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臺積電又跳過22nm工藝 改而直上20nm
臺積電又跳過22nm工藝 改而直上20nm
為了在競爭激烈的半導體代工行業(yè)中提供最先進的制造技術，臺積電已經決定跳過22nm工藝的研發(fā)，直接上馬更高級的20nm工藝。
有趣的是，臺積電和GlobalFoundries這兩大代工廠此前已經不約而同地先后取消了32nm Bulk工藝，都直奔28nm HKMG工藝而去。再往前追溯，臺積電還曾經取消45nm工藝而改為推行40nm，結果花了很長時間才解決良品率問題，對AMD、NVIDIA新一代顯卡產生了嚴重影響。
臺積電研發(fā)部門高級副總裁蔣尚義(Shang-yi Chiang)對1500多名臺積電客戶和第三方伙伴表示，跳過22nm而邁向20nm能帶來更高的柵極密度和芯片性能，對高級技術設計師來說將成為一個更切實可行的新平臺。據了解，臺積電22nm工藝將采用增強型高K金屬柵極(HKMG)、應變硅、低電阻銅超低K互聯等技術。
蔣尚義宣布，臺積電預計在2012年下半年開始20nm工藝的風險性試產，而根據他此前的說法，新工藝初期只有高性能版本，2013年第一季度再增加低功耗版本。
蔣尚義還透露，臺積電已經成功演示了其他類型晶體管結構的可能性，比如FinFET。
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(責任編輯：發(fā)燒友)
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