聯(lián)柵晶體管(GAT)是什么意思?

?聯(lián)柵晶體管是一種新型功率開關(guān)半導(dǎo)體器件，簡(jiǎn)稱GAT。GAT是介于雙極型晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)之間的特種器件，兼有BJT和FET的雙重優(yōu)點(diǎn)，特別適合用作熒光燈電子鎮(zhèn)流器中的功率開關(guān)。其主要特點(diǎn)為：(1)動(dòng)態(tài)損耗小，開關(guān)速度快；(2)二次擊穿耐壓高，功率容量和安全工作區(qū)大；(3)具有負(fù)的溫度系數(shù)，熱穩(wěn)定性好：(4)抗沖擊能力和抗高頻輻射能力強(qiáng)，保證電路工作頻率的穩(wěn)定。

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??? GAT的等效電路結(jié)構(gòu)如圖3所示。國外型號(hào)有：C2621、C2333等，2SG系列是國產(chǎn)代表性產(chǎn)品之一。目前有的廠家將兩只GAT接成推拉方式封裝在一起，組成模塊，給使用帶來方便。圖2示出的是2DM模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，2DM模塊的型號(hào)及主要特性參數(shù)如表1所示。采用2DM模塊作功率開關(guān)器件的16 w雙D型電子節(jié)能燈電路如圖3所示。除采用GAT作為功率開關(guān)晶體管取代BJT或VD—MOST外，就電路結(jié)構(gòu)本身而言，并沒有特別之處。

???? GAT的特性比較接近雙極性靜電感應(yīng)晶體管(BsIT)。使用這種器件時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：(1)GAT屬于? 電流驅(qū)動(dòng)型，其激勵(lì)電壓幅度比一般BJT高，峰值驅(qū)動(dòng)脈沖達(dá)3．5 V左右。因此，為選擇最佳工作點(diǎn)，對(duì)脈沖變壓器初、次級(jí)繞組匝數(shù)及基極限流電阻應(yīng)調(diào)整到合適值，否則GAT將無法正常工作；(2)GAT的輸入阻抗略高于BJT，但低于FET，當(dāng)其工作于高頻狀態(tài)下時(shí)，可在輸入回路并一只容量合適的小電容；(3)GAT開關(guān)速度非常快，使用中應(yīng)注意設(shè)法避免或抑制寄生振蕩。

聯(lián)柵晶體管（Gate Associated Transistor:GAT）是一種介于雙極型晶體管和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間的電流控制型電力電子器件。聯(lián)柵晶體管GAT有獨(dú)特的基區(qū),它由FET和標(biāo)準(zhǔn)的雙極晶體管組成. 和通常的晶體管相比,GAT 最卓著的特點(diǎn)是在正向和反向都有寬廣的安全工作區(qū)(SOA)。SOA的改善是由于柵極的屏蔽效應(yīng),它抑制了基區(qū)的電流擁擠和集電區(qū)的雪崩效應(yīng). 聯(lián)柵晶體管GAT具有高壓和高速的工作特性.高頻GAT的最大振蕩頻率可達(dá)400MHz,而集電極-發(fā)射極的擊穿電壓BVCEO則達(dá)240V.工作在30MHz的B類放大器輸出功率可達(dá)52W,功率增益20.2dB以及效率為68%。

其它的報(bào)道表明,通過縮小柵區(qū)間隔和深度,可以在大電流密度的集電極區(qū)得到更高的電流增益和更高的開關(guān)速度.也可以采用多個(gè)發(fā)射極結(jié)構(gòu)和提高基區(qū)和集電區(qū)的摻雜濃度來提高性能.優(yōu)化這些參數(shù),功率GAT的BVCEO電壓可達(dá)630V,集電極電流可達(dá)50A,共發(fā)射極的電流增益為30,而上升時(shí)間則為0.1us。

聯(lián)柵晶體管主要可用在節(jié)能燈的電子鎮(zhèn)流器。

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