會(huì)議內(nèi)容2025年6月6日,“2025年Q2ASAM中國(guó)會(huì)員交流會(huì)”于廣州成功召開。ASAM技術(shù)指導(dǎo)委員會(huì)委員周博林出席本次會(huì)議,并由C-ASAM秘書處負(fù)責(zé)人魏文淵主持。本次活動(dòng)由C-ASAM主辦
發(fā)表于 06-11 11:42
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參數(shù)規(guī)模達(dá)數(shù)百億甚至萬(wàn)億級(jí)別,帶來(lái)巨大內(nèi)存需求,但HBM內(nèi)存價(jià)格高昂,只應(yīng)用在高端算力卡上。SOCAMM則有望應(yīng)用于AI服務(wù)器、高性能計(jì)算、AI PC以及其他如游戲、圖形設(shè)計(jì)、虛擬現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域。 ? SOCAMM利用高I/O密度和
發(fā)表于 05-17 01:15
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據(jù)韓媒報(bào)道,知名分析機(jī)構(gòu)Omdia在其最新報(bào)告中預(yù)測(cè),2025年前三季度,PC、服務(wù)器及移動(dòng)DRAM內(nèi)存價(jià)格將面臨顯著下滑。 具體而言,Omdia預(yù)計(jì)2025年上半年,這些內(nèi)存產(chǎn)品的
發(fā)表于 02-11 10:41
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TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示,DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
發(fā)表于 02-08 16:41
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根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,在2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)營(yíng)收達(dá)到6260億美元,同比增長(zhǎng)18.1%。分廠商來(lái)看的話,三星登頂全球最大半導(dǎo)體廠商。 排名第一的是三星;得益于內(nèi)存價(jià)格大幅
發(fā)表于 02-05 16:49
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臨近年底,不免要犒勞自己一番,隨著雙十二大促到來(lái),DIY配件也有好價(jià)奉上。趁著這個(gè)契機(jī)正好升級(jí)下內(nèi)存,畢竟現(xiàn)在挺多游戲?qū)?b class='flag-5'>內(nèi)存頻率比較敏感。就目前來(lái)說(shuō),8000 MT/s這個(gè)頻段的內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)降下來(lái)了,我覺得實(shí)在沒什么必要上700
發(fā)表于 01-04 10:34
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近日,據(jù)TrendForce最新分析,2025年第一季度,DRAM內(nèi)存市場(chǎng)將進(jìn)入傳統(tǒng)淡季階段。受智能手機(jī)等終端設(shè)備需求持續(xù)萎縮的影響,加之部分產(chǎn)品已提前進(jìn)行庫(kù)存?zhèn)湄洠A(yù)計(jì)明年一般型DRAM內(nèi)存(不計(jì)
發(fā)表于 12-31 14:47
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近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對(duì)三星電子的未來(lái)前景表達(dá)了擔(dān)憂。他預(yù)測(cè),由于客戶庫(kù)存過(guò)剩,三星電子在2025年上半年可能會(huì)面臨內(nèi)存芯片價(jià)格下跌的挑戰(zhàn)。 Park指出,盡管下半年芯片
發(fā)表于 11-27 11:22
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10月23日,iQOO正式揭曉,其最新款iQOO 13將獨(dú)家首發(fā)自研電競(jìng)芯片Q2,此舉突破了電競(jìng)視效的極限,樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿。
憑借Q2芯片的卓越性能,iQOO 13實(shí)現(xiàn)了行業(yè)前所未有的2K 144FPS超分超幀并發(fā)
發(fā)表于 10-24 11:43
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雪崩晶體管(Avalanche Transistor)是一種具有特殊工作特性的晶體管,其核心在于其能夠在特定條件下展現(xiàn)出雪崩倍增效應(yīng)。以下是對(duì)雪崩晶體管的定義、工作原理以及相關(guān)特性的詳細(xì)闡述。
發(fā)表于 09-23 18:03
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英偉達(dá)正式發(fā)布了2025財(cái)年第二季度報(bào)告,英偉達(dá)公司在Q2營(yíng)收達(dá)到了300.4億美元,這個(gè)營(yíng)收超過(guò)了市場(chǎng)預(yù)期的287億美元,同比增長(zhǎng)122%;凈利潤(rùn)為166億美元,同比增長(zhǎng)168%,也高于分析師預(yù)期
發(fā)表于 08-30 13:03
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泰科技扎實(shí)修煉內(nèi)功,持續(xù)推進(jìn)可持續(xù)發(fā)展與全球化戰(zhàn)略,一方面加速推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步與迭代,新產(chǎn)品、新項(xiàng)目、新客戶進(jìn)展順利;另一方面不斷優(yōu)化經(jīng)營(yíng)管理、提升運(yùn)營(yíng)效率,為公司長(zhǎng)期穩(wěn)健發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。 ? 半導(dǎo)體業(yè)務(wù)Q2毛利率大幅提升 需求復(fù)蘇盈利能力穩(wěn)
發(fā)表于 08-28 20:14
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近日,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)市場(chǎng)傳來(lái)重磅消息,由于服務(wù)器需求持續(xù)強(qiáng)勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著,多家大廠決定在第三季度對(duì)DDR5內(nèi)存價(jià)格進(jìn)行新一輪調(diào)整。據(jù)供應(yīng)鏈最新消息,三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知,宣布DDR5內(nèi)存的單季
發(fā)表于 08-21 15:40
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MOS管的雪崩是一個(gè)涉及半導(dǎo)體物理和器件特性的復(fù)雜現(xiàn)象,主要發(fā)生在高壓、高電場(chǎng)強(qiáng)度條件下。以下是對(duì)MOS管雪崩的詳細(xì)解析,包括其定義、原理、影響、預(yù)防措施以及相關(guān)的技術(shù)背景。
發(fā)表于 08-15 16:50
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的電壓為7.608,R5電阻兩端電位均為7.608V,VRS3點(diǎn)的電壓為7.608V。Q2處于關(guān)斷狀態(tài)。導(dǎo)致輸出不正常。使用TINA仿真情況也是如此。
但在仿真環(huán)境里將A2替換為OPA2333后
發(fā)表于 07-31 06:52
評(píng)論