肖特基勢壘二極管（SBD）常用于高級駕駛輔助系統（ADAS）相機模塊的反向連接保護電路中。但由于車輛系統中高分辨率相機所需的電流較大，因此SBD越來越多地被緊湊型MOSFET取代，這種MOSFET具有低導通電阻和低發熱量。例如，在分別為2.0 A和0.6 W的電流和功耗下，傳統的汽車MOSFET可以比SBD減少30％的安裝面積。

采用底部電極型封裝方式的MOSFET可以提供必要的散熱，同時仍能以更小的外形尺寸支持大電流，與傳統的SBD相比，可以將安裝面積減少多達78％。但是，雖然底部電極型MOSFET可以小型化并且仍然保持高電流，但是安裝過程非常繁瑣，一旦通過自動光學檢測（AOI）系統（工業相機檢查缺少的部件或質量缺陷），安裝后就無法驗證焊料的高度。而為了確保汽車的質量，在組裝過程中必須進行目視檢查。

利用“可濕性面板成型技術”

根據ROHM的說法，它是業界第一個通過利用其可濕面板成型技術（Wettable Flank）確保車輛應用所需的最小焊料高度（130μm）。該技術在電鍍之前在底部電極封裝一側（例如QFN和DFN）切入引線框架，這增加了封裝和基板之間的焊點表面，提高了焊料潤濕性，從而可以在安裝后輕松驗證焊接條件。

車輛中越來越多的安全和舒適系統使電子系統的空間越來越有限，從而推動了對更小部件的需求。 DFN1616封裝尺寸僅為1.6×1.6 mm。 （來源：ROHM）

此外，A在先前使用階梯切割解決方案（step-cut solution）的嘗試中，工程師發現隨著階梯切割的高度增加，切割到引線框架中會頻繁產生毛刺。為了克服這一限制，ROHM開發了一種方法，在引線框的整個表面上引入阻擋層，以最大限度地減少毛刺的發生。這不僅可以防止安裝過程中的焊接缺陷，而且可確保DFN1616（1.6 x 1.6 mm）封裝的最小焊接高度為130μm（圖1）。使自動檢測機能夠輕松驗證焊接條件，保障焊接質量始終如一。

ROHM的RV4xxx系列符合AEC-Q101標準的MOSFET利用了這種新的封裝處理技術（圖2）。 RV4xxx系列包含兩個版本-RV4E031RP和RV4C020ZP。前者的導通電阻（VGS為10 V）表示為75mΩ（典型值）和105mΩ（最大值）。這些器件的漏 - 源電壓分別為30 V和20 V，漏電流分別為3.1 A和2.0 A.

根據ROHM的說法，其新型RV4xxx系列是市場上首款確保封裝側面130μm電極高度的系列。