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UF3C120150K4S是一款1200伏碳化硅（SiC）FET，其典型導通電阻（RDS（on））為150mΩ，最高工作溫度為175°C。

與標準的3引腳TO-247相比，該器件采用TO-247-4L封裝，可提供更快的開關時間和更清晰的柵極波形。

UnitedSiC新型UF3CFASTSiC系列的成員現在共有13種器件，采用TO-247-3L封裝和TO-247-4L封裝。有1200V和650V兩種選擇。

為什么采用4引腳？開爾文連接

UnitedSiC工程副總裁AnupBhalla博士在他的文章“使用開爾文連接來提高SiCFET的開關效率”中描述了開爾文連接的功效。

他指出，SiC設備最好采用TO-247等封裝，因為它們產生的熱量可以帶走。但正如他接著描述的那樣，問題在于“與TO-247封裝的連接通常具有高電感，這可能會限制開關速度。”但是，通過使用開爾文連接的技術，可以控制這個問題。

當要關閉器件時，通過將柵極驅動到負電壓可以克服這些麻煩的電感的影響，這需要額外的電路。

但是，通過使用開爾文連接來控制引線電感，設計人員可以避免這個問題。通過利用這種技術，UnitedSiC的設備能夠以最大的潛在開關速度運行，而無需復雜的驅動電路，這縮短了OEM的上市時間并降低了制造成本。

共源密碼器件

UF3C120150K4S是一款共源共柵器件。在這種布置中，SiC快速JFET與硅MOSFET共同封裝。這里的優點是MOSFET可以用非常低的輸入電壓控制，它本身可以控制一個非常高壓的JFET。

插入式替換功能

UnitedSiC的UF3C系列成員采用該公司所描述的真正的“直接替代”功能。這意味著設計人員可以通過簡單地用UnitedSiCFET替換現有的SiIGBT，SiFET，SiCMOSFET或Si超結器件，而無需改變柵極驅動電壓，從而顯著提高系統性能。

對比其它半導體商的產品

隨著今天對電力電子的重視，該領域還有其它的解決方案，以下是眾多可供選擇中的兩種：

SSDI的SGF46E70和SGF15E100系列是結合了GaNHEMT（高電子遷移率晶體管）和低壓硅MOSFET的共源共柵器件。這些設備專為要求苛刻的航空和國防應用而設計。

Transphorm的TP65H035WS是一款650V器件，結合了高壓GaNHEMT和低壓硅MOSFET。它專為數據通信，太陽能逆變器和伺服電機設備以及廣泛的工業應用而設計。

然而，似乎UnitedSiC僅提供基于GaN或SiC的開爾文功率FET。