8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上，下半年量產(chǎn) 據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開發(fā)出第三代10nm級(jí)1z nm 8Gb雙倍數(shù)據(jù)
2019-10-22 10:41:21
4639 ，隨著近期DRAM內(nèi)存的價(jià)格普遍開始下降，跟隨這一趨勢(shì)的DDR5內(nèi)存似乎終于有了用武之地。那么DDR5內(nèi)存的價(jià)格為何一開始那么貴呢，難道真的就是剛推出新技術(shù)帶來的高附加值？ ? PMIC的供應(yīng)困難 ? DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從
2022-07-12 08:27:008644 DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成，DDRSDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的縮寫。DDRSDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率接口，也就是在時(shí)鐘的正沿或負(fù)沿都需要對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣。在本設(shè)計(jì)中采用的內(nèi)存是hynix公司的lGB的HYMD564M646CP6-J。
2011-01-21 13:37:023465 
廉價(jià)的雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存（以及DDR2和DDR3等后來的版本）為臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦的工作內(nèi)存提供了支柱。通過在脈沖序列的前沿和后沿上為存儲(chǔ)器提供時(shí)鐘，存儲(chǔ)器吞吐量加倍，而功耗僅略微增加。
2019-03-25 08:48:004083 
傳統(tǒng)上，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）技術(shù)依賴于時(shí)序測(cè)量，例如建立和保持時(shí)間。隨著標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展和傳輸速率的提高，信號(hào)完整性變得更具挑戰(zhàn)性。 對(duì)于DDR5，定時(shí)測(cè)量已被數(shù)據(jù)和命令地址信號(hào)的眼圖模板測(cè)量所取
2022-12-07 14:34:271944 
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061891 
在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種高帶寬的存儲(chǔ)器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101481 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個(gè)時(shí)代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對(duì)比分析。
2011-12-29 14:21:563149 日本著名存儲(chǔ)設(shè)備制造商Century Micro近日宣布即將推出新的DDR4內(nèi)存模塊，具有3，200 MHz的原生速率。
2019-07-07 10:37:453120 我們知道DDR3內(nèi)存條，通常有個(gè)速率DDR3-800，DDR3-1066，DDR3-1333等，這個(gè)說明他們的最高工作頻率不能超過400MHz，533MHz。。。但還有一個(gè)最低工作頻率要求，請(qǐng)問在DDR3內(nèi)存條顆粒是那個(gè)指標(biāo)？為什么有這個(gè)要求？
2012-10-23 22:52:34
;DDR/SD---------0—4G內(nèi)存識(shí)別: 自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞
2009-03-13 15:46:57
2---------0—8G DDR/SD---------0—4G內(nèi)存識(shí)別: 自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。  
2009-08-17 23:00:19
傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)
2011-02-27 16:47:17
800Mbps。但是DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)卻是雙倍速率的，如果DQS頻率為800MHz，那么數(shù)據(jù)信號(hào)的速率就應(yīng)該為1600Mbps。下面將通過具體的仿真實(shí)例來看一下。有興趣的朋友可戳附件下載。
2016-11-08 16:59:51
內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM
2023-08-02 08:30:00
這是DMC-500的高級(jí)概述。
DMC-500是由ARM開發(fā)、測(cè)試和許可的ARM AMBA?SoC外圍設(shè)備。
它是一款高性能、面積優(yōu)化的內(nèi)存控制器，與AMBA 4 AXI協(xié)議兼容。
它支持以下存儲(chǔ)設(shè)備：
·低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率3(LPDDR3)SDRAM。
·LPDDR4 SDRAM。
2023-09-04 07:05:12
以下內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
任選的時(shí)鐘占空比穩(wěn)定器LTC2270/能單獨(dú)輸出電源的LTC2270 數(shù)字輸出可以是全速率 CMOS、雙倍數(shù)據(jù)速率 CMOS 或雙倍數(shù)據(jù)速率 LVDS.一個(gè)單獨(dú)的輸出電源提供了 1.2V 至 1.8V 的 CMOS 輸出擺幅。
2019-11-01 09:10:40
雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存同時(shí)對(duì)時(shí)鐘的前沿和下降沿計(jì)時(shí)。它使數(shù)據(jù)通過速度翻了一倍，且系統(tǒng)功耗增加極少。 高數(shù)據(jù)速率要求時(shí)鐘分配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)要倍加小心，以此來最小化振鈴和反射效應(yīng)，否則可能會(huì)導(dǎo)致對(duì)邏輯器件
2012-02-09 11:09:02
功能是將內(nèi)存系統(tǒng)變成雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存系統(tǒng)的原因。“單泵”存儲(chǔ)系統(tǒng)采用歷史悠久的策略將數(shù)據(jù)從一個(gè) IC 同步移動(dòng)到另一個(gè) IC。基本上，邏輯信號(hào)每個(gè)時(shí)鐘周期改變一次，并在時(shí)鐘的上升沿或下降沿
2023-02-23 16:57:31
，內(nèi)部命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以時(shí)鐘為基準(zhǔn)。DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM ) 的不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)
2022-10-26 16:37:40
，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM 相同的總線
2019-08-01 10:17:46
我的設(shè)計(jì)輸入時(shí)輸入時(shí)鐘頻率為150Mhz，用于視頻輸入接口的雙倍數(shù)據(jù)速率。但是，我發(fā)現(xiàn)保持時(shí)間錯(cuò)誤如下所示：// HOLD時(shí)間ERROR名稱松弛水平高扇出從至總延遲邏輯延遲凈延遲需求源時(shí)鐘目的地時(shí)鐘
2020-05-01 14:42:58
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 14:02:58
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 13:58:55
描述此參考設(shè)計(jì)介紹高可靠性應(yīng)用（基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC)）中具有糾錯(cuò)碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器接口的系統(tǒng)注意事項(xiàng)。其中
2022-09-15 06:26:24
，也就是說數(shù)據(jù)速率是時(shí)鐘頻率的兩倍，可以達(dá)到很高的數(shù)據(jù)讀寫速度。此外它通過對(duì)地址線的分時(shí)復(fù)用，可以做到很大的容量。比如我們?cè)O(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的DDR內(nèi)存時(shí)鐘頻率可達(dá)到150MHz，數(shù)據(jù)速率為300MHz，容量
2019-04-12 07:00:09
DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDR SDKAM芯片互連組成，DDR SDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的縮寫。DDR SDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率接口，也就是在時(shí)鐘的正沿或負(fù)沿都需要對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣。
2019-08-15 07:32:03
描述此參考設(shè)計(jì)介紹高可靠性應(yīng)用（基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC)）中具有糾錯(cuò)碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器接口的系統(tǒng)注意事項(xiàng)。其中
2018-10-22 10:20:57
內(nèi)存控制器/ ddr（1 2或3）連續(xù)帶寬有多大。我看到每秒大約800兆比特的音符，這是真的嗎？ 對(duì)于運(yùn)行在120加MHz時(shí)鐘，雙倍數(shù)據(jù)速率和32位寬的DDRx來說，它似乎很低？就像12中的一個(gè)時(shí)鐘
2019-06-21 07:35:14
DDR內(nèi)存SPD資料,DDR8X16 266,DDR16X8 266,DDR16X8 333,DDR16X16 266,DDR32X8 266,DDR32X8 400,DDR64X4 266,DDR 8X16.
2008-10-27 21:02:37
205 如何有效地在ATE上提高DDR存儲(chǔ)器接口測(cè)試覆蓋率葉慶, 郭錚, 楚中曙, 粟涯上海交通大學(xué)微電子學(xué)院，上海，中國(guó)，200122摘要：雙倍數(shù)據(jù)速率（ DDR， Double Data Rate）DRAM由于其速
2009-12-15 14:58:2231 ddr內(nèi)存針腳定義圖
2008-04-28 13:45:414210 
DDR2內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn) DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也
2009-04-26 18:05:40786 
什么是DDR SDRAM內(nèi)存
DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù)，DDR，英文原意為“DoubleDataRate”，顧名思義，就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也
2009-12-17 11:15:531646 DDR SDRAM內(nèi)存
DDR SDRAM是Double Dat
2009-12-17 16:20:33684 DDR2內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28621 用高帶寬混合信號(hào)示波器進(jìn)行DDR驗(yàn)證和調(diào)試的技巧
?? DDR存儲(chǔ)器，也稱雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，常用于高級(jí)嵌入式電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，包括計(jì)算機(jī)、交通運(yùn)
2010-03-02 11:08:48583 
DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 泰科電子(TE)按照J(rèn)EDEC工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推出了新型超低型VLP (very low-profile)第三代雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR3)雙列直插式內(nèi)存模組(DIMM)插槽。
該產(chǎn)品最高卡扣高度為16毫米，進(jìn)而減小
2010-12-11 09:18:451583 DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透
2011-04-11 11:16:415555 
DDR2 SDRAM (雙倍數(shù)據(jù)速率2同步DRAM)存儲(chǔ)器是當(dāng)前流行的動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)技術(shù)。SDRAM 已經(jīng)從DDR 演進(jìn)到DDR2 和DDR3，實(shí)現(xiàn)了容量更大、速度更快的存儲(chǔ)器。其當(dāng)前的性能水平是DDR2/800
2011-05-14 15:26:1921 Cyclone 系列芯片是美國(guó)A ltera 公司推出的低價(jià)格、高容量現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列器件(FPGA ) , 本文概述了他的主要特點(diǎn), 給出了其在與外部存儲(chǔ)器接口時(shí)用到的雙倍數(shù)據(jù)率輸入輸出接口的設(shè)計(jì)方
2011-06-27 16:27:4145 DDR SDRAM 全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為雙倍數(shù)據(jù)流 SDRAM 。DDRSDRAM 在原有的SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因?yàn)槿绱耍?b class="flag-6" style="color: red">DDR 能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本 優(yōu)勢(shì)來打敗昔日的對(duì)手RDRAM，成為當(dāng)今的主
2011-07-12 09:48:02712 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計(jì)將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:461708 CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān),傳統(tǒng)上，邏輯系統(tǒng)僅對(duì)一個(gè)時(shí)鐘沿的數(shù)據(jù)計(jì)時(shí)，而雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存同時(shí)對(duì)時(shí)鐘的前沿和下降沿計(jì)
2011-12-16 17:56:323609 
DDR SDRAM 全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為雙倍數(shù)據(jù)流SDRAM。DDRSDRAM 在原有的SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因?yàn)槿绱耍?b class="flag-6" style="color: red">DDR 能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)來打敗昔日的對(duì)手RDRAM，成為當(dāng)今的主流
2013-09-13 15:17:30210 廉價(jià)的雙數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存制造（以及后來的變種如DDR2和DDR3）提供了在臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦的工作記憶的主體。
2017-06-14 09:26:168 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮砜纯?b class="flag-6" style="color: red">DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 5的規(guī)范制定已經(jīng)到0.5版本，會(huì)在DDR4的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍，單顆粒容量可達(dá)32Gb，并預(yù)計(jì)會(huì)在2020年開始商用。 很多人會(huì)把DDR5和顯卡上使用的GDDR5技術(shù)混淆，實(shí)際上兩者應(yīng)用場(chǎng)合不一樣。下面這張圖展示了目前三種主流內(nèi)存技術(shù)（DDR、GDDR、LPDDR）的速度對(duì)比和應(yīng)用場(chǎng)合。
2017-11-15 16:36:0340425 
DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為雙倍數(shù)據(jù)流SDRAM。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因?yàn)槿绱耍?b class="flag-6" style="color: red">DDR能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)
2018-03-16 14:24:0132 DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic
2018-05-23 16:07:1950490 
DDR 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （Synchronous Dynamic Random Access Memory， SDRAM）控制器使用雙倍數(shù)據(jù)速率（Dual Data Rate，DDR）版本
2018-05-30 09:29:007 大家好，我叫Paul Evans，是Stratix III產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理。到目前為止，我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器工作，今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯(cuò)
2018-06-22 05:00:008250 1GB DDR2 SDRAM被組織為32兆位X 4 I/OS X8BANS、16Mbit X 8 I/OS X8BANS或8Mbit X 16 I/OS X 8 BooStand設(shè)備。該同步裝置實(shí)現(xiàn)了高達(dá)800Mb/sec/pin（DDR2-800）原生應(yīng)用的高速雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率。
2018-11-01 11:46:2930 DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic
2019-02-04 11:40:007240 TPS51200器件是專為低輸入電壓，低成本，低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的接收器和源雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）終端穩(wěn)壓器，空間是關(guān)鍵考慮因素。
2019-08-26 17:30:004 FCI開發(fā)了一系列垂直內(nèi)存插槽，可接受標(biāo)準(zhǔn)DDR2（雙倍數(shù)據(jù)速率）內(nèi)存模塊組件，以便在臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器中實(shí)現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展。 240位DDR2垂直連接器提供用于焊接端接的直通式引線或用于壓配端接的“針眼”引線。
2019-10-06 15:56:002651 DDR：Double Date Rate 雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
2019-08-19 09:30:343501 當(dāng)今電子產(chǎn)品一個(gè)很重要的區(qū)分元素是其所用的存儲(chǔ)器。服務(wù)器、計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、游戲機(jī)、GPS 以及幾乎所有類似產(chǎn)品使用的都是現(xiàn)代處理器和 FPGA。這些設(shè)備需要高速、高帶寬、雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器才能運(yùn)行。
2019-12-11 13:52:134259 20 世紀(jì) 90 年代后期，存儲(chǔ)器接口從單倍數(shù)據(jù)速率 （SDR） SDRAM 發(fā)展到了雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） SDRAM，而今天的 DDR2 SDRAM 運(yùn)行速率已經(jīng)達(dá)到每引腳 667 Mb
2020-04-12 10:57:53995 
傳輸。SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可傳輸兩次數(shù)據(jù)，也就是在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。下面英尚微電子介紹DDR SDRAM內(nèi)存發(fā)展歷程。 （1）DDR SDRAM DDR SDRAM雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它是
2020-07-16 15:44:101938 今年，小米10等智能手機(jī)都開始用上了LPDDR5內(nèi)存，此后，這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過在PC端，DDR5內(nèi)存還是需要等待的，英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品
2020-07-30 15:27:122481 的數(shù)據(jù)傳輸量，這也是 DDR 的意義——Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說，DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬，而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM
2020-10-30 10:51:48721 的數(shù)據(jù)傳輸量，這也是 DDR 的意義——Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說，DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬，而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM 卻只能提供 1.06GB/s 的內(nèi)存帶寬。
2020-12-23 11:38:0011 DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了，2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，但是新一代平臺(tái)值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:512518 我們知道，傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的，也就是必須維持通電才能保持數(shù)據(jù)，一旦斷電就都沒了。 Intel創(chuàng)造了Optane傲騰持久內(nèi)存，做到了非易失性，也兼容DDR DIMM，但僅用于數(shù)據(jù)
2021-02-19 10:04:021546 美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存，比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%，提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:161784 DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片（PMIC）。
2022-07-12 09:58:503918 注意，這里的DDR指的是Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2022-08-20 10:29:281748 
TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器，專門針對(duì)低輸入電壓、低成本、低噪聲的空間受限型系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2022-09-30 09:47:35665 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:483592 瑞薩為雙倍數(shù)據(jù)速率 5 (DDR5) 應(yīng)用提供 SPD 集線器、電源管理 IC (PMIC)、溫度傳感器和控制 MCU。該解決方案允許自定義可尋址 RGB (ARGB) 照明，具有多達(dá)數(shù)百萬種顏色可供選擇，從而可以輕松地為 PC 添加個(gè)人風(fēng)格。
2022-12-09 14:55:591 一、DDR3簡(jiǎn)介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915 DDR3 SDRAM使用
雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高速操作。
雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)是一種8n預(yù)取架構(gòu)，其接口經(jīng)過設(shè)計(jì)，可在I/O引腳上每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩個(gè)
數(shù)據(jù)字。
DDR3 SDRAM的單個(gè)讀或?qū)懖僮饔行У匕?/div>
2023-02-06 10:12:003 DDR的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有哪些 DDR簡(jiǎn)介 （1）DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM
2023-03-07 13:49:18830 雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）最近越來越受歡迎。DDR 內(nèi)存需要跟蹤主內(nèi)存電壓 VDDQ 的主動(dòng)端接 VTT。本應(yīng)用筆記提供開關(guān)穩(wěn)壓器方案，利用MAX1957脈寬調(diào)制（PWM）降壓控制器為VTT端接提供1/2跟蹤輸出。
2023-03-13 09:35:231342 
串行數(shù)據(jù)傳輸與并行數(shù)據(jù)傳輸相比具有重要優(yōu)勢(shì)，在許多系統(tǒng)中，這些優(yōu)勢(shì)足以證明添加串行化和反串行化的并行數(shù)據(jù)電路是合理的，以便它可以作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而，計(jì)算機(jī)內(nèi)存是一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，其中并行數(shù)據(jù)傳輸仍然
2023-04-06 15:02:30611 
7系列設(shè)備在ILOGIC塊中具有專用寄存器，用于實(shí)現(xiàn)輸入雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）寄存器。此功能用于實(shí)例化IDDR基元。
2023-05-29 09:46:051437 
注意，這里的DDR指的是Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2023-06-16 10:22:06781 
DDR是DDR SDRAM的簡(jiǎn)稱，只是人們習(xí)慣了稱之為DDR，全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名為：雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步是指需要時(shí)鐘。
2023-06-25 15:06:404908 
本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103381 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823 在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42752 
在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對(duì)數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。面對(duì)這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名
2023-10-19 11:00:01314 
前所未有的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。面對(duì)這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的DDR（DoubleDataRate）技術(shù)作為動(dòng)
2023-10-28 08:13:26624 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003905 DDR內(nèi)存條的設(shè)計(jì)
2022-12-30 09:20:0321 低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257 
DDR是指雙倍數(shù)據(jù)速率的同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問內(nèi)存（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory），它是SDRAM家族的一員。DDR
2023-12-11 09:27:49320 DDR加終端匹配電阻和不加信號(hào)質(zhì)量的區(qū)別? DDR（雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率）是一種常用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。在DDR中，終端匹配電阻和信號(hào)質(zhì)量是對(duì)于數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性至關(guān)重要的兩個(gè)方面。下面將詳細(xì)
2023-12-29 13:54:22316 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052881 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 DDR 代表雙倍數(shù)據(jù)速率double data rate，GDDR 代表圖形雙倍數(shù)據(jù)速率graphics double data rate。
2024-03-17 09:24:53240 
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