作為業界少數幾家加入FinFET俱樂部的公司，中芯國際已經開始使用其14 nm FinFET制造技術批量生產芯片。該公司設法開發了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點遺憾的是，中芯國際的FinFET
2019-11-19 10:40:26
6858 就在Intel稍早以公開信件說明近期處理器產能受限，并且針對市場供貨短缺情況致歉，市場傳出三星將協助Intel生產處理器產品，借此緩解Intel在14nm制程處理器產能需求。 根據韓聯社引述消息來源
2019-11-29 09:36:413979 成功批量生產14nm FinFET。因此，這也使中芯國際工廠成為中國最先進的集成生產基地。 另一方面，臺積電是一家成熟的行業供應商，其大部分業務集中在南京工廠，該工廠于2018年底投入運營。它投資30億美元，使其能夠生產20,000個12英寸晶圓廠每月。簡單來說
2020-01-14 11:21:195461 三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術，而且又類似GlobalFoundries、聯電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來說就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141742 阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業，是因為英特爾在立體晶體管（FinFET）技術方面的量產業績獲得好評。20nm工藝之前阿爾特拉一直將臺積電作為主要的代工企業，而14nm工藝的生產將只委托給英特爾
2013-03-05 08:51:201363 16nm/14nm FinFET技術將是一個Niche技術，或者成為IC設計的主流？歷史證明，每當創新出現，人們就會勾勒如何加以利用以實現新的、而且往往是意想不到的價值。FinFET技術將開啟電腦、通信和所有類型消費電子產品的大躍進時代。
2013-03-28 09:26:472161 而在22nm制程之后，能夠使晶體管密度進一步增加的14nm制程也將會很快應用于芯片制造，這將繼續提升Bay Trail處理器的性能和功耗優勢。
2013-10-18 11:00:151530 由于FPGA兩大領導業者Xilinx與Altera不斷在先進制程領域中激烈競爭，也使得Xilinx已經前進到16nm FinFET，委由臺積電進行代工，而Altera則是破天荒找上英特爾，以14nm三閘極電晶體進行生產。但在當時，市場僅僅了解的是產品制程，但對于產品本身的架構卻是一無所知。
2013-10-31 09:43:093058 英特爾正式發布了全新14nm芯片技術，并將其命名為Broadwell。
2014-08-16 21:12:333826 當今，英特爾在FinFET制程上仍屬于佼佼者，其他半導體廠商正嘗試開發3D FinFET與英特爾抗衡。IBM同樣在FinFET制程上表現突出，這也是英特爾的主要競爭對手。
2014-10-22 10:17:591615 后來進入10nm級，Intel在制程工藝層面一騎絕塵，領先三星和臺積電一代以上。不過，Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上，畢竟作為芯片一哥，需求量驚人，另外就是為FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:04957 半導體市況好熱鬧，就在臺積電透露5nm將在2019年試產之際，聯電23日也宣布，自主研發的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術，已成功進入客戶芯片量產階段，良率已達先進制程的業界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應用于電子產品。
2017-02-24 07:56:012534 ，臺積電透露5nm將在2019年試產之際，聯電2月23日也宣布，自主研發的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術，已成功進入客戶芯片量產階段，良率已達先進制程的業界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應用于電子產品。
2017-02-24 08:25:501308 使用14nm。 其實，新的制程工藝是一把雙刃劍！一般來說，在構架變化不大的情況下，升級制程工藝之后，處理器由于核心面積變得更小，會出現積熱問題；另外由于晶體管密度過高，晶體管的柵長過短，會導致漏電率大大提升。這2個因素就決定了初代10nm產品無法上高頻，只能
2020-07-28 16:27:2118704 
中芯國際第1季收入預計為全年相對低點，比去年第4季下降16%~18%。第一代FinFET 14nm制程已進入客戶驗證階段，產品可靠度與良率進一步提升，同時12nm制程開發也取得突破。
2019-02-17 20:31:531241 3 月 10 日消息從供應鏈獲悉，中芯國際 14nm 制程工藝產品良率已追平臺積電同等工藝，水準達約 90%-95%。目前，中芯國際各制程產能滿載，部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。
2021-03-10 13:42:244501 隨著半導體產業技術的不斷發展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級到到現在比較主流的10nm、7nm，而最近據媒體報道，半導體的3nm工藝研發制作也啟動
2019-12-10 14:38:41
14nm工藝的肖特基二極管和與非門導通延時是多少皮秒啊
2018-06-17 13:21:09
增強；同時也極大地減少了漏電流的產生，這樣就可以和以前一樣繼續進一步減小Gate寬度。目前三星和臺積電在其14/16nm這一代工藝都開始采用FinFET技術。圖6：Intel（左：22nm）和Samsung（右：14nm）Fin鰭型結構注：圖3、圖6的圖片來于網絡。
2017-01-06 14:46:20
Finfet技術（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內部的層狀結構
2020-07-07 11:36:10
Intel正在野心勃勃地打造22nm新工藝、Silvermont新架構的智能手機、平板機處理器，而接下來的14nm路線圖也已經曝光了。 根據規劃，在平板機平臺上，Intel將于2014年
2013-08-21 16:49:33
蘋果晶圓代工龍頭臺積電16納米鰭式場效晶體管升級版（FinFET Plus）將在明年1月全產能量產，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統級封裝（SiP）技術，在x86及ARM架構64位
2014-05-07 15:30:16
最高的晶體管密度。超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節點上提升2.7倍晶體管密度的技術。在此次“英特爾精尖制造日”活動上，英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開亮相。馬博還演示
2017-09-22 11:08:53
。這場戰役兩家大廠互有消長，首先是三星的14nm較臺積電的16nm搶先半年投入量產，因兩家大廠的鰭式晶體管(FinFET)設計也確有雷同之處，后續又衍生了競業禁止官司訴訟等故事，無論如何，最終臺積電還是
2018-06-14 14:25:19
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復合材料又是怎么一回事呢？面對美國的技術突破，中國應該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
。 計算鰭式場效應晶體管寬度 （W） 鰭式場效應晶體管的通道（鰭片）是垂直的。該設備需要牢記特定尺寸。喚起馬克斯·普朗克的“量子”，FinFET表現出一種稱為寬度量化的特性：其寬度是其高度的倍數。隨機
2023-02-24 15:25:29
從7nm到5nm，半導體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
越來越先進，臺積電的5nm制程成本也水漲船高，開發一款芯片的費用將達到5.4億美元，臺積電5nm全掩模流片費用大概要3億人民幣，而且還不包含IP授權費用。如此高的門檻，大部分公司都會選擇觀望。目前，也
2020-03-09 10:13:54
半導體發展至今，無論是從結構和加工技術多方面都發生了很多的改進，如同Gordon E. Moore老大哥預測的一樣，半導體器件的規格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
式場效應晶體管工藝，該工藝可大幅電路控制并減少漏電流，還可以大幅晶體管的柵長。)it之家了解到，3 月 10 日，據選股寶，從供應鏈獲悉，中芯 14nm 制程工藝產品良率已追平臺積電同等工藝，水準達約
2021-07-19 15:09:42
芯片除了核心數超過高通之外，在CPU性能、GPU性能、拍照、網絡等方面皆不如驍龍旗艦，而且制程工藝往往落后一代。因此，Helio X30原本規劃使用TSMC的16nm FinFET工藝，但同期的競品
2017-02-16 11:58:05
10月7日，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管
2016-10-08 09:25:15
以下小信號晶體管芯片可長期供應。S9012/S9013；S9014/S9015；5551/5401;2N4401/2N4403;D965/D882;BC817/BC807;S8050/8550
2020-04-26 08:47:07
的小珠子，使其最后形成一個10X5比例的長方形。從這個實驗不難看出，要達成這個目標非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產
2016-06-29 14:49:15
的長方形。從這個實驗不難看出，要達成這個目標非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產，并以此為資本爭奪下一代iPhone
2016-12-16 18:20:11
nm SoC封裝到一個20 nm管芯中，結果是減小了芯片間延時，降低了I/O功耗，以及電路板級成本，這說明單位晶體管成本的提高是有好處的。而不明顯的是，規劃人員通過使用晶體管來提高性能或者能效。一個
2014-09-01 17:26:49
10nm將會流片，而張忠謀更是信心十足，他直言不諱地表示10nm量產后將會搶下更高的份額。臺積電聯席CEO劉德音此前也曾在一次投資人會議上透露，公司計劃首先讓自己的10納米芯片產線在今年底前全面展開
2016-01-25 09:38:11
大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統開發人員而言，其未來會怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設計
0 引言
TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關晶體管。該器件設計的重點是它的極限參數。設計反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5610381 
據參加了比利時微納米電子技術研究機構IMEC召開的技術論壇的消息來源透露，與會的各家半導體廠商目前已經列出了從平面型晶體管轉型為垂直型晶體管（以Intel的三柵晶體管和IB
2010-06-22 08:21:47848 
近年來，芯片的發展進程始終嚴格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進行著，直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實驗室中被研制成功，業界開始有了擔憂。
2012-03-13 14:36:5127582 英特爾（Intel）日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計劃。據表示，總投資金額將超過十億美元。 英特爾（Intel） CEO Paul Otellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先
2012-05-30 11:31:11989 
本文通過高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業界一直傳說3D三柵級晶體管技術將會用于下下代14nm的半導體制造，沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:18
0 本文核心議題： 通過本文介紹，我們將對Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術有著詳細的了解。業界一直傳說3D三柵級晶體管技術將會用于下下代14nm的半導體制造，沒想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:277281 
為與臺積電爭搶下一波行動裝置晶片制造商機，格羅方德將率先導入三維鰭式電晶體（3D FinFET）架構于14nm制程產品中，預計明年客戶即可開始投片，后年則可望大量生產。
2012-10-09 12:02:37911 電子設計企業Cadence Design Systems， Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術，已經成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗芯片。
2012-11-01 09:11:031480 聯電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發新一代14奈米FinFET制程技術，預計效能可較現今28奈米制程提升35～40%，
2012-11-05 09:17:53776 雖然開發先進微縮制程的成本與技術難度愈來愈高，但站在半導體制程前端的大廠們仍繼續在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運用IBM的FinFET制程技術而設計實現之ARM Cortex-M0處理
2012-11-17 10:29:36844 在2012年度的國際電子元件大會上，有專家指出，半導體制程在14nm的節點上會迎來大挑戰，而不符合偶爾定律的要求。
2012-12-13 08:51:371034 GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm新工藝，三星電子今天也宣布，已經在14nm FinFET工藝開發之路上取得又一個里程碑式的突破，與其設計、IP合作伙伴成功流片了多個開發載具。
2012-12-24 09:28:241072 驍龍 820 此前已經傳聞將會由三星代工生產，今天三星官方正式確認了這個消息，并且表示大規模生產使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241017 外電報導指出，英特爾和展訊合作的第二款14nm手機芯片將于第3季量產，與聯發科、高通爭搶中低端市場。
2017-05-04 01:07:111039 中芯國際聯席CEO梁孟松透露，中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝，并藉此進入AI芯片領域。
2018-05-14 14:52:005009 替換高清大圖 請點擊此處輸入圖片描述 中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝，并借此進入...... 晶圓制造是目前芯片設計環節
2018-05-17 09:37:354975 勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來處理器的性能和功耗都能會獲得巨大進步。
2018-06-22 15:44:044459 中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發完成階段，其試產的良率已經可以達到95%的水準，距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠
2018-07-06 15:23:523383 根據中芯國際之前的爆料，其14nm工藝良率已達95%，進展符合預期，已經進入了客戶導入階段，正在進行驗證及IP設計。另外，中芯國際聯席CEO梁孟松宣布計劃在2019年上半年風險試產14nm FinFET。
2018-11-11 10:03:304212 XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示。現在的CPU內集成了以億為單位的晶體管，這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。
2019-02-20 11:08:0231991 雖然從技術水平上看，臺積電和三星掌握了10nm 的高端制程量產技術，格芯和聯電等掌握了高端14nm的量產技術，而中芯國際，28nm已實現量產，目前良率較低，技術處于逐步成熟階段，不過在40nm制程
2019-09-03 16:08:3628320 英特爾已經使用了 N 年的 14nm 工藝制程了，而現在這家科技巨頭似乎遇到了 10nm 的產能問題，于是 14nm++++ 成為未來兩三年內英特爾的主力制程，這也是消費者所不想要看到的。然而事實便是這樣，于是大家也就只能硬著頭皮使用英特爾的 14nm 產品了。
2019-12-02 16:31:328187 據介紹，14nm FinFET工藝使得界面態密度（Nit）提升40%以上，閃爍噪聲提高64%，數字邏輯功能芯片功耗降低34%。憑借14nm FinFET先進工藝優勢，144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001317 
在半導體制造領域，存在著明顯的金字塔模型。市場上的主流制程工藝節點從22nm、16/14nm一直到目前最先進7nm，越往上玩家越少，即將到來的5nm更是只有臺積電和三星才玩得起。
2020-01-14 10:58:5310693 我們要不要過分夸大中芯國際呢，14nm能夠發揮7nm工藝的水平？如果說14nm高于12nm，筆者是相信的，畢竟當年的iphone 6s的兩個處理器是混用的。
2020-03-09 11:59:343314 Intel之前已經宣布在2021年推出7nm工藝，首發產品是數據中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因為Intel在這個節點會放棄FinFET晶體管轉向GAA晶體管。
2020-03-11 09:51:095687 
如果說在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環繞式柵極（GAA）”技術取代FinFET晶體管技術，FinFET猶可淡定；而到如今，英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉向GAA，就已有一個時代翻篇的跡象了。
2020-03-16 15:36:392616 我們經常看到報道上說芯片制程達到了14nm、7nm、5nm，最近中芯國際在沒有ASML的EUV光刻機的情況下，實現了7nm的制程，有很多人對此感到很興奮。
2020-04-19 11:40:0525180 臺積電3納米將繼續采取目前的FinFET晶體管技術，這意味著臺積電確認了3納米工藝并非FinFET技術的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術下，在3納米制程里取得水準以上的良率。這也代表著臺積電的微縮技術遠超過其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929 作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節點的首次商業化為晶體管——芯片“大腦”內的微型開關——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成
2021-01-25 15:25:402858 
梁孟松在會議上表示：中芯國際的14nm在去年第四季度進入量產，良率已達業界量產水準。良率意對芯片至關重要，這意味著其14nm已經進入真正意義上的量產。總體來說，我們正在與國內和海外客戶合作十多個先進工藝，流片項目，包含14nm及更先進工藝技術。
2020-12-11 14:16:442648 向2nm及以下技術節點發展的演進之路。在這條令人振奮的道路上，他介紹了Nanosheet晶體管，Forksheet器件和CFET。其中一部分內容已在2019 IEEE國際電子器件會議（IEDM）上發表。 FinFET：今天最先進的晶體管 在每一代新技術上，芯片制造商都能夠將晶體管規格微縮0.7倍，從而實現15％
2020-12-30 17:45:162676 要說誰是CPU領域的常青樹，那就非14nm莫屬了，自從2014年推出首款14nm的產品之后，英特爾的這代工藝已經使用了7年之久，要知道在日新月異的半導體領域，制程水平能夠保持7年之久實在是一件極其
2021-01-15 10:58:288387 得益于從平面型晶體管到鰭式場效應管（FinFET）的過渡，過去 10 年的芯片性能提升還算勉強。然而隨著制程工藝不斷抵近物理極限，芯片行業早已不再高聲談論摩爾定律。盡管業界對環繞柵極晶體管（GAAFET）在 3nm 及更先進制程上的應用前景很是看好，但這種轉變的代價也必然十分高昂。
2021-01-27 14:56:431941 從 14nm 制程工藝產品良率來說，中芯國際生產水平已經快等同于臺積電，制程工藝產品良率可達90%-95%。
2021-03-15 16:38:231129 良品率追平臺積電，中芯國際14nm制程已經達到芯片行業高等水準，與此同時，成熟工藝訂單排至2022年，臺積電擁有良好的制作工藝和滿足需求的產能。這兩大方面，都是值得我們高興的事情。最后期待，中芯國際的制程工藝能夠被更多國內廠商使用。
2021-03-17 17:11:069320 晶體管是器件中提供開關功能的關鍵組件。幾十年來，基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時，平面晶體管開始出現疲態。為此，英特爾在2011年推出了22nm的FinFET，之后晶圓廠在16nm/14nm予以跟進。
2021-03-22 11:35:242075 近日，《烏合麒麟撤回道歉，稱3D堆疊就是芯片優化技術》事件在網上引起爭論，今天ASPENCORE記者歐陽洋蔥同學進一步對“ 14nm + 14nm 達成‘比肩’7nm 性能的問題”展開了專業的分析
2021-07-02 16:39:345583 P溝道增強型燃料效應晶體管芯片CEM4435
2021-07-12 10:26:219 而在全民熱議“清朗行動”之時，同茂線性馬達卻在微博熱搜榜的底端發現了這樣一條令人振奮的消息“國內已設計出14nm香山芯片”。
2021-09-18 09:23:271309 不久前，有消息稱國產14nm芯片將于明年量產，這一消息也代表著國產芯片迎來了黃金發展期。
2022-01-03 16:28:008959 已經進入了試產階段，并且也從華為那邊收取到了麒麟710A的訂單，中芯國際表示過其12nm制程能夠實現晶體管尺寸的縮減，相較于14nm制程，中芯國際的12nm制程將減少20%功耗和增加10%性能。 而相較于7nm芯片，12nm芯片在各方面就已經就難以追趕了，以麒麟980和麒
2022-06-27 11:19:344561 臺積電即將推出下一代先進工藝制程2nm芯片，臺積電2nm芯片棄用FinFET鰭式場效應晶體管技術，首次采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術，將于2025年開始量產。
2022-06-27 18:03:471295 IBM的2nm制程芯片采用的是什么技術？IBM 2nm制程芯片采用GAA環繞柵極晶體管技術，晶體管密度可達5nm兩倍，每平方毫米容納3.3億個晶體管，2nm芯片將計算速度要提高45%，能源效率更是提高75%，電池續航時間提升至之前的4倍。
2022-06-29 17:43:08885 有多大呢？是2nm嗎？ 其實芯片前面的數字代表的是這款芯片所采用的制程工藝，2nm即為2nm制程工藝，而制程工藝又特指芯片內部晶體管的柵極最小長度，柵極是晶體管內用于控制電流的結構，因此2nm即代表著芯片內部晶體管最小柵極長度為2nm，并不是代表整
2022-07-04 09:15:363936 到2007年，當時Intel公司在舊金山舉辦了一場演講，在那場演講中，Intel CEO展示了一款32nm制程的芯片，他表示該芯片中集成了超過19億個晶體管，Intel將會在2009年正式量產32nm制程工藝的芯片。 2010年Intel推出了Corei7≤980X，這款芯片采用了32nm制程工藝
2022-07-04 09:47:463046 在芯片設計和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7nm工藝的芯片容納的晶體管的數量，幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4621551 FinFET在22nm節點的首次商業化為晶體管——芯片“大腦”內的微型開關——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術節點面臨的難題不斷累積，FinFET的效用已經趨于極限。
2022-08-01 15:33:11952 2019年第四季度，中芯國際就表示14nm已投入量產。2021年時傳出消息，中芯國際14nm的良率達到95%，已經追平臺積電。（目前7nm也已小規模投產）
2022-11-17 15:22:38104629 繼2022年6月30日，三星電子官宣開始量產基于GAA晶體管結構的3nm芯片后，臺積電也在2022年末在臺南科學園區高調舉辦了3nm量產擴廠典禮，也就是說目前先進制程的兩大玩家都已經達成了3nm制程
2023-01-16 09:32:53560 
設計EDA工具團隊聯合國內EDA企業，共同打造了14nm以上工藝所需EDA工具，基本實現了14nm以上EDA工具國產化，預計2023年將完成對其全面驗證。 此外，華為的MetaERP將會完全用自己的操作系統、數據庫、編譯器和語言，做出自己的管理系統MetaERP軟件。 美國芯片法案限制
2023-03-27 16:27:184778 臺積電的16nm有多個版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術（16FF +）和16nm FinFET Compact技術（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 的基礎上，實現了國內14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專家的帶領下，向著更加先進的芯片制程發起沖鋒。 然而，最近在中芯國際的公司官網上，有關于14nm芯片制程的工藝介紹，已經全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進的
2023-06-06 15:34:2117915 的FinFET結構，我們比較容易理解晶體管尺寸縮小的原理。如下圖所示：那么從20nm開始到3nm，晶體管的結構都是FinFET的。結構沒有變化的條件下，晶體管尺寸
2023-12-19 16:29:01240 
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