***經濟日報消息，2015年半導體景氣寒風颼颼，根據研調機構Gartner（顧能）統計，2015年全球半導體營收衰退1.9%，而臺積電則逆風飛翔打敗英特爾等大廠，年營收持續成長，包括一線大廠英特爾、高通、美光均中箭落馬營收衰退，與宿敵三星電子成長11.8%名列前三名。

　　Gartner研究副總裁王端表示：“2015年期間，半導體裝置市場營收受IC庫存過高、行動產品與個人電腦（PC）需求不佳，還有平板銷售趨緩等因素影響而下滑。裝置市場成長趨緩，讓半導體制造商在決定晶圓代工訂單時趨于保守。代工業者營收成長，只能靠蘋果（Apple）對晶圓的大量需求，還有少數整合裝置制造商（IDM）對晶圓代工廠的營收轉換。”

　　在主要晶圓代工業者當中，臺積電（TSMC）2015年成長5.5%，主要是因為20奈米平面電晶體結構制程與16奈米鰭式場效電晶體（FinFET）制程推出后相當成功，滿足了應用程式處理器與基頻數據機晶片方面的需求（見表一）。格羅方德（Globalfoundries）以9.6%市占率位居第二。聯電則以45億美元營收拿下第三名，市占率為9.3%。

　　2015年第四季度，三星半導體業務出現1年多里首次環比下降。三星是全球最大的內存芯片制造商，半導體業務運營利潤為2.8萬億韓元，環比下滑25%，但同比小幅增長。除了移動設備和PC需求疲軟外，內存芯片供應過剩導致價格下跌也使三星的利潤增長低于預期。

　　根據韓國經濟報導，日前三星電子在美國硅谷舉行了一場非公開的晶圓代工論壇，邀請IC設計業者參與，三星認為現在已經無法光靠先進制程獲取穩定收益。

　　2011~2015年晶圓代工市場規模變化

　　放大單位：億美元

　　三星從2007年開始代工生產iPhone手機的行動應用處理器（AP），但在2014年之后，三星取得的蘋果訂單數量逐漸不及臺積電，為了獲得蘋果青睞，三星大舉投資研發14奈米與10奈米先進制程，但蘋果仍將9月上市在即的iPhone 7 AP訂單全數交由臺積電代工。

　　2016年4月三星集團（Samsung Group）結束經營診斷，認為三星的晶圓代工事業也應采取與臺積電相同的事業結構。

　　臺積電不只代工先進制程，已結束折舊攤提的40~180奈米產線仍用于生產，并因此創造獲利，每年營業利益率超過35%。臺積電還開始研發封裝技術，準備為客戶提供單一窗口服務（One-stop Services）。

　　業界知情人士表示，三星決定將1990年代用于生產內存的舊世代產線投入晶圓代工用途，以滿足多樣化的客戶需求。

　　據了解，為了因應持續成長的晶圓代工市場，三星內部已組成任務小組，著手研發封裝技術。

　　市調機構Gartner的數據顯示，2015年全球半導體市場規模較2014年減少2.3%，但同期晶圓代工市場規模成長了4.4%。

　　三星量產10nm級DRAM芯片

　　根據日經技術在線對三星的報道，我們看到2016年開始，三星DRAM采用10nm級工藝的工作一直在推動中，并且展示出了新產品和新工藝。

　　2016年4月5日，韓國三星電子宣布，開始量產采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產品為DDR4型8Mbit產品。

　　此次發布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級（1x）工藝制造。三星面向此次的芯片，新開發了自主設計的新存儲單元結構、四重曝光（Quadruple Patterning Technology）技術、采用極薄絕緣膜形成技術制作的厚度均勻的存儲電容等。由此，無需使用EUV裝置，可利用現有的液浸ArF裝置量產。三星還預定將此次的技術用于下一代10nm（1y）工藝的開發。

　　新款DRAM芯片支持3200Mbps的速度，較現有20nm級DDR4型芯片的2400Mbps提高了30％，而耗電量削減了10～20％。三星預定在不久的將來開發采用此次的10nm級工藝的移動DRAM。

　　該公司還將采用以此次的8Gbit產品為首的10nm級DDR4型DRAM芯片生產存儲器模塊（內存條）。將面向筆記本電腦推出4GB的模塊，面向企業服務器推出128GB的模塊。之前采用20nm級DRAM的DDR4型DRAM內存將在2016年內陸續換成10nm級產品。

　　6月7日，三星電子與美國新思科技（Synopsys）聯合舉辦的會議上公開了該公司代工業務的工藝路線圖。此次會議與第53屆設計自動化大會（53rd Design Automation Conference，DAC 2016，2016年6月5日～10日舉行）同在美國奧斯汀舉行。

　　會議的主題是“Ready to Design at 10nm！ Synopsys and Samsung Foundry 10nm Enablement for Tapeout Success”。來自三星的演講嘉賓是Foundry Marketing Samsung SSI的高級總監Kelvin Low。Kelvin Low主要圍繞10nm工藝發表了演講，同時還介紹了10nm之前的14nm以及10nm之后的7nm工藝。

　　從此次公布的路線圖來看，三星在10nm方面將首先推出“10LPE”，然后再推出“10LPP”。關于10LPE，2014年該公司公開了PDK（Process Design Kit，工藝設計套件），2015年完善了設計流程及Library IP。進入2016年之后，開始進行風險量產。后來，該公司又公開了10LPP的PDK。并打算在2016年內完善10LPP的設計流程及Library IP，并于2016年底開始進行10LPP的風險量產。10nm的正式量產將從2017年早些時候開始。另外，據Kelvin Low介紹，10LPE的性能提高到了14LPP的1.1倍，芯片面積縮小至68％，10LPP的性能提高至14LPP的1.2倍，芯片面積縮小至68％。

　　Kelvin Low還表示，10nm工藝時代將會持續很長時間。之后，將會在短時期內采用液浸ArF 7nm工藝生產。“就像平面型22nm是過渡至FinFET 14nm的中間工藝那樣，二者十分相似”。液浸ArF 7nm之后，將會迎來真正的7nm時代。真正的7nm工藝將使用EUV（Extreme Ultraviolet）曝光技術。EUV 7nm工藝可將液浸ArF 7nm工藝使用的約80枚掩膜減少至60枚左右。另外，關于兩種7nm工藝，此次的路線圖并未給出明確的時間。

　　2016年全球半導體需求下滑 競爭加劇

　　Gartner預測，2016年全球半導體營收將達3，330億美元，較2015年減少0.6%。這已是連續第二年下滑，2015年主要電子設備需求疲軟、庫存水準升高加上強勢美元持續為部分地區帶來沖擊，全球半導體營收已出現2.3%跌幅。Gartner研究總監James Hines表示：“全球半導體市場預期將出現史上第二次營收連續兩年下滑的紀錄。由于半導體業仍在等待下一波足以帶動需求的動能出現，我們預料2016年市場將下滑0.6%。”

　　個人電腦（PC）、Ultramobile與智慧手機產業紛紛下調產量預估值，2016年半導體需求也因此萎縮，且短期內似乎看不到明顯動能足以抵銷這幾個半導體關鍵市場里需求下滑的頹勢。盡管物聯網（IoT）與穿戴式電子產品等領域逐漸看到半導體商機，但相關市場仍處于開發初期，規模太小不足以對2015年整體半導體營收成長造成明顯影響。相信，隨著市場需求下滑，臺積電、三星和其他半導體廠商之間的競爭會日趨激烈。

　（本文內容部分來自Digtimes中文網、日經技術在線的報道。）