通過(guò)對(duì)組成原理的學(xué)習(xí)，給我的第一個(gè)感受就是概念太多，文中隨便拿出一段話就可以當(dāng)考題，這兩天經(jīng)過(guò)我對(duì)2001到2003年試卷的分析，感覺(jué)每年的內(nèi)容都差不多，尤其是最后的35分。下面我就對(duì)最后的35進(jìn)行一下總結(jié)，希望對(duì)大家的復(fù)習(xí)有一些幫助。

一、計(jì)算題（10分）
這三年，考了2次補(bǔ)碼一位乘法和1次原碼一位乘法。基本上沒(méi)什么新鮮的，跟書上一樣。大家一定要把書上畫表格一步一步的計(jì)算方法記下來(lái)，考試的時(shí)候要求寫出每一步的具體過(guò)程。這里要求大家的補(bǔ)碼換算要清楚。運(yùn)算的方法一定要明白，不用我多說(shuō)了吧！看看書，不會(huì)得趕緊問(wèn)。

二、單總線處理器結(jié)構(gòu)的指令流程圖（10分）
圖我就不畫了，書上第98頁(yè)有。下面我講幾個(gè)例題，讓大家了解一下。
要求：?jiǎn)慰偩€的CPU結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)下列命令。

例1、ADD R1,R2 (注：此為寄存器尋址方式)
PC->MAR，讀
PC+1->PC
DBUS->MDR->IR
R2->Y
R1+Y->Z
Z->R1

例2、ADD (R1),R2 (注：考題，此為寄存器間接尋址方式)
PC->MAR，讀
PC+1->PC
DBUS->MDR->IR
R1->MAR，讀
DBUS->MDR
MDR->Y
R2+Y->Z
Z->MDR，寫

例3、ADD R1,(mem) （注：此為存儲(chǔ)器間接尋址方式）
PC->MAR，讀
PC+1->PC
DBUS->MDR->IR
IR(mem)->MAR，讀
DBUS->MDR
MDR->Y
R1+Y->Z
Z->R1

通過(guò)這幾道題大家可能對(duì)這種考題有了基本的了解，還有就是大家一定要對(duì)那些尋址方式要清楚，如果出一個(gè)寄存器相對(duì)尋址，你根本不清楚那就完了，寫完前幾步就結(jié)束了，但是考的可能性不大。

還有一個(gè)：
例4、試擬出無(wú)條件轉(zhuǎn)移指令JMP (A)的讀取和執(zhí)行流程。指令中R1表示源尋址為寄存器尋址，(A)表示目的尋址為存儲(chǔ)器間接尋址。
PC->MAR，讀
PC+1->PC
DBUS->MDR->IR
IR(A存儲(chǔ)器地址)->MAR，讀
DBUS->MDR
MDR->MAR，讀
DBUS->MDR
MDR->PC

三、存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)題（15分）
對(duì)于存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)題的一般形勢(shì)是給你一個(gè)基本的存儲(chǔ)芯片，然后讓你在它的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)一個(gè)存儲(chǔ)器。
這三年的考題基本上都涉及到字?jǐn)U展和位擴(kuò)展。對(duì)于字?jǐn)U展和位擴(kuò)展大家都清楚么？先讓我來(lái)說(shuō)說(shuō)吧！字?jǐn)U展就是數(shù)據(jù)位數(shù)不夠需要將2個(gè)或者2個(gè)以上的存儲(chǔ)芯片并行使用而提高位數(shù)，也就提高數(shù)據(jù)線的條數(shù)。字?jǐn)U展呢就是存儲(chǔ)容量不夠需要串聯(lián)n個(gè)芯片來(lái)擴(kuò)大容量，容量擴(kuò)大了那么地址線的條數(shù)就要多了。

光說(shuō)不練假把式，好了還是讓我們一起分析一道題吧！

例、用16K×8位/片的存儲(chǔ)芯片構(gòu)成一個(gè)64K×16的存儲(chǔ)器，地址線A15--A0（低），雙向數(shù)據(jù)線D15--D0（低），WE非控制讀寫，CS非為片選輸入端。畫出芯片級(jí)邏輯圖，注明各種信號(hào)線，列出片選邏輯式。

分析：首先給定的存儲(chǔ)芯片是16K×4位的，從這里能看出容量16K，數(shù)據(jù)線8條。要就設(shè)計(jì)成64K×16的存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)線是16條，所以需要2塊存儲(chǔ)芯片并聯(lián)才成（位擴(kuò)展）。容量64K所以需要4片串聯(lián)達(dá)到要求（字?jǐn)U展），總共需要多少芯片呢？4*2=8片芯片。下面讓我們來(lái)畫圖：