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三星NAND閃存芯片銷量開始全面超越東芝

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東京—東芝公司 (TOKYO:6502)今天宣布,該公司在閃存峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產品。
2014-09-03 11:40:13849

三星NAND閃存規格書 K9F4G08U0D

三星NAND閃存規格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635

東芝閃存芯片

東芝閃存芯片
2017-10-17 11:13:3815

東芝計劃建第7座閃存工廠(Fab7),與三星、Intel一決高下

據悉,東芝的第 6 座工廠(Fab 6)還沒有完工,東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠,韋德就是能在2018年與三星,Intel、及 SK 海力士進行實力競爭。94 層 V-NAND 閃存生產將會是東芝的下一個計劃。
2017-12-27 14:06:091773

三星開始生產第五代V-NAND閃存芯片

據外媒7月10日報道,頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規模生產其第五代V-NAND閃存芯片
2018-07-13 14:22:053682

哪些芯片廠商全面看好NAND閃存,正大刀闊斧地加碼3D NAND閃存產能?

美光、三星釋放信號僅是個開端,SK海力士、Intel、東芝、西數/閃迪等都表態在幾年內將持續擴充閃存產能,為跨入96層、甚至更高層數而加大投入力度。可見,3D NAND閃存已經成為國際存儲器廠商間的“主戰場”。
2018-07-17 10:34:084865

三星開始量產第五代V-NAND閃存,了解其性價比

面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167

東芝推出基于單層存儲單元NAND閃存的BENAND產品

東芝公司近日發布了BENAND產品。該產品基于單層存儲單元(SLC)NAND閃存,并且內嵌錯誤糾正功能(ECC)。BENAND產品正式批量生產的時間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940

東芝開始出樣64GB NAND閃存芯片

關鍵詞:東芝 , NAND , 閃存 , 芯片 芯片制造商東芝公司宣布已開始采樣64GB的NAND閃存芯片,并將其與控制芯片封裝在一起。 東芝目前向包括蘋果在內的許多智能手機和平板電腦制造商提供
2018-11-09 17:28:02268

東芝開始交付業界首款嵌入式NAND閃存模塊的樣品

(GB)嵌入式NAND閃存模塊已經開始交付樣品。該模塊完全符合JEDEC UFS 1.1版本標準,專為包括智能手機和平板電腦在內的各種數碼消費品打造。 樣品主要用于由操作系統廠商對UFS I/F及其主芯片組中的協議進行評估。 由于主芯片組數據處理速度的提高以及無線連接帶寬的擴大,市場上對可支持高分辨
2018-11-09 17:36:01215

東芝NAND閃存芯片工廠將在7月中旬前全面恢復生產

6月28日,據外媒體報道,東芝存儲公司(Toshiba Memory)表示,其位于日本中部的NAND閃存芯片工廠將在7月中旬前恢復全面生產。
2019-06-29 10:30:345239

三星借機上調閃存芯片價格 幅度10%左右

據外媒報道,受半導體材料限制出口影響,及東芝工廠停電事故。三星電子將借機帶頭調整NAND Flash閃存芯片的價格,幅度10%左右!
2019-07-12 11:28:062785

東芝開始研究5bitPLC的NAND閃存 PLC將有更少的PE和更慢的性能

根據Tom‘s Hardwared的報道,東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存,以及PLC的NAND開發。
2019-08-26 16:15:583539

中國NAND閃存企業開始崛起或將擠身前列

2019年全球市場“主要商品與服務份額調查”顯示,用于保存數據的NAND閃存的市場份額排名依舊是三星電子第1、鎧俠(KIOXIA,原東芝存儲器)第2。不過,眼下中國企業開始崛起,有可能擠身前列。
2020-09-07 16:18:55801

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構成SSD的主要IC有主控芯片NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

三星NAND閃存市場將面臨哪些挑戰?

眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競爭對手開始表現出更好的工藝,它們似乎在挑戰三星的技術能力。
2021-02-26 15:49:372217

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281

三星西安工廠將引進236層NAND芯片生產設備

 三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一,在nand閃存市場尚未出現恢復跡象的情況下,在nand閃存市場保持世界領先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導體景氣低迷的影響,三星nand銷量增加,從而使虧損擴大。
2023-10-16 14:36:00833

三星計劃NAND閃存芯片每個季度漲價20%

三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉整個閃存市場,穩定NAND閃存價格,并實現明年上半年逆轉市場等目標。
2023-11-03 17:21:111214

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22220

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