晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思

晶體管耗散功率也稱(chēng)集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。耗散功率與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系。硅管的結(jié)溫允許值大約為150°C，鍺管的結(jié)溫允許值為85°C左右。要保證管子結(jié)溫不超過(guò)允許值,就必須將產(chǎn)生的熱散發(fā)出去.晶體管在使用時(shí)，其實(shí)際功耗不允許超過(guò)PCM值，否則會(huì)造成晶體管因過(guò)載而損壞。 通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱(chēng)為小功率晶體管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱(chēng)為中功率晶體管，將PCM等于或大于5W的晶體管稱(chēng)為大功率晶體管。

如果給晶體管發(fā)射結(jié)施加征象偏壓，給集電結(jié)施加反向偏壓，使晶體管正常工作，那么電源在晶體管總的耗散功率為：.實(shí)際使用時(shí)，集電極允許耗散功率和散熱條件與工作環(huán)境溫度有關(guān), 增加散熱片或增加風(fēng)冷卻,可提高PCM。所以在使用中應(yīng)特別注意值IC不能過(guò)大，散熱條件要好。

耗散功率和晶體管的熱阻有很大的關(guān)系. 而晶體管的熱阻是表征晶體管散熱能力的一個(gè)基本參量,該參量對(duì)于大功率晶體管的設(shè)計(jì),制造和使用尤為重要.所謂熱阻就是單位耗散功率引起結(jié)溫升高的度數(shù)，其單位為℃/W。可由下面的公式表示:

由熱傳導(dǎo)的途徑，可以把一般晶體管的熱阻分為兩部分，即：

其中的是熱流由管子底座向周?chē)諝饣蚱渌橘|(zhì)散熱的熱阻，是熱流由集電結(jié)至晶體管底座的熱阻。熱阻和晶體管的封裝有很大的關(guān)系.可見(jiàn)下圖。

集成電路的熱阻和晶體管的熱阻大至相同. 集成電路(IC)的散熱主要有兩個(gè)方向，一個(gè)是由封裝上表面?zhèn)鞯娇諝庵校硪粋€(gè)則是由IC向下傳到PCB板上，再由板傳到空氣中。當(dāng)IC以自然對(duì)流方式傳熱時(shí)，向上傳的部分很小，而向下傳到板子則占了大部分，以導(dǎo)線(xiàn)腳或是以球連接于板上的方式，其詳細(xì)的散熱模式不盡相同。

封裝熱阻的改善手段主要可透過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料性質(zhì)改變以及外加散熱增進(jìn)裝置三種方式. 其中影響最大的加裝散熱器,但這會(huì)增加制造成本和復(fù)雜性。