著摩爾定律發展，芯片制造邁進10nm節點，波長13.4nm的EUV（極紫外光）就成為唯一的選擇。
2020-07-20 09:27:172241 CFan曾在《芯希望來自新工藝！EUV和GAAFET技術是個什么鬼？》一文中解讀過EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產7nm或更先進制程工藝的技術，特別是在5nm3nm這個關鍵制程節點上，沒有
2020-09-01 14:00:292234 臺媒稱，翔名切入臺積電5nm極紫外光（EUV）光罩盒表面處理業務，與EUV光罩盒大廠接洽合作機會，以獨家專利無電鍍鎳（ENP）表面處理技術來提升產品良率，目前該光罩盒廠正進行評估測試，未來獲臺積電EUV制程指定產品入場門票機會大增。
2020-07-24 17:27:20671 據中國臺灣經濟日報報道，三星（Samsung）明年可能導入極紫外光（EUV）技術生產內存，美光（Micron）企業副總裁、中國臺灣美光董事長徐國晉表示，美光不打算跟進，目前并無采用 EUV 計劃
2020-10-12 09:36:181660 臺積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業，目前投產的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:561425 根據韓國媒體《BusinessKorea》的報道，日前三星電子副董事長李在镕前往荷蘭拜訪光刻機大廠ASML，其目的就是希望ASML的高層能答應提早交付三星已經同意購買的極紫外光光刻設備（EUV）。
2020-10-24 09:37:302866 日前三星電子副董事長李在镕前往荷蘭拜訪光刻機大廠ASML，其目的就是希望ASML 的高層能答應提早交付三星已經同意購買的極紫外光光刻設備（EUV）。
2020-10-24 09:39:061509 11月5日，世界光刻機巨頭荷蘭阿斯麥ASML亮相第三屆進博會。作為全球唯一能生產EUV（極紫外光）光刻機的企業，由于ASML目前仍不能向中國出口EUV光刻機，所以此次展示的是其DUV（深紫外光）光刻機。據悉，該產品可生產7nm及以上制程芯片。
2020-11-06 11:27:465517 中國需要光刻機，尤其是支持先進制程的高端光刻機。具體來說，就是 EUV （極紫外光源）光刻機。
2020-11-11 10:13:304278 
體上，三分之二的調查參與者認為這將產生積極的影響。前往EUV時，口罩的數量減少了。這是因為EUV將整個行業帶回單一模式。具有多個圖案的193nm浸入需要在高級節點處使用更多的掩模。
2020-11-23 14:42:091096 三星電子近期為爭搶極紫外光（EUV）設備，高層頻頻傳出密訪ASML。繼三星電子副會長李在镕（Lee Jae-yong）10月親自赴荷蘭拜會ASML執行長Peter Wennink后，又再度傳出
2020-12-02 15:25:391847 自從芯片工藝進入到7nm工藝時代以后，需要用到一臺頂尖的EUV光刻機設備，才可以制造7nm EUV、5nm等先進制程工藝的芯片產品，但就在近日，又有外媒豪言：這種頂尖的EUV極紫外光刻機，目前全球
2020-12-03 13:46:226379 根據韓國媒體《Etnews》報導指出，目前全球3大DRAM存儲器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機的美商美光（Micron），因日前招聘網站開始征求EUV工程師，揭露美光也在進行EUV運用于DRAM先進制程，準備與韓國三星、SK海力士競爭
2020-12-25 14:33:101459 EUV光刻（即極紫外光刻）利用波長非常短的光，在硅片上形成數十億個微小結構，構成一個芯片。與老式光刻機相比，EUV設備可以生產更小、更快、更強大的芯片。
2020-12-29 16:20:301425 EUV（極紫外光）光刻機，是目前半導體產業已投入規模生產使用的最先進光刻機類型。近來，有不少消息都指出，EUV光刻機耗電量非常大，甚至它還成為困擾臺積電的一大難題。 為何EUV光刻機會這么耗電
2021-02-14 14:05:003915 半導體必不可少的“光刻”機器，在摩爾定律即將發展到盡頭的現在，可以說，得EUV者得先進工藝。雖然在EUV相關設備市場中，荷蘭ASML壟斷了核心光刻機，但在“極紫外光刻曝光”周邊設備中，日本設備廠家的存在感在逐步提升，尤其在檢測、感光材料涂覆、成像等相關設備方面，日本的實力也是不容忽視的。
2021-01-16 09:43:112542 近日，荷蘭的光刻機制造商阿斯麥（ASML）發布2020年度財報，全年凈銷售額達到140億歐元，毛利率達到48.6%。ASML同時宣布實現第100套極紫外光刻（EUV）系統的出貨，至2020年年底已有
2021-02-01 09:30:232588 哈工大在國家急需時刻從不缺席，現在國家急需光刻機。哈工大的DPP-EUV光源出來，真的是史詩級成果，一流大學就應該有世界頂尖水平，這是哈工大在超精密加工，超精密測量領域幾十年積累的結果！ 中科院
2021-02-01 10:41:4725937 日前，ASML產品營銷總監Mike Lercel向媒體分享了EUV（極紫外）光刻機的最新進展。
2021-03-19 09:39:404630 就在幾天前，清華大學團隊聯合德國的研究機構實驗證實了「穩態微聚束」(steady-state microbunching, SSMB)光源。這個光源的波長可以從太赫茲覆蓋到極紫外波段，或許能成為EUV光刻機新的光源技術。
2021-03-30 10:43:088197 
美國媒體7月19日報道，美國政府正在努力阻止荷蘭ASML EUV光刻機（極紫外光刻機）進入中國大陸。 報道稱，中國政府此前與荷蘭政府協商，要求允許中國公司購買ASML生產的EUV光刻機設備（極紫外光
2021-07-21 16:52:252126 美國華爾街日報7月19日報道，美國政府正在努力阻止荷蘭ASML EUV光刻機（極紫外光刻機）進入中國大陸。 華爾街日報報道稱，中國政府此前與荷蘭政府協商，要求允許中國公司購買ASML生產的EUV
2021-07-25 17:35:152919 HVM中的EUV光刻
?背景和歷史
?使用NXE的EUV光刻：3400B
?EUV生成原理
?EUV來源：架構
?現場EUV源
?電源展望
?總結
2022-06-13 14:45:450 目前，光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術，EUV使用的是深紫外光刻技術。EUV為先進工藝芯片光刻的發展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 euv光刻機原理是什么 芯片生產的工具就是紫外光刻機，是大規模集成電路生產的核心設備，對芯片技術有著決定性的影響。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻機生產。那么euv光刻機原理是什么呢？ EUV
2022-07-10 15:28:1015099 EUV 光刻是以波長為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術，簡單來說，就是以極紫外光作“刀”，對芯片上的晶圓進行雕刻，讓芯片上的電路變成人們想要的圖案。
2022-10-10 11:15:024367 [UVLED紫外光源]，別名紫外線固化光源，也稱之為紫外發光二極管，屬于冷光源，歸類于是特種照明光源設備。按照光源形狀，主要可分為UVLED點光源、UVLED線光源、UVLED面光源這三個類型
2022-12-28 10:03:102089 
過去二十年見證了193 nm以下波長光刻技術的發展。在使用 F2 準分子激光器開發基于 157 納米的光刻技術方面付出了一些努力，但主要關注點是使用 13.5 納米軟 X 射線作為光源的極紫外 (EUV) 光刻技術。
2023-02-02 11:49:592234 EUV要解決的不僅是波長問題，更重要的是，ASML的LPP EUV光源中，激光器需要達到20kW的功率，而這樣的發射功率經過重重反射，達到焦點處的功率卻只有350W左右。
2023-02-17 12:44:077659 DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用極紫外光刻技術，后者采用深紫外光刻技術。
2023-03-20 14:23:2412166 需要明確什么是EUV光刻機。它是一種采用極紫外線光源進行曝光的設備。與傳統的ArF光刻機相比，EUV光刻機可以將曝光分辨率提高到7納米以下的超高級別，從而實現更高清晰度和更高性能的芯片制造。
2023-05-22 12:48:373985 極紫外光刻的制約因素
耗電量高極紫外線波長更短，但易被吸收，可利用率極低，需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機，250W的功率，每天耗電達到三萬度。
生產效率仍不
2023-06-08 15:56:42283 
上海伯東日本 Atonarp Aston? 過程質譜分析儀通過快速, 可操作, 高靈敏度的分子診斷數據實現了更佳的反射板鍍錫層清潔, 并且 Aston? 過程質譜的實時氫氣 H2 監測也降低了每個 EUV 工具的氫氣消耗
2023-06-20 17:18:43259 
? ? 紫外光刻和曝光 是半導體行業生產各種高端芯片、微觀電路結構的核心技術。在紫外光刻過程中，光源發射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細圖案。 長期以來
2023-07-05 10:11:241026 
EUV（Extreme Ultraviolet）光刻機是一種高級光刻設備，用于半導體制造業中的微電子芯片生產。EUV光刻機是目前最先進的光刻技術之一，它采用極端紫外光作為曝光光源，具有更短的波長
2023-07-24 18:19:471095 EUV掩膜，也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜，對于極紫外光刻（EUVL）這種先進光刻技術至關重要。EUV光刻是一種先進技術，用于制造具有更小特征尺寸和增強性能的下一代半導體器件。
2023-08-07 15:55:02399 據本文介紹，錫液滴發生器是激光等離子型極紫外線（lpp-euv）光刻光源中最重要的核心部件之一。錫液滴目標具有高反復頻率，小直徑和穩定性好的特性。這篇論文顯示了上海光儀器euv光源組最近對水滴發生器的研究發展，包括水滴的直徑、重復頻率、間隔、位置及穩定性等。
2023-09-05 10:27:171506 實現深紫外光通信的一個關鍵器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高壓汞燈實現，但汞燈的調制帶寬非常小，這嚴重影響了深紫光通信的傳輸速率。
2023-09-05 11:13:00484 
近20年來，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術挑戰。
2023-09-14 09:45:12563 
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設計過程中的后續步驟。
2023-10-30 12:22:55615
電子發燒友App
工商網監
評論