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淺談GaN芯片的制備工藝（GaN HEMT工藝為例）
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書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html關鍵詞： GaN 襯底
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，干法蝕刻制備的氮化鎵（GaN）側壁通常具有較大的粗糙度和蝕刻損傷，這會導致由于表面非輻射復合導致的光學散射和載流子注入損失引起的鏡面損失。詳細研究了干法蝕刻形成的GaN側壁面的濕化學拋光工藝，以去除蝕刻
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利用GaN技術實現5G移動通信：為成功奠定堅實基礎
GaN 應用到移動電話首款GaN 應用是針對大功率軍事使用開發的，例如雷達或反IED 干擾機，然后逐漸擴展至商用基站和有線電視轉播機。這些應用的典型工作電壓范圍為28 至48 V。但是，手持式設備的平均
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圖形藍寶石襯底GaN基發光二極管的研制
)藍寶石制作圖形藍寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進行MOCVD制作GaN基發光二極管(LED)外延片;最終,進行芯片制造和測試。PSS的基本結構為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
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有哪位同仁知道Motorola MPC755的詳細制備工藝嗎？是220nm的工藝，5層金屬如果知道的話，可以發到我的郵箱里mht_84@126.com多謝了啊
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肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與200-V GaN IC的單片集成
Imec 展示了高性能肖特基勢壘二極管和耗盡型 （d-mode） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 在基于 p 型氮化鎵 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上開發的 on-SOI 智能功率集成電路 （IC） 平臺。
2022-07-29 15:34:03837
837新的GaN技術簡化了驅動基于GaN的HEMT
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2022-09-19 09:33:211670
1670GaN HEMT基本概述、分類及工作原理
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表，器件在高頻功率應用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。
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3330CG2H80060D?C波段GaN HEMT管芯CREE
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876GaN基準垂直肖特基功率二極管(SBD)的設計與制備
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0絕緣柵Si基GaN平面器件關鍵工藝
傳統GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
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CHK8201-SYA?GAN HEMT微波晶體管UMS
致力于高至4GHz的普遍射頻功率應用領域需求設計。CHK8201-SYA特別適合多功能應用領域，例如空間和電信網絡 CHK8101-SYC在SIC技術上使用的GAN是種表面評估的HEMT工藝技術，根據
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103GaN HEMT大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態
2023-05-24 09:40:011375
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GaN HEMT工藝全流程
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應用于大功率和高頻電子設備。
2023-05-25 15:14:061222
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GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應，AlGaN/GaN異質結無需進行調制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎上發展而來的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551654
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量產GaN晶圓的KABRA工藝流程
半導體制造設備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片方法），并開發了一種針對GaN（氮化鎵）晶圓生產而優化的工藝。通過該工藝，可以同時提高GaN晶圓片產量，并縮短生產時間。
2023-08-25 09:43:52435
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AlGaN/GaN結構的氧基數字蝕刻
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統架構，這是GaN HEMT技術的主要挑戰之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現常關操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11292
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淺談磷酸鐵鋰的制備工藝的一般步驟
磷酸鐵鋰制備工藝多樣，主要分為固相法，液相法這兩大主流工藝。固相法是目前最成熟也是應用最廣的磷酸鐵鋰合成方法，液相法工藝難度較大。今天小編給大家介紹幾種磷酸鐵鋰制備工藝方法：
2023-10-20 09:58:141339
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GaN HEMT為什么不能做成低壓器件
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337
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工商網監
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