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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)內(nèi)存簡(jiǎn)介

雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)內(nèi)存簡(jiǎn)介

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DDR5內(nèi)存普及率不高,是PMIC的鍋?

,隨著近期DRAM內(nèi)存的價(jià)格普遍開始下降,跟隨這一趨勢(shì)的DDR5內(nèi)存似乎終于有了用武之地。那么DDR5內(nèi)存的價(jià)格為何一開始那么貴呢,難道真的就是剛推出新技術(shù)帶來的高附加值? ? PMIC的供應(yīng)困難 ? DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從
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DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成,DDRSDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的縮寫。DDRSDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率接口,也就是在時(shí)鐘的正沿或負(fù)沿都需要對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣。在本設(shè)計(jì)中采用的內(nèi)存是hynix公司的lGB的HYMD564M646CP6-J。
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DDR存儲(chǔ)器電源的內(nèi)存解決方案

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如何為 DDR5 內(nèi)存接口構(gòu)建 AMI 模型

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2022-12-07 14:34:271944

可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計(jì)

DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061891

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

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 日本著名存儲(chǔ)設(shè)備制造商Century Micro近日宣布即將推出新的DDR4內(nèi)存模塊,具有3,200 MHz的原生速率
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DDR3內(nèi)存條最低工作頻率

我們知道DDR3內(nèi)存條,通常有個(gè)速率DDR3-800,DDR3-1066,DDR3-1333等,這個(gè)說明他們的最高工作頻率不能超過400MHz,533MHz。。。但還有一個(gè)最低工作頻率要求,請(qǐng)問在DDR3內(nèi)存條顆粒是那個(gè)指標(biāo)?為什么有這個(gè)要求?
2012-10-23 22:52:34

DDR3內(nèi)存檢測(cè)儀

;DDR/SD---------0—4G內(nèi)存識(shí)別: 自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。   64位數(shù)據(jù)位壞
2009-03-13 15:46:57

DDR3內(nèi)存測(cè)試儀

2---------0—8G  DDR/SD---------0—4G內(nèi)存識(shí)別: 自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。 &nbsp
2009-08-17 23:00:19

DDR內(nèi)存格式發(fā)展歷程(DDR~DDR4)

傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)
2011-02-27 16:47:17

DDR線長(zhǎng)匹配與時(shí)序

800Mbps。但是DDR數(shù)據(jù)信號(hào)卻是雙倍速率的,如果DQS頻率為800MHz,那么數(shù)據(jù)信號(hào)的速率就應(yīng)該為1600Mbps。下面將通過具體的仿真實(shí)例來看一下。有興趣的朋友可戳附件下載。
2016-11-08 16:59:51

ARM CoreLink DMC-520動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器技術(shù)參考手冊(cè)

內(nèi)存設(shè)備: ?雙倍數(shù)據(jù)速率3(DDR3)SDRAM。 ?低壓DDR3 SDRAM。 ?雙倍數(shù)據(jù)速率4(DDR4)SDRAM
2023-08-02 08:30:00

ARM CoreLink?DMC-500型動(dòng)態(tài)內(nèi)存控制器技術(shù)概述

這是DMC-500的高級(jí)概述。 DMC-500是由ARM開發(fā)、測(cè)試和許可的ARM AMBA?SoC外圍設(shè)備。 它是一款高性能、面積優(yōu)化的內(nèi)存控制器,與AMBA 4 AXI協(xié)議兼容。 它支持以下存儲(chǔ)設(shè)備: ·低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率3(LPDDR3)SDRAM。 ·LPDDR4 SDRAM。
2023-09-04 07:05:12

Arm?CoreLink? DMC-620動(dòng)態(tài)內(nèi)存控制器技術(shù)參考手冊(cè)

以下內(nèi)存設(shè)備: ?雙倍數(shù)據(jù)速率3(DDR3)SDRAM。 ?低壓DDR3 SDRAM。 ?雙倍數(shù)據(jù)速率4(DDR4)SDRAM。
2023-08-02 11:55:49

LTC2270的性能怎么樣?

任選的時(shí)鐘占空比穩(wěn)定器LTC2270/能單獨(dú)輸出電源的LTC2270   數(shù)字輸出可以是全速率 CMOS、雙倍數(shù)據(jù)速率 CMOS 或雙倍數(shù)據(jù)速率 LVDS.一個(gè)單獨(dú)的輸出電源提供了 1.2V 至 1.8V 的 CMOS 輸出擺幅。
2019-11-01 09:10:40

【電源設(shè)計(jì)小技巧】DDR內(nèi)存電源作用介紹

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2012-02-09 11:09:02

了解單數(shù)據(jù)速率接口和雙數(shù)據(jù)速率接口之間的差異

功能是將內(nèi)存系統(tǒng)變成雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存系統(tǒng)的原因。“單泵”存儲(chǔ)系統(tǒng)采用歷史悠久的策略將數(shù)據(jù)從一個(gè) IC 同步移動(dòng)到另一個(gè) IC。基本上,邏輯信號(hào)每個(gè)時(shí)鐘周期改變一次,并在時(shí)鐘的上升沿或下降沿
2023-02-23 16:57:31

什么是DDRDDR內(nèi)存的演進(jìn)之路

,內(nèi)部命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以時(shí)鐘為基準(zhǔn)。DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM,雙倍速率SDRAM ) 的不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)
2022-10-26 16:37:40

DDR發(fā)展到DDR4性能在哪些方面得到提升 ICMAX來解答

,它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM 相同的總線
2019-08-01 10:17:46

保持輸入雙倍數(shù)據(jù)速率的時(shí)間錯(cuò)誤的解決辦法?

我的設(shè)計(jì)輸入時(shí)輸入時(shí)鐘頻率為150Mhz,用于視頻輸入接口的雙倍數(shù)據(jù)速率。但是,我發(fā)現(xiàn)保持時(shí)間錯(cuò)誤如下所示:// HOLD時(shí)間ERROR名稱松弛水平高扇出從至總延遲邏輯延遲凈延遲需求源時(shí)鐘目的地時(shí)鐘
2020-05-01 14:42:58

可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計(jì)

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基于66AK2Gx的系統(tǒng)中提高存儲(chǔ)器可靠性的DDR ECC參考設(shè)計(jì)

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2022-09-15 06:26:24

大容量高速DDR內(nèi)存接口的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

,也就是說數(shù)據(jù)速率是時(shí)鐘頻率的兩倍,可以達(dá)到很高的數(shù)據(jù)讀寫速度。此外它通過對(duì)地址線的分時(shí)復(fù)用,可以做到很大的容量。比如我們?cè)O(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的DDR內(nèi)存時(shí)鐘頻率可達(dá)到150MHz,數(shù)據(jù)速率為300MHz,容量
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2011-08-24 08:57:461708

電源設(shè)計(jì)小貼士:DDR內(nèi)存電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān),傳統(tǒng)上,邏輯系統(tǒng)僅對(duì)一個(gè)時(shí)鐘沿的數(shù)據(jù)計(jì)時(shí),而雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存同時(shí)對(duì)時(shí)鐘的前沿和下降沿計(jì)
2011-12-16 17:56:323609

DDR SDRAM原理時(shí)序

DDR SDRAM 全稱為Double Data Rate SDRAM,中文名為雙倍數(shù)據(jù)流SDRAM。DDRSDRAM 在原有的SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因?yàn)槿绱耍?b class="flag-6" style="color: red">DDR 能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)來打敗昔日的對(duì)手RDRAM,成為當(dāng)今的主流
2013-09-13 15:17:30210

Powering DDR Memory

廉價(jià)的雙數(shù)據(jù)速率DDR內(nèi)存制造(以及后來的變種如DDR2和DDR3)提供了在臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦的工作記憶的主體。
2017-06-14 09:26:168

ddr4和ddr3內(nèi)存的區(qū)別,可以通用嗎

雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們?cè)賮砜纯?b class="flag-6" style="color: red">DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變:
2017-11-08 15:42:2330895

三種主流內(nèi)存技術(shù)(DDR、GDDR、LPDDR)的速度對(duì)比與應(yīng)用和DDR5芯片的設(shè)計(jì)

5的規(guī)范制定已經(jīng)到0.5版本,會(huì)在DDR4的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍,單顆粒容量可達(dá)32Gb,并預(yù)計(jì)會(huì)在2020年開始商用。 很多人會(huì)把DDR5和顯卡上使用的GDDR5技術(shù)混淆,實(shí)際上兩者應(yīng)用場(chǎng)合不一樣。下面這張圖展示了目前三種主流內(nèi)存技術(shù)(DDR、GDDR、LPDDR)的速度對(duì)比和應(yīng)用場(chǎng)合。
2017-11-15 16:36:0340425

DDR工作原理

DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM,中文名為雙倍數(shù)據(jù)流SDRAM。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因?yàn)槿绱耍?b class="flag-6" style="color: red">DDR能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)
2018-03-16 14:24:0132

DDR工作原理_DDR DQS信號(hào)的處理

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic
2018-05-23 16:07:1950490

PIC32 FRM之DDR SDRAM 控制器的詳細(xì)說明文檔資料

DDR 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Synchronous Dynamic Random Access Memory, SDRAM)控制器使用雙倍數(shù)據(jù)速率(Dual Data Rate,DDR)版本
2018-05-30 09:29:007

FPGA如何與DDR3存儲(chǔ)器進(jìn)行正確的數(shù)據(jù)對(duì)接?

大家好,我叫Paul Evans,是Stratix III產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理。到目前為止,我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器工作,今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯(cuò)
2018-06-22 05:00:008250

DDR2 SDRAM的K4T1G164QE和K4T1G084QE及K4T1G164QE數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載

1GB DDR2 SDRAM被組織為32兆位X 4 I/OS X8BANS、16Mbit X 8 I/OS X8BANS或8Mbit X 16 I/OS X 8 BooStand設(shè)備。該同步裝置實(shí)現(xiàn)了高達(dá)800Mb/sec/pin(DDR2-800)原生應(yīng)用的高速雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率
2018-11-01 11:46:2930

介紹DRAM、FLASH和DDR技術(shù)分析和對(duì)比

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic
2019-02-04 11:40:007240

TPS51200終端穩(wěn)壓器的資料簡(jiǎn)介

TPS51200器件是專為低輸入電壓,低成本,低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的接收器和源雙倍數(shù)據(jù)速率DDR)終端穩(wěn)壓器,空間是關(guān)鍵考慮因素。
2019-08-26 17:30:004

DDR2連接器實(shí)現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展 兩種端接類型均可使用無鉛選項(xiàng)

FCI開發(fā)了一系列垂直內(nèi)存插槽,可接受標(biāo)準(zhǔn)DDR2(雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存模塊組件,以便在臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器中實(shí)現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展。 240位DDR2垂直連接器提供用于焊接端接的直通式引線或用于壓配端接的“針眼”引線。
2019-10-06 15:56:002651

DDR 模塊的 PCB 設(shè)計(jì)要點(diǎn)有哪一些

DDR:Double Date Rate 雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
2019-08-19 09:30:343501

DDR存儲(chǔ)器的信號(hào)完整性討論

當(dāng)今電子產(chǎn)品一個(gè)很重要的區(qū)分元素是其所用的存儲(chǔ)器。服務(wù)器、計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、游戲機(jī)、GPS 以及幾乎所有類似產(chǎn)品使用的都是現(xiàn)代處理器和 FPGA。這些設(shè)備需要高速、高帶寬、雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器才能運(yùn)行。
2019-12-11 13:52:134259

各種存儲(chǔ)器接口控制器設(shè)計(jì)和Xilinx解決方案

20 世紀(jì) 90 年代后期,存儲(chǔ)器接口從單倍數(shù)據(jù)速率 (SDR) SDRAM 發(fā)展到了雙倍數(shù)據(jù)速率DDR) SDRAM,而今天的 DDR2 SDRAM 運(yùn)行速率已經(jīng)達(dá)到每引腳 667 Mb
2020-04-12 10:57:53995

DDR SDRAM是擁有著雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM

傳輸。SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可傳輸兩次數(shù)據(jù),也就是在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。下面英尚微電子介紹DDR SDRAM內(nèi)存發(fā)展歷程。 (1)DDR SDRAM DDR SDRAM雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它是
2020-07-16 15:44:101938

內(nèi)存ddr4和顯卡ddr5

今年,小米10等智能手機(jī)都開始用上了LPDDR5內(nèi)存,此后,這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過在PC端,DDR5內(nèi)存還是需要等待的,英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品
2020-07-30 15:27:122481

一文教會(huì)你辨別SDR和DDR

數(shù)據(jù)傳輸量,這也是 DDR 的意義——Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說,DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬,而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM
2020-10-30 10:51:48721

如何分辨SDR和DDR

數(shù)據(jù)傳輸量,這也是 DDR 的意義——Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說,DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬,而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM 卻只能提供 1.06GB/s 的內(nèi)存帶寬。
2020-12-23 11:38:0011

DDR5內(nèi)存將面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)

DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了,2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了,雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng),但是新一代平臺(tái)值得期待,DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:512518

NVDIMM-P非易失內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)公布:斷電不丟數(shù)據(jù)、兼容DDR4

我們知道,傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的,也就是必須維持通電才能保持數(shù)據(jù),一旦斷電就都沒了。 Intel創(chuàng)造了Optane傲騰持久內(nèi)存,做到了非易失性,也兼容DDR DIMM,但僅用于數(shù)據(jù)
2021-02-19 10:04:021546

美光正式推出全新Crucial英睿達(dá)DDR5內(nèi)存

美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存,比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%,提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:161784

DDR5內(nèi)存的價(jià)格為何那么貴

DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從DDR4最高的3200MT/s,到了DDR5最高的6400MT/s;其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制,以及降低功耗的1.1V電壓,而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片(PMIC)。
2022-07-12 09:58:503918

如何去解決LVDS差分接口的DDR信號(hào)問題

注意,這里的DDR指的是Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2022-08-20 10:29:281748

介紹一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器

TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專門針對(duì)低輸入電壓、低成本、低噪聲的空間受限型系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2022-09-30 09:47:35665

專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)的DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板

迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì),阻抗一致性優(yōu)異,極低延遲,最高速率支持6.4Gbps,可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:483592

DDR5游戲DIMM解決方案

瑞薩為雙倍數(shù)據(jù)速率 5 (DDR5) 應(yīng)用提供 SPD 集線器、電源管理 IC (PMIC)、溫度傳感器和控制 MCU。該解決方案允許自定義可尋址 RGB (ARGB) 照明,具有多達(dá)數(shù)百萬種顏色可供選擇,從而可以輕松地為 PC 添加個(gè)人風(fēng)格。
2022-12-09 14:55:591

FPGA學(xué)習(xí)-DDR3

一、DDR3簡(jiǎn)介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步,是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915

1Gb DDR3 SDRAM手冊(cè)

DDR3 SDRAM使用雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高速操作。雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)是一種8n預(yù)取架構(gòu),其接口經(jīng)過設(shè)計(jì),可在I/O引腳上每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。DDR3 SDRAM的單個(gè)讀或?qū)懖僮饔行У匕?/div>
2023-02-06 10:12:003

DDR的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有哪些

DDR的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有哪些 DDR簡(jiǎn)介 (1)DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM
2023-03-07 13:49:18830

用于DDR-SDRAM終端的電源工作在3V至5.5V輸入電壓

雙倍數(shù)據(jù)速率DDR)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)最近越來越受歡迎。DDR 內(nèi)存需要跟蹤主內(nèi)存電壓 VDDQ 的主動(dòng)端接 VTT。本應(yīng)用筆記提供開關(guān)穩(wěn)壓器方案,利用MAX1957脈寬調(diào)制(PWM)降壓控制器為VTT端接提供1/2跟蹤輸出。
2023-03-13 09:35:231342

雙倍數(shù)據(jù)率 (DDR) 內(nèi)存簡(jiǎn)介

串行數(shù)據(jù)傳輸與并行數(shù)據(jù)傳輸相比具有重要優(yōu)勢(shì),在許多系統(tǒng)中,這些優(yōu)勢(shì)足以證明添加串行化和反串行化的并行數(shù)據(jù)電路是合理的,以便它可以作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而,計(jì)算機(jī)內(nèi)存是一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,其中并行數(shù)據(jù)傳輸仍然
2023-04-06 15:02:30611

Xilinx源語:Input DDR Overview(IDDR)介紹

7系列設(shè)備在ILOGIC塊中具有專用寄存器,用于實(shí)現(xiàn)輸入雙倍數(shù)據(jù)速率DDR)寄存器。此功能用于實(shí)例化IDDR基元。
2023-05-29 09:46:051437

DDR信號(hào)的處理

注意,這里的DDR指的是Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2023-06-16 10:22:06781

DDR基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)

DDRDDR SDRAM的簡(jiǎn)稱,只是人們習(xí)慣了稱之為DDR,全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,中文名為:雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,同步是指需要時(shí)鐘。
2023-06-25 15:06:404908

DDR內(nèi)存終端電源

本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率DDR) 同步 DRAM (SDRAM)。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源,電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓(VTT)。
2023-06-26 10:34:36549

DDRDDR2、DDR3、DDR4、LPDDR的區(qū)別

DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù),中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103381

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823

XMP DDR5 8000內(nèi)存性能測(cè)試詳解

在全默認(rèn)設(shè)置的情況下,影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率DDR5 4800,延遲設(shè)定為40-40-40-76,因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出,與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42752

DDR5 時(shí)代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

在人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中,我們對(duì)數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。面對(duì)這種前景,內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中,以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名
2023-10-19 11:00:01314

DDR5 時(shí)代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

前所未有的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。面對(duì)這種前景,內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中,以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的DDR(DoubleDataRate)技術(shù)作為動(dòng)
2023-10-28 08:13:26624

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003905

DDR內(nèi)存條的設(shè)計(jì).zip

DDR內(nèi)存條的設(shè)計(jì)
2022-12-30 09:20:0321

低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹

低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱為 LPDDR,是DDR SDRAM 的一種,由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257

介紹五種不同類型的存儲(chǔ)器

DDR是指雙倍數(shù)據(jù)速率的同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問內(nèi)存(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory),它是SDRAM家族的一員。DDR
2023-12-11 09:27:49320

DDR加終端匹配電阻和不加信號(hào)質(zhì)量的區(qū)別

DDR加終端匹配電阻和不加信號(hào)質(zhì)量的區(qū)別? DDR雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率)是一種常用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。在DDR中,終端匹配電阻和信號(hào)質(zhì)量是對(duì)于數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性至關(guān)重要的兩個(gè)方面。下面將詳細(xì)
2023-12-29 13:54:22316

DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好?

DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù),以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052881

完整的DDRDDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDRDDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450

GDDR和DDR代表什么?GDDR和DDR內(nèi)存有什么區(qū)別?

DDR 代表雙倍數(shù)據(jù)速率double data rate,GDDR 代表圖形雙倍數(shù)據(jù)速率graphics double data rate。
2024-03-17 09:24:53240

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