集成電路產(chǎn)業(yè)是“中國(guó)制造 2025”中關(guān)鍵的產(chǎn)業(yè)，自 2014 年《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)布和“大基金”成立以來，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼，全國(guó)各地掀起了晶圓廠建設(shè)潮。集成電路的制造離不開晶圓廠，而晶圓廠的投產(chǎn)離不開半導(dǎo)體設(shè)備和材料。中美貿(mào)易摩擦和中興事件的發(fā)生，對(duì)我們國(guó)家的產(chǎn)業(yè)安全敲響了警鐘，因此，有必要對(duì)美國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備的優(yōu)勢(shì)和可替代性進(jìn)行探討。

設(shè)備市場(chǎng)三強(qiáng)爭(zhēng)霸，美國(guó)強(qiáng)在PVD等

縱觀全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，美日荷爭(zhēng)霸， 高度壟斷， 強(qiáng)者恒強(qiáng)。

半導(dǎo)體設(shè)備是一個(gè)擁有極高技術(shù)壁壘的行業(yè)，目前主要被美國(guó)、日本和荷蘭的巨頭壟斷，他們起步較早，伴隨著整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起成長(zhǎng)，相應(yīng)產(chǎn)品也已經(jīng)成為事實(shí)上的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，其他設(shè)備公司無論資金、技術(shù)、研發(fā)能力、市場(chǎng)地位等各個(gè)方面，都與排名靠前的國(guó)際巨頭差距較大，因此，整個(gè)行業(yè)呈現(xiàn)高度壟斷、強(qiáng)者恒強(qiáng)的局面。晶圓處理設(shè)備占整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)超過 80%的份額， 2016 年晶圓處理設(shè)備前 10 強(qiáng)排名中，美國(guó)占據(jù)了 3 家，日本占據(jù)了 5 家，荷蘭占據(jù)了 2 家。前 10 名的市場(chǎng)份額合計(jì)達(dá)到了 78.6%。

排名前 10 的公司中， 美國(guó)公司雖然數(shù)量上比日本公司少，但全部進(jìn)入了前 5 名，總營(yíng)收比日本公司高較多。全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，美國(guó)、日本和荷蘭三強(qiáng)爭(zhēng)霸，其中，美國(guó)最強(qiáng)，日本其次， 而荷蘭的光刻和后道封裝設(shè)備最強(qiáng)。

2016 全球晶圓處理設(shè)備供應(yīng)商排名

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈較長(zhǎng)，涉及的設(shè)備較多，相互之間的技術(shù)差異較大，沒有公司能夠生產(chǎn)所有的半導(dǎo)體設(shè)備，均是有所側(cè)重。

集成電路生產(chǎn)工藝較復(fù)雜、工序很多， 涉及的半導(dǎo)體設(shè)備種類數(shù)量較多

美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備公司的主要優(yōu)勢(shì)在于物理氣相沉積設(shè)備 PVD、檢測(cè)設(shè)備、離子注入機(jī)和化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備 CMP 等半導(dǎo)體制造中的核心設(shè)備。 化學(xué)氣相沉積 CVD、刻蝕設(shè)備等也具有較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)， 而光刻機(jī)、氧化、退火、去膠等其他設(shè)備，日本和荷蘭公司有較大優(yōu)勢(shì)，或并不弱于美國(guó)公司。在刻蝕、氧化爐管、清洗等少部分設(shè)備領(lǐng)域，中國(guó)公司也有所突破，但與國(guó)外公司相比，仍然差距較大。

美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備公司優(yōu)勢(shì)在于 PVD、 檢測(cè)設(shè)備、離子注入機(jī)、 CMP 設(shè)備

美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的可替代性探討

通過權(quán)威統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，結(jié)合一系列的產(chǎn)業(yè)調(diào)研，我們對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的可替代性進(jìn)行了梳理。

（1）氧化擴(kuò)散設(shè)備：日本產(chǎn)品占絕大部分份額

氧化、爐管設(shè)備技術(shù)難度稍低，日本日立、東京電子和荷蘭 ASM 較強(qiáng)，占據(jù)了絕大部分的市場(chǎng)份額，因此無需擔(dān)憂缺少美國(guó)設(shè)備。

氧化設(shè)備日本領(lǐng)先

國(guó)產(chǎn)設(shè)備中，北方華創(chuàng)的氧化爐在 8 寸設(shè)備中可實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代， 65/45nm 等工藝可實(shí)現(xiàn)部分國(guó)產(chǎn)替代，工藝達(dá)到了 28nm。美國(guó)應(yīng)用材料公司擁有 50%的市占率，但日本東京電子、日本迪恩士等也擁有較強(qiáng)的實(shí)力。

熱處理退火設(shè)備 RTP 美國(guó)應(yīng)用材料最強(qiáng)

此外， 亦莊國(guó)投 2015 年收購(gòu)自美國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備公司 Mattson 最新研發(fā)的 12 寸退火設(shè)備可對(duì)晶圓兩面的溫度分別進(jìn)行控制，在國(guó)際上也具有技術(shù)領(lǐng)先性，目前正在推廣，有望實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

（2）化學(xué)表面沉積設(shè)備 CVD：美國(guó)日本均較強(qiáng)

美國(guó)應(yīng)用材料、日本東京電子和美國(guó) Lam 在 CVD 設(shè)備方面的實(shí)力均較強(qiáng)。 CVD 設(shè)備的種類較多，包括 LPCVD、 PECVD 等多種 CVD 設(shè)備， 日本東京電子的 CVD、 ALD設(shè)備，均能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)美國(guó)的 CVD 設(shè)備的替代。

化學(xué)表面沉積設(shè)備 CVD 美國(guó)和日本均較強(qiáng)

國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備中北方華創(chuàng)和沈陽拓荊做得最好，北方華創(chuàng)長(zhǎng)于LPCVD 和ALD，而沈陽拓荊長(zhǎng)于 PECVD。在 65/45nm/等節(jié)點(diǎn)上能實(shí)現(xiàn)部分國(guó)產(chǎn)替代，達(dá)到量產(chǎn)的工藝為28nm，14nm也正在驗(yàn)證。此外，用于LED領(lǐng)域的MOCVD，中微半導(dǎo)體在國(guó)內(nèi)藍(lán)光LED領(lǐng)域，已經(jīng)做到了市場(chǎng)份額第一，完全實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代。

（3）物理氣相沉積設(shè)備 PVD：美國(guó)占據(jù)壟斷

美國(guó)應(yīng)用材料公司的 PVD 設(shè)備最強(qiáng)，占據(jù) 84.9%的市場(chǎng)份額，處于壟斷地位，國(guó)外產(chǎn)品的可替代性相對(duì)較弱。

物理氣相沉積設(shè)備 PVD 美國(guó)占據(jù)壟斷

國(guó)產(chǎn) PVD 設(shè)備中北方華創(chuàng)進(jìn)展最快，在 65/45nm 等節(jié)點(diǎn)上能實(shí)現(xiàn)部分國(guó)產(chǎn)替代， 28nmPVD 設(shè)備成為了中芯國(guó)際的 baseline 產(chǎn)品， 14nm 設(shè)備正在驗(yàn)證。 此外，北方華創(chuàng)的PVD 產(chǎn)品進(jìn)入了長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)線。

（4）涂膠顯影設(shè)備：美國(guó)較弱，東京電子壟斷

涂膠顯影設(shè)備中，日本的東京電子占有約 87%的市場(chǎng)份額， 實(shí)力最強(qiáng)， 處于壟斷狀態(tài)，無需擔(dān)心缺少美國(guó)設(shè)備。

涂膠顯影設(shè)備日本領(lǐng)先

國(guó)產(chǎn)涂膠顯示設(shè)備中， 沈陽芯源做得最好，產(chǎn)品涵蓋 2 寸、 4 寸、 6 寸、 8 寸和 12 寸晶圓的勻膠和顯影， 12 寸晶圓的產(chǎn)品能夠滿足 90nm 工藝的勻膠顯影工藝， 65nm 產(chǎn)品正在研發(fā)，與國(guó)外設(shè)備相比還具有較大差距。

（5）去膠設(shè)備：美國(guó)較弱，國(guó)產(chǎn) Mattson 較強(qiáng)

去膠是在刻蝕過后，把晶圓表面剩余的光刻機(jī)去除， 工藝分為干法去膠和濕法去膠。濕法去膠是使用化學(xué)試劑與光刻機(jī)發(fā)生反應(yīng)從而達(dá)到去膠目的，而干法去膠類似于刻蝕，使用等離子體將光刻機(jī)剝除。

去膠設(shè)備 Mattson 較強(qiáng)

Mattson 主攻干法去膠，具有國(guó)際領(lǐng)先的設(shè)備、技術(shù)和市場(chǎng)份額，產(chǎn)品分布在國(guó)內(nèi)國(guó)外眾多晶圓廠，可以完全實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。

（6）光刻機(jī)：以荷蘭和日本產(chǎn)品為主流

光刻機(jī)中， 荷蘭的 ASML 無疑是最強(qiáng)的，美國(guó)沒有具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，美國(guó)的幾大設(shè)備公司也均不做光刻機(jī)。 在目前最先進(jìn)的晶圓制造工藝中如 7/10/14nm 等領(lǐng)域，只有ASML 能做， 而在22/45/65/90/130/180nm 等領(lǐng)域，除 ASML 外，尼康和佳能的設(shè)備應(yīng)用也較多。 目前佳能已放棄新一代光刻機(jī)研發(fā)， 幾乎已經(jīng)退出光刻機(jī)市場(chǎng)。 尼康在 22nm以上的非最先進(jìn)的工藝中，具有較高的性價(jià)比。

光刻機(jī)荷蘭日本產(chǎn)品為主流

國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)中最為領(lǐng)先的是上海微電子裝備， 最新的產(chǎn)品達(dá)到了 90nm 工藝，但距離進(jìn)入量產(chǎn)線還有一定距離。 在后道的封裝階段，也需要做光刻和刻蝕，但線寬要求為微米級(jí)別， 上海微電子裝備的光刻機(jī)，在后道封裝階段應(yīng)用較廣，實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)替代。

（7）檢測(cè)設(shè)備：美國(guó)最強(qiáng)，較難替代

半導(dǎo)體的檢測(cè)存在于半導(dǎo)體制造的各個(gè)工藝流程中，是工藝控制必不可缺的流程。半導(dǎo)體的檢測(cè)包括膜厚檢測(cè)、線寬檢測(cè)、電阻檢測(cè)、光罩檢測(cè)等細(xì)分領(lǐng)域，每一個(gè)領(lǐng)域都有其對(duì)應(yīng)的檢測(cè)設(shè)備。美國(guó) KLA-Tencor 公司在整個(gè)半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域擁有超過一半的市占率，在所有的細(xì)分檢測(cè)領(lǐng)域都擁有較高市占率，在部分細(xì)分檢測(cè)領(lǐng)域處于壟斷地位。 所以，其他國(guó)家的檢測(cè)設(shè)備對(duì)美國(guó) KLA-Tencor 的產(chǎn)品能夠?qū)崿F(xiàn)部分替代，但完全替代能力較弱。

檢測(cè)設(shè)備美國(guó)最強(qiáng)

國(guó)產(chǎn)設(shè)備中，睿勵(lì)科學(xué)儀器最強(qiáng)， 技術(shù)領(lǐng)軍人物為海歸“千人計(jì)劃”專家， 擁有 12 寸晶圓全自動(dòng)光學(xué)膜厚檢測(cè)系統(tǒng)和關(guān)鍵尺寸、形貌檢測(cè)系統(tǒng)等產(chǎn)品，并進(jìn)入了西安三星的量產(chǎn)線， 但半導(dǎo)體檢測(cè)的細(xì)分領(lǐng)域較多，要在所有領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代仍有很長(zhǎng)路要走。

（8）刻蝕設(shè)備：美國(guó)最強(qiáng)，日本干法刻蝕較強(qiáng)

刻蝕設(shè)備按刻蝕對(duì)象分可分為硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕、金屬刻蝕等， 并且，每一種刻蝕中還可以按刻蝕材料不同而細(xì)分，如氧化物刻蝕、氮化物刻蝕、多晶硅刻蝕等。

按工作原理不同，刻蝕設(shè)備又可分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕使用化學(xué)藥液進(jìn)行刻蝕，干法刻蝕使用等離子氣體進(jìn)行刻蝕。在目前的先進(jìn)工藝如 7/10/14nm 工藝中，干法刻蝕占據(jù)了主導(dǎo)。干法刻蝕又可分為電感耦合等離子刻蝕（ICP）和電容耦合（CCP）刻蝕設(shè)備，CCP 主要做介質(zhì)刻蝕，ICP 既可做介質(zhì)刻蝕又可做硅刻蝕。

刻蝕設(shè)備中最強(qiáng)的無疑是美國(guó)，Lam 的市場(chǎng)占有率在 50%以上，第二是日本東京電子，第三是應(yīng)用材料，其次還有日本日立。東京電子的刻蝕技術(shù)實(shí)力也較強(qiáng)，在干法刻蝕領(lǐng)域能夠?qū)?Lam 在一定程度上實(shí)現(xiàn)替代。

刻蝕設(shè)備美國(guó)最強(qiáng)

國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備中，中微半導(dǎo)體走在最前面。 中微半導(dǎo)體的介質(zhì)刻蝕刻蝕最強(qiáng)， 達(dá)到了7nm 工藝； 14nm 以下的硅刻蝕也已經(jīng)有了相關(guān)產(chǎn)品；而金屬刻蝕和用于后道封裝中的硅通孔設(shè)備則已經(jīng)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

臺(tái)積電 7nm 產(chǎn)線刻蝕設(shè)備選擇了 5 家供應(yīng)商，包括 Lam、應(yīng)用材料、東京電子、日立和中微， 中微是其中唯一一家國(guó)產(chǎn)設(shè)備公司。能夠通過臺(tái)積電的嚴(yán)格的驗(yàn)證，進(jìn)入其產(chǎn)線，本身即代表了一種突破。但同時(shí)也要客觀地看到， 臺(tái)積電 7nm 工藝?yán)铮袔资揽涛g工序，最前面幾道工序是對(duì)刻蝕指標(biāo)要求最高的， 采用的仍然是國(guó)外的刻蝕設(shè)備，所以距離國(guó)際最頂尖的刻蝕設(shè)備，國(guó)產(chǎn)替代仍還需要追趕。

（9）設(shè)備：日本領(lǐng)先，國(guó)產(chǎn)有一定競(jìng)爭(zhēng)力

在半導(dǎo)體制造的每一道工序之后，都會(huì)在晶圓表面殘留微小顆粒， 因此，幾乎每一道工序之后，都需要采用清洗設(shè)備對(duì)晶圓表面進(jìn)行清洗。隨著工藝的越來越先進(jìn)，清洗的步驟數(shù)和量越來越大，對(duì)清洗設(shè)備的需求也越來越大。

清洗設(shè)備分為單片式清洗和槽式清洗。槽式清洗為多片晶圓同時(shí)進(jìn)入清洗槽進(jìn)行清洗，清洗的效率較高。單片式清洗為每一片晶圓單獨(dú)進(jìn)入清洗腔中進(jìn)行清洗。隨著工藝越來越先進(jìn)，工序數(shù)越來越多，所以清洗的步驟和次數(shù)也越來越大，清洗液的種類也越來越多。槽式清洗設(shè)備的清洗槽較大，每一個(gè)清洗槽中只能放入一種清洗液，如果先進(jìn)工藝中采用槽式清洗，則會(huì)使用很多槽， 占用很大的面積。單片式清洗設(shè)備的清洗腔較小，一臺(tái)設(shè)備中有較多的腔體，可以根據(jù)需要靈活地配置清洗液，因此，在先進(jìn)工藝中，單片式清洗逐漸成為了主流。

清洗設(shè)備日本領(lǐng)先

清洗設(shè)備中，日本公司占據(jù)了主導(dǎo)，市場(chǎng)占有率最高的是日本迪恩士，其次是日本東京電子和美國(guó) Lam。因此，美國(guó)的清洗設(shè)備可以完全被替代。國(guó)產(chǎn)設(shè)備中， 盛美半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力較強(qiáng)，主攻單片式清洗設(shè)備， 并獨(dú)創(chuàng)了兆聲波清洗技術(shù)，技術(shù)實(shí)力達(dá)到了 14nm， 已經(jīng)開始了和迪恩士、東京電子、 Lam 等的正面競(jìng)爭(zhēng)， 設(shè)備批量進(jìn)入了國(guó)內(nèi)多家晶圓廠產(chǎn)線，如華力微電子、無錫海力士等，并出口到韓國(guó)海力士， 在較大一部分的清洗工序中可以實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。北方華創(chuàng)成功收購(gòu)美國(guó) Akrion， 在槽式清洗領(lǐng)域可以實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

（10）離子注入設(shè)備：美國(guó)壟斷，替代難度較大

離子注入設(shè)備分為大束流、中束流和高能量離子注入機(jī)，一條 NAND Flash 產(chǎn)線上，約有 37 臺(tái)離子注入機(jī)，其中 10 臺(tái)高能量， 20 臺(tái)大束流， 7 臺(tái)中束流；一條 DRAM 產(chǎn)線上，約需要 55 臺(tái)離子注入機(jī)，其中 3 臺(tái)高能量， 40 臺(tái)大束流， 12 臺(tái)中束流；一條 Logic產(chǎn)線上，約需要 30-40 臺(tái)離子注入機(jī)，其中約 25-30 臺(tái)大束流， 5-10 臺(tái)中束流。離子注入設(shè)備幾乎被美國(guó)壟斷，美國(guó)的應(yīng)用材料公司擁有 73%的市場(chǎng)占有率，美國(guó)亞舍立科技擁有約 17%的市場(chǎng)份額。日本的住友重機(jī)械也有離子注入產(chǎn)品，生產(chǎn)工藝節(jié)點(diǎn)為20-22nm。

離子注入設(shè)備美國(guó)壟斷

國(guó)產(chǎn)設(shè)備中，北京中科信和中電四十八所均有離子注入機(jī)產(chǎn)品。中電四十八所的離子注入機(jī)可用于 4 寸或 6 寸晶圓分立器件或功率器件的制造。北京中科信高能量、 大束流和中束流離子注入機(jī)中均布局較為完整， 擁有 12 寸晶圓產(chǎn)品， 45-22nm 低能大束流離子注入機(jī)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目通過了驗(yàn)收， 但距離國(guó)外的產(chǎn)品仍有較大差距。

（11）化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備 CMP：美國(guó)最強(qiáng)，日本其次

CMP 設(shè)備依然是美國(guó)應(yīng)用材料一家獨(dú)大，擁有全球 66%的市場(chǎng)份額。日本東京 Ebara擁有 12 寸晶圓 10-20nm 級(jí) CMP 設(shè)備，能在一定程度上實(shí)現(xiàn)對(duì)美國(guó)的替代。

化學(xué)機(jī)械拋光 CMP 美國(guó)最強(qiáng)

國(guó)產(chǎn)設(shè)備中，華海清科正在攻堅(jiān) 12 寸晶圓 28-14nm 工藝 CMP 設(shè)備，在 8 寸與 6 寸晶圓中，也有相應(yīng)產(chǎn)品。中電科 45 所在 2015 年研制出 8 寸晶圓 CMP 并進(jìn)入中芯國(guó)際天津廠驗(yàn)證，填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)設(shè)備產(chǎn)線驗(yàn)證的空白。盛美半導(dǎo)體的 CMP 設(shè)備主要用于后段封裝的 65-45nm 銅互聯(lián)工藝。 杭州眾硅是新成立的一家公司，由中電科 45 所中的 CMP技術(shù)專家創(chuàng)業(yè)建立。總的來看，與應(yīng)用材料等國(guó)際先進(jìn)水平仍然有較大差距。

（12）測(cè)試機(jī)：美國(guó)可被完全替代

測(cè)試設(shè)備包括測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)和分選機(jī)。測(cè)試機(jī)主要包括美國(guó)泰瑞達(dá)、日本愛德萬和美國(guó) Xcerra，其中美國(guó)泰瑞達(dá)占約一半市場(chǎng)份額，泰瑞達(dá)與愛德萬合占約 90%市場(chǎng)份額。泰瑞達(dá)與愛德萬的測(cè)試機(jī)互有優(yōu)劣勢(shì)，泰瑞達(dá)強(qiáng)在 SOC 測(cè)試和 RF 測(cè)試，而愛德萬在數(shù)字信號(hào)測(cè)試和 Memory 測(cè)試方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)。 總的來看，愛德萬可以完全替代泰瑞達(dá)。

測(cè)試機(jī)美國(guó)日本共同壟斷

國(guó)產(chǎn)設(shè)備中，測(cè)試機(jī)方面，北京華峰和長(zhǎng)川科技在低端分立器件測(cè)試機(jī)方面憑成本優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)替代，在中端的模擬器件、混合信號(hào)測(cè)試方面，有一定的競(jìng)爭(zhēng)力。高端 SOC測(cè)試機(jī)、 Memory 測(cè)試機(jī)和 RF 測(cè)試機(jī)等，國(guó)內(nèi)目前還缺少相關(guān)產(chǎn)品。

（12）探針臺(tái)：日本產(chǎn)品占據(jù)絕大部分市場(chǎng)

探針臺(tái)分全自動(dòng)、半自動(dòng)和手動(dòng)探針臺(tái)， 日本東京精密和東京電子合占約 90%左右市場(chǎng)份額，美國(guó)幾乎沒有相關(guān)產(chǎn)品。

探針臺(tái)被日本壟斷

國(guó)產(chǎn)品牌中，深圳矽電有 12 寸晶圓全自動(dòng)探針臺(tái)產(chǎn)品，中電 45 所有 8 英寸探針臺(tái)產(chǎn)品，但在實(shí)際量產(chǎn)中，仍是以日本的產(chǎn)品為主，國(guó)內(nèi)產(chǎn)品與國(guó)外產(chǎn)品之間在穩(wěn)定性、精度方面仍有差距。

（13）分選機(jī)：美國(guó)領(lǐng)先，但可被替代

分選機(jī)份額最大的是美國(guó) Cohu，占約 40%市場(chǎng)份額，美國(guó) Cohu 的分選機(jī)包括平移式、中立下滑是、線式和轉(zhuǎn)塔式，布局全面，而且高低溫的控制技術(shù)全球領(lǐng)先，對(duì)于汽車芯片等對(duì)溫度控制要求很高的測(cè)試， Cohu 的分選機(jī)有較大優(yōu)勢(shì)。

日本的 Epson 在平移式分選機(jī)中有一定份額。日本愛德萬利用在 Memory 測(cè)試機(jī)方面的優(yōu)勢(shì)，將 Memory 測(cè)試的分選機(jī)搭配銷售，因此在 Memory 分選機(jī)中占據(jù)領(lǐng)先。

分選機(jī)市場(chǎng)相對(duì)分散

***鴻勁和長(zhǎng)川科技的分選機(jī)，憑借成本優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)主流。在平移式分選機(jī)方面，***鴻勁占據(jù)約一半以上份額，長(zhǎng)川科技正在追趕。重力下滑式分選機(jī)，長(zhǎng)川科技的產(chǎn)品也有較大份額。在分選機(jī)方面，目前國(guó)外產(chǎn)品基本只做可以控制高低溫的高端產(chǎn)品，中低端產(chǎn)品無法在價(jià)格上與國(guó)產(chǎn)品牌競(jìng)爭(zhēng)。

美國(guó)設(shè)備很強(qiáng)，但沒有我們也不會(huì)停擺

通過以上分析， 對(duì)于美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的可替代性， 可分為三類：較難替代、可部分替代、可完全替代。

美國(guó)的 PVD、檢測(cè)、離子注入和 CMP 設(shè)備較難被替代

代的難易程度，其實(shí)也正是由美國(guó)公司的技術(shù)和相應(yīng)產(chǎn)品在全球市場(chǎng)上的地位決定的。 PVD、檢測(cè)、離子注入和 CMP 設(shè)備，美國(guó)公司技術(shù)領(lǐng)先，產(chǎn)品占據(jù)近乎壟斷的領(lǐng)先地位，其他國(guó)家的產(chǎn)品較難在短期內(nèi)替代美國(guó)產(chǎn)品，因此應(yīng)重點(diǎn)發(fā)展。而熱處理設(shè)備、CVD、刻蝕、分選機(jī)，其他國(guó)家的產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)一定程度上的替代，美國(guó)公司技術(shù)領(lǐng)先，但領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)不明顯， 市場(chǎng)存在競(jìng)爭(zhēng)，如刻蝕設(shè)備 Lam 與東京電子存在競(jìng)爭(zhēng)， CVD 設(shè)備應(yīng)用材料與東京電子存在競(jìng)爭(zhēng)。而氧化擴(kuò)散設(shè)備、涂膠顯影、去膠、光刻機(jī)、清洗、測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)等設(shè)備，其他國(guó)家的產(chǎn)品不輸于甚至優(yōu)于美國(guó)公司的產(chǎn)品， 或者美國(guó)幾乎沒有相關(guān)產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)對(duì)美國(guó)產(chǎn)品的完全替代。

晶圓處理設(shè)備占整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備約 80%份額

美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備最大的優(yōu)勢(shì)為晶圓處理中的 PVD、檢測(cè)、 離子注入設(shè)備和 CMP 設(shè)備，刻蝕設(shè)備和 CVD 設(shè)備也處于較領(lǐng)先地位。半導(dǎo)體設(shè)備中，晶圓處理設(shè)備占超過 80%的份額， 晶圓處理設(shè)備中，刻蝕、 CVD、 CMP、檢測(cè)設(shè)備也占據(jù)了較大份額。

晶圓處理設(shè)備的市場(chǎng)份額中，刻蝕、光刻和沉積設(shè)備份額最大

國(guó)產(chǎn)設(shè)備中， Mattson 的去膠設(shè)備、盛美的清洗設(shè)備、中微的介質(zhì)刻蝕機(jī)、中微的硅通孔設(shè)備、長(zhǎng)川的分選機(jī)、華峰和長(zhǎng)川的中低端測(cè)試機(jī)、上海微電子裝備的后道封裝光刻機(jī)等，都已經(jīng)在市場(chǎng)上直接和國(guó)外設(shè)備開展競(jìng)爭(zhēng)，具有一定的競(jìng)爭(zhēng)力，在國(guó)產(chǎn)替代中，有望領(lǐng)先。

可以肯定是的，如果缺少美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備， 中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展放緩但不會(huì)停止。

在中美貿(mào)易摩擦的背景下，有中興事件的前車之鑒，有必要思考缺少美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的影響。通過以上的分析， 如果缺少美國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備，會(huì)立即影響到中國(guó)的晶圓廠建設(shè)進(jìn)度， 尤其是 14/28nm 等先進(jìn)工藝的晶圓廠， 在 PVD、檢測(cè)、離子注入和 CMP 設(shè)備上， 短時(shí)間之內(nèi)會(huì)存在幾乎無設(shè)備可買的情況。而刻蝕、 CVD 設(shè)備等，如果晶圓廠建設(shè)之初采用了美國(guó)的設(shè)備方案，則需要重新選擇替代國(guó)設(shè)備或國(guó)產(chǎn)設(shè)備并進(jìn)行充分的驗(yàn)證。

但這只會(huì)讓中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展放緩， 而不會(huì)停止。美國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品， 其他國(guó)家的設(shè)備或者國(guó)產(chǎn)設(shè)備的可替代能力弱一些，但并不是不能替代，而是需要花較長(zhǎng)的時(shí)間來重新設(shè)計(jì)方案和進(jìn)行充分的設(shè)備驗(yàn)證、試錯(cuò)。這個(gè)過程會(huì)拖慢中國(guó)晶圓廠建設(shè)的進(jìn)度，少則一年、 多則兩三年。對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，時(shí)間很寶貴，慢兩三年即意味著慢了一代工藝，對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響較大，尤其是目前全力追趕工藝的關(guān)鍵時(shí)期。

目前，中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)落后國(guó)際先進(jìn)水平兩代以上，國(guó)際上 7nm 即將量產(chǎn)， 而國(guó)內(nèi)還正在研發(fā) 14nm， 28nm 的良率依然無法很好控制。所以，對(duì)國(guó)際先進(jìn)工藝的追趕是一個(gè)長(zhǎng)期艱苦奮斗的過程，我們對(duì)此早已做好了充分的心理準(zhǔn)備，慢兩三年對(duì)我們可能會(huì)造成一定影響，但并不會(huì)阻止我們發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心。所以，這只會(huì)減緩中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展， 而不會(huì)使其停止。國(guó)內(nèi)部分在建晶圓產(chǎn)線中， 8 寸晶圓和 12 寸晶圓的 28nm 以上工藝產(chǎn)線會(huì)受到的影響較小， 28nm 及以下工藝會(huì)受到的影響較大。

8 寸晶圓和 12 寸晶圓的 28nm 及以上制程的晶圓廠會(huì)受到的影響較小

在中美貿(mào)易摩擦和中興事件的影響下，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司將得到更多的資金、技術(shù)和投入，并將得到更多的試錯(cuò)機(jī)會(huì)，將會(huì)加速發(fā)展。 此外，目前國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備，仍然有約 60-70%的零部件依賴于進(jìn)口，在未來，隨著國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展，零部件的國(guó)產(chǎn)化率也將逐步提高，實(shí)現(xiàn)真正的半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。