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關(guān)于C型雙極晶體管LNA和射頻電路設(shè)計(jì)的研究分析

cROa_英飛凌 ? 來(lái)源:djl ? 2019-09-24 11:46 ? 次閱讀
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隨著技術(shù)水平的提高,為了滿(mǎn)足射頻應(yīng)用場(chǎng)景的需求,在射頻電路設(shè)計(jì)中往往需要適用高性能、高靈活性的射頻分立器件。今天小編就給大家安利兩款應(yīng)用在通訊領(lǐng)域已商用的WLAN場(chǎng)景中表現(xiàn)搶眼的超低噪聲SiGe:C型雙極晶體管LNA!

1“易于使用”的2.4GHz超低噪聲SiGe:C型雙極晶體管LNA

首先給大家說(shuō)說(shuō)BFP/BFR7x0系列,這是英飛凌科技的HBT晶體管系列,專(zhuān)為2.4GHz工作頻段設(shè)計(jì),低噪聲且易于使用。BFP/BFR7x0系列在 2.4GHz 頻帶的應(yīng)用電路中的增益為19dB,噪聲系數(shù)為0.65dB,且僅需8個(gè)無(wú)源器件,可應(yīng)用于如下領(lǐng)域:

應(yīng)用

GPS和其他導(dǎo)航系統(tǒng)

SDARS衛(wèi)星廣播(北美),DMB

WLAN、無(wú)繩電話(huà)、DSRC和UWB(北美)

衛(wèi)星電視

通過(guò)應(yīng)用示例,看下BFP/BFR7x0系列的那些亮點(diǎn)吧!

關(guān)于C型雙極晶體管LNA和射頻電路設(shè)計(jì)的研究分析

BFP/BFR7x0系列應(yīng)用示例(點(diǎn)擊查看大圖)

以BFP740ESD為例,它是HBT晶體管,基于SiGe:C工藝,極其魯棒,HBM靜電放電高達(dá)2kV,射頻輸入功率高達(dá)21dBm。

BFP740ESD適用于便攜式電池供電的應(yīng)用,低功耗是此類(lèi)應(yīng)用的關(guān)鍵要求,此外還支持高達(dá)4.2V集電極電壓。

關(guān)于C型雙極晶體管LNA和射頻電路設(shè)計(jì)的研究分析

主要性能參數(shù)@2.4GHz&5.5GHz頻率(點(diǎn)擊查看大圖)

2高性能的5GHz超低噪聲 SiGe:C 型雙極晶體管LNA

緊接著是BFx840x系列,這是英飛凌科技的最新分立HBT晶體管系列,專(zhuān)為追求高性能而設(shè)計(jì) 5GHz頻帶,具有低噪聲的特點(diǎn)。BFx840x系列在 5GHz 頻帶的應(yīng)用電路中的增益為18dB,BiC噪聲系數(shù)為0.95dB,同樣只需8個(gè)無(wú)源器件,可應(yīng)用于如下領(lǐng)域:

應(yīng)用

5-6GHz Wi-Fi路由器或AP

GPS導(dǎo)航系統(tǒng)

無(wú)人機(jī)遙控器

關(guān)于C型雙極晶體管LNA和射頻電路設(shè)計(jì)的研究分析

BFP840ESD應(yīng)用示例(點(diǎn)擊查看大圖)

以BFP840ESD為例,它是一款HBT分立晶體管,基于SiGe:C 工藝,專(zhuān)為Wi-Fi 連接應(yīng)用適用的高性能5GHz頻帶低噪聲放大器(LNA)解決方案而設(shè)計(jì)。英飛凌獨(dú)特的晶體管工藝可在高達(dá)5GHz頻段顯著提高增益(Gain)并同時(shí)保證極低的噪聲系數(shù)(NF)。

關(guān)于C型雙極晶體管LNA和射頻電路設(shè)計(jì)的研究分析

主要性能參數(shù)@5~6GHz頻率

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