輔以設計工具和快速原型制造的先進硅銅工藝，可快速開發高性價比的射頻前端產品
2010年5月27日 – 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術——IPD2。這新工藝是公司增強既有的HighQ™硅銅(copper on silicon) IPD技術，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強了電感性能，提高了靈活性，配合設計高精度、高性價比的集成無源元件，用于便攜電子設備中的射頻(RF)系統級封裝應用。
HighQ™ IPD2工藝是安森美半導體定制代工部眾多創新制造服務之一，采用先進的8英寸晶圓技術，典型設計包括平衡/不平衡轉換器(balun)、低通濾波器、帶通濾波器和雙工器，用于最新便攜和無線應用。基于IPD2的設計為電路設計人員提供重要優勢，如降低成本、減小厚度、小占位面積，以及更高性能(等同于延長電池使用時間)。
安森美半導體為其IPD2工藝技術提供全功能設計工具和設計支援，以及快速的原型制造能力，幫助潛在用戶快速和高性價比地評估，不管他們復雜度較低的分立或集成印制電路板(PCB)方案、較厚也較昂貴的陶瓷方案，還是基于更昂貴的砷化鎵金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否適合轉換至IPD2工藝。
安森美半導體定制代工部高級總監Rick Whitcomb說：“在高性價比、小尺寸和低插入損耗的平臺上集成無源器件，能為電池供電便攜電子產品設計人員提供極有用的方案。我們以全套設計工具和技術配合這新工藝，能夠幫助客戶以最短的時間和最大的信心，從效用相對較低的技術轉換至我們的IPD2工藝。”
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(責任編輯：發燒友)
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