加利福尼亞州IRVINE。, 10月。 8,2015 /PRNewswire/- 東芝美國(guó)電子元件公司(TAEC)*,一家致力于與科技公司合作創(chuàng)造突破性設(shè)計(jì)的領(lǐng)導(dǎo)者,今天宣布推出兩款新的緊湊型MOSFET - SSM3K35CTC和SSM3J35CTC。 SSM3K35CTC和SSM3J35CTC采用新開(kāi)發(fā)的緊湊型封裝(CST3C),適用于控制移動(dòng)設(shè)備(如智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備)中的電源或數(shù)據(jù)信號(hào)。
在整體占地面積方面,東芝的CST3C封裝超出了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。事實(shí)上,CST3C封裝尺寸僅為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-723封裝的三分之一。這使得東芝的新型MOSFET適用于高密度安裝,與使用標(biāo)準(zhǔn)SOT-723封裝的產(chǎn)品相比,它們能夠?qū)崿F(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻。
Polarity | 零件編號(hào) | 包裹(尺寸) | 絕對(duì)最大額定值 | R DS(ON) t YP。 (Ω) | |||||
V DSS (V) |
我 D (A) |
@ | V GS | = 1.2 V |
@ | V GS | = 1.5 V |
@ | V GS | =1.8 V |
@ | V GS | = 2.5 V |
@ | V GS | = 4.5 V |
|||
N-ch | SSM3K35MFV |
SOT-723 (1.2×1.2 mm) |
20 | 0.18 | 5 | 3 | - | 2 | 1.5(@ 4V) |
SSM3K35CT |
SOT -883 (1.0×0.6 mm) |
||||||||
SSM3K35CTC * 1 |
CST3C (0.8×0.6 mm) |
20 | 0.25 | 2.4 | 1.7 | 1.5 | 1.1 | 0.75 | |
P-ch | SSM3J35MFV |
SOT-723 (1.2×1.2 mm) |
-20 | -0.1 | 11 | 8.2 | - | 5.6 | 4.3(@ 4V) |
SSM3J35CT |
SOT-883 (1.0×0.6 mm) |
||||||||
SSM3J35CTC * 1 |
C ST3C (0.8×0.6 mm) |
-20 | -0.25 | 3.2 | 2.3 | 2.0 | 1.5 | 1.1 |
* 1:新產(chǎn)品
SSM3K35CTC和SSM3J35CTC包括:
新型緊湊型封裝CST3C(0.8×0.6 mm)
可控制,柵極電壓為1.2 V
低漏極 - 源極導(dǎo)通電阻:
SSM3K35CTC:R DS(ON) =2.4Ω(典型值)@V GS = 1.2 V
SSM3J35CTC:R DS(ON) =3.2Ω(典型值)@V GS = -1.2 V
價(jià)格和供貨情況
東芝的新型緊湊型MOSFET現(xiàn)已上市。
-
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