附著力促進劑用于與表面硅烷醇發生化學反應，并用有機官能團取代 -OH 基團，與羥基不同，該官能團對光刻膠具有良好的附著力。硅烷通常用于此目的，最常見的是六甲基二硅烷 (HMDS) [1.2]。（注意，HMDS 粘附促進首先是為玻璃纖維應用開發的，其中樹脂基體與玻璃纖維的粘附很重要。）HMDS 可以通過旋轉稀釋溶液（10-20% HMDS 在醋酸溶纖劑、二甲苯中）來應用，或碳氟化合物）直接涂在晶片上并允許 HMDS 旋轉干燥（HMDS 在室溫下非常易揮發）。如果 HMDS 不允許適當干燥，則會導致顯著的附著力損失。雖然直接紡很容易，它僅在置換一小部分硅烷醇基團時有效。迄今為止，施加粘合促進劑的優選方法是將基材置于 HMDS 蒸汽中，通常是在升高的溫度和降低的壓力下。這允許在沒有過多 HMDS 沉積的情況下對基材進行良好的涂覆，并且更高的溫度會導致與硅烷醇基團的反應更完全。用 HMDS 正確處理后，基材可以放置數天而不會明顯重新吸附水。在同一烤箱中進行脫水烘烤和蒸汽灌注可提供最佳性能。溫度越高，與硅烷醇基團的反應就越完全。用 HMDS 正確處理后，基材可以放置數天而不會明顯重新吸附水。在同一烤箱中進行脫水烘烤和蒸汽灌注可提供最佳性能。溫度越高，與硅烷醇基團的反應就越完全。用 HMDS 正確處理后，基材可以放置數天而不會明顯重新吸附水。在同一烤箱中進行脫水烘烤和蒸汽灌注可提供最佳性能。

通過看似簡單的旋涂工藝，可以在特定的、控制良好的厚度下完成薄而均勻的光刻膠涂層。通過將固體成分溶解在溶劑中而使光刻膠變成液體形式的光刻膠被倒在晶片上，然后在轉盤上高速旋轉產生所需的薄膜。對厚度控制和均勻性以及低缺陷密度的嚴格要求需要特別注意這一過程，其中大量參數會對光刻膠厚度均勻性和控制產生重大影響。有靜態分配（分配抗蝕劑時晶片靜止）或動態分配（分配抗蝕劑時晶片旋轉）、旋轉速度和時間以及每個旋轉速度的加速度之間的選擇。還，分配的抗蝕劑的體積和抗蝕劑的性質（例如粘度、固體百分比和溶劑組成）和基材（基材和形貌）在抗蝕劑厚度均勻性方面起著重要作用。此外，旋轉操作的實際方面，例如排氣、溫度和濕度控制以及旋轉器清潔度通常對抗蝕劑膜有顯著影響。圖 1-2 顯示了一個通用的光刻膠旋涂循環。在這個循環結束時，一層厚厚的、富含溶劑的光刻膠膜覆蓋在晶圓上，準備好進行后應用烘烤。溫度和濕度控制以及旋轉器清潔度通常對抗蝕劑膜有顯著影響。圖 1-2 顯示了一個通用的光刻膠旋涂循環。在這個循環結束時，一層厚厚的、富含溶劑的光刻膠膜覆蓋在晶圓上，準備好進行后應用烘烤。溫度和濕度控制以及旋轉器清潔度通常對抗蝕劑膜有顯著影響。圖 1-2 顯示了一個通用的光刻膠旋涂循環。在這個循環結束時，一層厚厚的、富含溶劑的光刻膠膜覆蓋在晶圓上，準備好進行后應用烘烤。

盡管存在從流變學角度描述旋涂工藝的理論，但實際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數的變化必須通過實驗來確定。光刻膠旋轉速度曲線（圖 1-3）是設置旋轉速度以獲得所需抗蝕劑厚度的重要工具。最終抗蝕劑厚度在旋轉速度的平方根上變化，大致與液體光致抗蝕劑的粘度成正比。

涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應用烘烤過程，也稱為軟烘烤或預烘烤，包括在旋涂后通過去除多余的溶劑來干燥光刻膠。減少溶劑含量的主要原因是為了穩定抗蝕劑膜。在室溫下，未烘烤的光刻膠薄膜會通過蒸發失去溶劑，從而隨時間改變薄膜的性能。通過烘烤抗蝕劑，大部分溶劑被去除，膜在室溫下變得穩定。從光刻膠薄膜中去除溶劑有四個主要效果：(1) 薄膜厚度減小，(2) 曝光后烘烤和顯影性能改變，(3) 附著力提高，以及 (4) 薄膜變得不那么發粘因而不易受到微粒污染。

不幸的是，烘烤大多數光刻膠還有其他后果。在高于約 70°C 的溫度下，稱為光活性化合物 (PAC) 的典型抗蝕劑混合物的光敏成分可能會開始分解 [1.3,1.4]。此外，作為抗蝕劑的另一組分的樹脂可以在升高的溫度下交聯和/或氧化。這兩種效果都是不可取的。因此，必須尋找最佳的預烘烤條件，以最大限度地提高溶劑蒸發的好處并最大限度地減少抗蝕劑分解的危害。對于化學增幅型抗蝕劑，殘留溶劑會顯著影響曝光后烘烤過程中的擴散和反應特性，因此需要仔細控制后應用烘烤過程。幸運的是，

有幾種方法可用于烘烤光刻膠。最明顯的方法是烤箱烘烤。在 1970 年代和 1980 年代初期，對傳統光刻膠在 90°C 下烘烤 30 分鐘是典型的做法。雖然使用對流烤箱預烘烤光刻膠曾經很普遍，但目前最流行的烘烤方法是熱板。將晶片與熱的大質量金屬板緊密真空接觸或靠近。由于硅的高導熱性，光刻膠被快速加熱到接近熱板溫度（硬接觸約5秒，接近烘烤約20秒）。這種方法的最大優點是所需的烘烤時間比對流烤箱減少一個數量級，大約為一分鐘，和提高烘烤的均勻性。通常，優選接近烘烤以減少因與晶片背面接觸而產生顆粒的可能性。

當晶片從加熱板上取下時，只要晶片是熱的，烘烤就會繼續。除非晶片的冷卻也得到很好的控制，否則無法很好地控制整個烘烤過程。因此，在熱板烘烤之后總是緊接著進行冷卻板操作，其中晶片接觸或靠近冷卻板（保持在略低于室溫的溫度）。冷卻后，晶片準備好進行光刻曝光。

光刻膠操作背后的基本原理是曝光（或其他類型的曝光輻射）時，光刻膠在顯影劑中溶解度的變化。在標準重氮萘醌正性光刻膠的情況下，不溶于水性堿顯影劑的光活性化合物 (PAC) 在暴露于 350 - 450nm 范圍內的紫外線時轉化為羧酸。羧酸產物極易溶于堿性顯影劑。因此，入射到光刻膠上的光能的空間變化將引起光刻膠在顯影劑中溶解度的空間變化。

接觸和接近光刻是通過稱為光掩模的母版圖案曝光光刻膠的最簡單方法（圖 1-4）。接觸式光刻提供高分辨率（低至大約輻射的波長），但諸如掩模損壞和由此產生的低產量等實際問題使該工藝在大多數生產環境中無法使用。接近印刷通過將掩模保持在晶片上方的設定距離（例如，20μm）來減少掩模損壞。不幸的是，分辨率限制增加到大于 2 到 4 μm，使得接近打印不足以滿足當今的技術。到目前為止，最常見的曝光方法是投影印刷。
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審核編輯：湯梓紅