隨著電動汽車、5G通信、高速軌道交通、新能源、智能電網等領域的不斷發展，市場對功率、射頻器件的性能提出了更高的要求。受到硅（Si）材料的物理特性所限，傳統Si基器件難以實現更高的性能。而碳化硅（SiC）作為第三代半導體的代表性材料，可以在功率器件、射頻通信等領域實現傳統Si材料難以達到的優異性能，獲得了產業界的一致認可和推廣。

SiC材料具有寬禁帶、高臨界場強、高熱導率、高飽和遷移率、高抗輻射能力等性能。SiC的禁帶寬度是Si的3倍、臨界擊穿場強是Si的10倍、熱導率是Si的3倍。憑借SiC的優異性能，SiC器件不僅可以在高電壓、高溫、強輻射等Si基器件難以達到的領域發揮效果，更能夠在電動汽車、5G通信、高速軌道交通等對高性能、高頻率、大功率性能需求不斷提高的領域代替傳統Si基器件。

目前，兩大問題制約了SiC材料的大規模應用，分別是較高的成本和亟待優化的缺陷水平。北方華創針對這兩大問題，推出了自主研發的新一代設備：APS Plus系列SiC晶體生長系統（Advanced PVT SiC System）和工藝解決方案。

北方華創APS Plus系列產品基于行業內技術最成熟、應用最廣泛的物理氣相輸運法（PVT法），通過硬件設計優化和工藝研發，為長期困擾SiC行業的高成本、低質量的兩大問題帶來了新的解決方案，幫助客戶在激烈競爭的第三代半導體材料領域提升行業競爭力。同時亦通過設計模塊化架構、高精度溫度/功率/電流控制、自動化軟件系統等方案，為客戶降低了SiC晶體的制造成本。設備兼備靈活精密的溫度場調控系統、巧妙設計的腔室系統、獨特的SiC工藝等方案，可讓用戶獲得高質量的SiC晶體。

為滿足用戶對SiC晶體生長的更高需求，北方華創APS Plus系列產品在為客戶提供4/6英寸SiC晶體的“原料合成—晶體生長—晶體退火—晶體加工”全流程一體化的工藝解決方案的基礎上，維護簡便，最大限度減少了耗材使用，是省錢、省時、省心的一站式解決方案。