將充分利用在IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）技術(shù)方面的優(yōu)勢，積極開拓新能源汽車市場，加速新能源汽車芯片國產(chǎn)化進程。

IGBT是新一代電能變換和控制的核心器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、控制電路簡單、開關(guān)損耗小、通斷速度快、工作頻率高等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)變頻、智能電網(wǎng)、風(fēng)力發(fā)電和太陽能等行業(yè)。自商業(yè)化應(yīng)用以來，IGBT作為新型功率半導(dǎo)體器件的主型器件，在1~100kHz的頻率應(yīng)用范圍內(nèi)占據(jù)重要地位，其電壓范圍為400V~6500V，電流范圍為1A~3600A。

華虹半導(dǎo)體是全球首家提供場截止型（FS, Field Stop）IGBT量產(chǎn)技術(shù)的200mm代工廠，2011年就已在200mm生產(chǎn)線上成功量產(chǎn)了1200V非穿通型（NPT, non-punch-through）IGBT；2013年，600V-1200V FS IGBT實現(xiàn)量產(chǎn)，并專注于持續(xù)開發(fā)更先進的FS IGBT。憑藉不斷的研發(fā)創(chuàng)新，公司與多家合作單位陸續(xù)推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工藝，成功解決了IGBT的關(guān)鍵工藝問題，包括硅片翹曲及背面工藝能力等。未來，將向更高電壓、更大電流等級、新能源汽車領(lǐng)域及超高壓電力電子市場進發(fā)，在全球競爭中穩(wěn)占一席。

華虹半導(dǎo)體在FS IGBT背面晶圓加工能力上尤為突出，是國內(nèi)唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工企業(yè)，包括背面薄片、背面離子注入、背面激光退火，背面金屬。經(jīng)過多年深耕，華虹半導(dǎo)體積累了相當(dāng)豐富的IGBT制造經(jīng)驗，技術(shù)參數(shù)可媲美國際領(lǐng)先企業(yè)，奠定華虹半導(dǎo)體在IGBT制造企業(yè)中的領(lǐng)先地位，同時也積極推進了IGBT技術(shù)國產(chǎn)化進程。

《2016年國務(wù)院政府工作報告》明確提出，「大力發(fā)展和推廣以電動汽車為主的新能源汽車，加快建設(shè)城市停車場和充電設(shè)施」。中國政府「十三五」規(guī)劃也明確了實施新能源汽車推廣計劃，鼓勵城市公交和出租汽車使用新能源汽車，可見新能源汽車產(chǎn)業(yè)未來增長空間巨大。據(jù)悉，中國已于2010年成為全球第一大汽車市場，至2020年，中國新能源汽車年產(chǎn)量將達200萬輛，累計產(chǎn)銷量將超過500萬輛。純電動車的核心模塊離不開IGBT，尤其是性能更佳的FS IGBT，充電樁的建設(shè)也運用了大量的功率器件模塊，IGBT未來主要的成長驅(qū)動力將來自混合動力汽車和純電動汽車。作為電動車動力的核心，馬達逆變器將驅(qū)動IGBT模塊飛速發(fā)展。華虹半導(dǎo)體在汽車電子方面有著豐富的經(jīng)驗，建立了零缺陷管理模式，并通過了ISO/TS16949認證和多家客戶的VDA 6.3（德國汽車質(zhì)量流程審計標(biāo)準(zhǔn)）標(biāo)準(zhǔn)審計，公司客戶的MOSFET和SJNFET（超級結(jié)MOSFET）產(chǎn)品也都成功應(yīng)用到汽車電子領(lǐng)域。華虹半導(dǎo)體擁有出色的FS IGBT全套背面加工能力，在晶圓代工領(lǐng)域具有絕對優(yōu)勢，為布局新能源汽車市場做好了充分準(zhǔn)備。

「華虹半導(dǎo)體作為全球首家、最大的功率器件200mm晶圓代工廠，可為綠色能源各個環(huán)節(jié)提供低壓到高壓全電壓解決方案，并可根據(jù)客戶需要定制全系列的各種功率器件。同時公司正在加速研發(fā)6500V超高壓IGBT技術(shù)，戰(zhàn)略目標(biāo)同樣鎖定在高端工業(yè)及能源市場應(yīng)用，延續(xù)其『全球功率器件領(lǐng)導(dǎo)者』的戰(zhàn)略布局。」華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁范恒先生表示：「華虹半導(dǎo)體將立足制造端，希望攜新能源汽車發(fā)展東風(fēng)，為廣大客戶提供先進可靠的IGBT制造服務(wù)，為IGBT芯片國產(chǎn)化做出更多貢獻。