近日，SK海力士在官網宣布，適用第四代10納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移動端DRAM（動態隨機存儲器）產品已于7月初開始量產。 自從10納米級DRAM產品開始，半導體
2021-07-12 10:57:06
4340 并入晶豪的宜揚等高層轉戰武漢新芯，并傳出華亞科前資深副總劉大維在合肥招兵買馬，開出3倍薪水挖角過去在臺有DRAM經驗的人才。不過，業界認為大陸存儲器發展關鍵在于取得合法技術，至于生產制造及人才將是次要條件。
2016-11-22 16:06:151561 業界消息指出，存儲器大廠三星電子自2月中旬起，陸續召回部分序號的18納米制程DRAM模組，原因在于這些18納米DRAM會導致電腦系統出錯及出現藍屏當機。由于三星在全球PC DRAM市占過半，據傳召回的DRAM模組數量達10萬條，業界認為將導致3月DRAM缺貨雪上加霜，合約價將再見飆漲走勢。
2017-03-06 09:34:28843 
之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴產，好景恐怕無法持續。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴產，新產線預計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 DRAM（動態隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
動態隨機存取存儲器(DRAM)第四季價格持續下跌，存儲器封測廠受到客戶要求降價，近期已同意本季調降調降封測售價5%到10%，將沖擊本季毛利表現。
2011-11-19 00:26:271152 
線寬。 ? 據了解，DRAM電路線寬被業界認定為衡量存儲器公司技術能力的重要指標，DRAM的電路線寬越窄，其功率效率就越高。 因此，過去DRAM業界的傳統就是不明確公開相關產品的確切電路線寬。 ? 并且，隨著DRAM制程技術在2016年進入10納米級制程后，DRAM制造商也普遍達
2021-05-07 10:25:351744 （Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。根據不同的生產廠商
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優勢在于結構簡單，每一個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
才會停止DRAM的投資。從目前各新興存儲器的技術進展來看，讀寫速度都已紛紛進入10ns的目標區，而且不需要更新電流(refresh current)，對功耗問題大有好處。況且這些技術也都可以3D堆疊
2018-10-12 14:46:09
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當前內存技術的比較。DRAM是計算技術中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲器-非易失性DRAM-以及它與當前
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
?！ ? 存儲器和儲存的要求不同，具體取決于其特性，包括現在已??經過時的技術 (來源：Lauro Rizza) 為了實現隨時間進展的存儲器和儲存而開發的技術，可說是人類聰明才智的典范。發明這些技術的人們利用
2017-07-20 15:18:57
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲器映射存儲器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲器分配地址的過程就稱為存儲器映射，具體見圖 5-5。如果給存儲器再分配一個地址就叫
2021-08-20 06:29:52
存儲器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲器分配地址的過程稱為存儲器映射，如果再分配一個地址就叫重映射存儲器映射ARM 將這 4GB 的存儲器空間，平均分成了 8 塊區域
2022-01-20 08:21:34
技術的日趨成熟,存儲器價格會回穩.然而就DRAM市場來說,誰也不知道DRAM的供貨何時才會穩定下來.再來看市場需求狀況,雖然有些存儲器市場分段的市場需求正在增長,但是這些分段的增長幅度并不高,可見主要的問題是來自于供給側.
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數據就能長期保存?！ ?、動態DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。 可現場改寫的非易失性存儲器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數據就能長期保存?！ ?、動態DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F場改寫的非易失性存儲器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結構【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結構：芯片參數與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結構芯片引腳解讀：【5】存儲器系統設計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進而進一步組合復雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
存儲器的帶寬信息。具體的，可以采用存儲器的SMART技術獲取存儲器的帶寬信息，上述帶寬信息可以包括存儲器的類型、存儲器的型號、存儲器的剩余帶寬、存儲器當前的讀寫速率等。102、依據上述帶寬信息選取編碼
2019-11-15 15:44:06
的應用就是應用程序存儲在Flash/ROM中，初始這些存儲器地址是從0開始的，但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長，造成其內部執行頻率不高，故一般在前面一段程序將代碼搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲器空間，將相應SRAM/DRAM映射到地址0，重新執行程序可達到高速運行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個人電腦的角度看嵌入式開發板——小白學ARM（五）各種存儲器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發板vs個人電腦各種存儲器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
商品參數存儲器容量256Mb (16M x 16)存儲器構架(格式)DRAM存儲器類型Volatile工作電壓3V ~ 3.6V存儲器接口類型Parallel
2018-10-24 11:14:57
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術
2020-12-21 07:04:49
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內存中？問題三：F429的程序存儲器和數據存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區別？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態隨機存儲器，所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
靜態隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優缺點？動態隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優缺點？
2021-12-24 07:04:20
比同容量的SRAM更少的地址引腳。二、DRAM芯片的刷新技術由于DRAM的特性決定，DRAM能存儲電荷的時間非常短暫，這樣它需要在電荷消失之前進行刷新，直到下次寫入數據或者計算機斷電才停止。每次讀寫
2010-07-15 11:40:15
問：動態儲器和靜態存儲器有什么區別？答：當然動態儲器(DRAM)與靜態存儲器(SRAM)除了速度外,它們的價格也是一個天一個地,依據實際情況進行設計,以降底產品成本,下面是它們的價紹.SRAM(靜態
2011-11-28 10:23:57
存儲器是怎樣進行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進行刷新？如何進行刷新？
2021-09-28 08:50:24
什么是EEPROM存儲器？
2021-11-01 07:24:44
半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數據讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點。關閉電源后存儲內容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術
2021-05-21 07:00:24
的的奇夢達(Qimonda)。2006第二季全球10大DRAM廠商排名 以成長性而言，由于第二季全球新增產能集中于***地區廠商力晶與茂德，因此與力晶合作的日本爾必達，與茂德合作的韓國海力士，上述策略性
2008-05-26 14:43:30
性存儲器：指當電源被關斷之后，數據隨即消失的存儲器（如.RAM隨機存儲器 ） 。這種存儲器的特點是一般采用CMOS技術，以降低功耗。并且采用并行方式傳輸數據，因而具有高速存取數據的能力。這種存儲器
2020-12-25 14:50:34
在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態存儲器 SRAM——Static RAM(動態存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節尋
2022-01-26 07:30:11
本應用筆記詳細描述了如何利用AT32系列MCU存儲器中的零等待區（ZW），實現在擦除或者編程過程中保證CPU重要內容正常運行，免受MCU失速影響。
2023-10-24 08:17:28
存儲器的基本測試技術有哪些？數字芯片測試的基本測試技術有哪些？
2021-05-13 06:36:41
Flash類型與技術特點有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅動器？如何去設計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
DRAM（動態隨機存取存儲器）類似，FRAM 也要求在每次讀取后進行內存恢復。 進行內存恢復的原因是 FRAM 存儲器單元要求在刷新功能中重新寫入已訪問的每個位，這一點與 DRAM 相同。 由于
2018-08-20 09:11:18
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）在阻變存儲器研究工作中取得進展，并被美國化學協會ACS Nano雜志在線報道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機存儲器（ReRAM）具有低廉的價格
2010-12-29 15:13:32
TPMS技術及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調換輪胎時的重新定位問題？怎么實現外置編碼存儲器輪胎定位技術？
2021-05-14 06:13:50
?過去存儲器與晶圓代工業大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點？存儲器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節外部數據存儲器各有什么區別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分，片內640字節的FLASH數據存儲器、256字節的RAM以及片外可擴展到16M字節的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內部的數據就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
目前高級應用要求新的存儲器技術能力出現。隨著電子系統需要更多的代碼和數據，所導致的結果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創新的關鍵技術特色滿足了目前電子系統的需要。針對電子系統的重點
2018-05-17 09:45:35
本文分別介紹了存儲器的分類、組成、層次結構、常見存儲器及存儲器的選擇，最后描述了計算機存儲器的一些新技術。存儲器是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據
2021-09-09 07:47:39
隨著微電子技術的迅猛發展，SRAM存儲器逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體存儲器的發展中，靜態存儲器(SRAM)由于其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細介紹關于SRAM
2022-11-17 16:58:07
打算用line-in或者mic-in錄制一段10s音頻，然后再播放，這10s音頻臨時存儲在ddr存儲器，需要怎么編程，不是很懂。
2019-06-17 06:08:10
網絡存儲器技術是如何產生的？怎樣去設計一種網絡存儲器？
2021-05-26 07:00:22
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存儲的數據在掉電是會丟失，因而只能在開機運行時存儲數據。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM動態隨機存儲器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態隨機存儲器)。ROMROM又稱只讀存儲器，只能從里面讀出數據而不能任意寫入數據。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于當代DRAM結構的存儲器控制器設計
1、引言
當代計算機系統越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 日本半導體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發出全球最薄的動態隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 傳統的存儲器解決方案有一定的局限，很難滿足下一代存儲器帶寬要求。本白皮書介
紹能夠突破這些局限新出現的存儲器解決方案。Stratix ? 10 MX DRAM 系統級封裝
(SiP)系列結合
2016-12-29 20:05:26
0 日前，存儲器芯片主要供應商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術發展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態隨機訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數據，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
大陸存儲器競賽邁向新局，甫獲得大基金入股的北京兆易創新(GigaDevice)與合肥市政府簽署合約，將砸人民幣180億元(逾新臺幣800億元)研發19納米DRAM技術，業界預期GigaDevice
2017-11-24 12:51:38431 紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產品委托專業代工廠生產。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 三星的DRAM市場表現十分強勁，并在近日宣布量產其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴大第一代DDR4 DRAM的產量。
2017-12-27 11:22:38834 目前存儲器市況呈現兩樣情，DRAM持續穩健發展，價格平穩或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 中國存儲器產業如何發展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術和發展思路等方面提出幾點思考。
2018-03-07 17:46:005860 
存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內存(如DDR)和手機內存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 存儲器市場爆發，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達到60%，首次超越邏輯電路，成為半導體第一大產品。DRAM繼續保持半導體存儲器領域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 DRAM技術上取得的進步伴隨著多內核處理器的出現、新的操作系統，以及跨多種不同運算平臺和應用的越來越多的不同要求，包括服務器、工作站、海量存儲系統、超級計算機、臺式電腦和筆記本電腦和外設。存儲器技術
2020-05-21 07:52:006238 
就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術逐漸導入EUV技術之后，存儲器產業也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產上，也在研究導入EUV技術。而除了三星之外，韓國另一家
2018-10-29 17:03:243560 半導體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態隨機存取存儲器（SRAM）、動態隨機存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011607 
盡管ㄧ些新存儲器技術已經研發出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術的列表。然而，無論哪一個技術勝出，這些新型非易失性技術系統的功耗肯定會低于現有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統。
2018-12-24 11:04:3410846 
過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2018-12-25 14:39:563068 根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系存儲器大廠美光科技（Micron）正式宣布，將采用第3代10納米級制程（1Znm）來生產新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生
2019-08-19 15:45:223148 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2019-09-10 15:24:41742 業內研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 根據韓國媒體報導，在當前存儲器價格已經觸底反彈，整體市場庫水水位也進一步降低的情況之下，三星決定開始恢復針對存儲器產業的投資。而根據知情人士的消息指出，三星最近為韓國P2晶圓廠訂購了DRAM設備
2019-10-30 15:15:302760 韓國三星電子于25已經成功出貨100萬個極紫外光刻技術（EUV）生產的業界首款10納米級DDR4 DRAM模組，將為高端PC和移動設備及企業服務器和資料中心應用等提供更先進EUV制程技術產品。 三星
2020-04-03 15:47:511009 的網絡開發和商業化，但首先讓我們看一下當前存儲器和新興的非易失性存儲器技術的特點，并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲器技術的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術與已建立的存儲器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16847 
獨立存儲器市場和相關技術的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 
最近Techinsights舉辦了一場關于存儲技術的網絡研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術的觀察與分析。以下概述了討論的相關主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 的統一組織下亮相第五屆絲博會，展出了公司研發設計的包括第四代DRAM 存儲器在內的全系列晶圓、顆粒及模組產品及全球首系列商用內嵌自檢測修復（ECC）DRAM存儲器產品。全面展示了西安紫光國芯在集成電路存儲器領域的技術實力和創新成果。
2021-05-14 14:52:502843 * 獲得近期上市的英特爾CPU“Sapphire Rapids”兼容存儲器認證? * 以DDR5積極應對服務器市場，提早克服存儲器半導體低迷期? * 第二代10納米級也一同認證，以多種產品群應對
2023-01-12 21:32:26610 在當前計算密集的高性能系統中，動態隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當前計算密集的高性能系統中，動態隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
SRAM也是易失性存儲器，但是，與DRAM相比，只要設備連接到電源，信息就被存儲，一旦設備斷開電源，就會失去信息。
這個設備比DRAM要復雜得多，它一般由6個晶體管組成，因此被稱為6T存儲器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據，電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數據的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021028 近日，三星宣布正在研發一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創新技術具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領未來內存技術的發展。
2024-01-12 14:42:03282 3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術，從而進一步降低生產 DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將納米印刷技術應用于 DRAM 生產的一些細節
2024-03-06 08:37:3562
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