西安三星電子閃存芯片項目二期正式啟動 投資達80億美元
日前，西安三星電子閃存芯片項目再次取得重要突破。12月10日，該項目二期第二階段80億美元投資正式啟動。
據西安晚報報道，三星電子一期投資108億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目。二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片。其中，第一階段投資約70億美元，明年3月竣工投產；第二階段投資80億美元，2021年下半年竣工。
二期項目建成后將新增產能每月13萬片，新增產值300億元，解決上千人就業，并帶動一批配套電子信息企業落戶，使西安成為全球水平最高、規模最大的閃存芯片制造基地。
2012年，西安高新區成功引進三星電子存儲芯片項目，成為了三星海外投資歷史上投資規模最大的項目，項目一期于2014年5月竣工投產，項目二期于2018年3月正式開工建設，其中第一階段投資70億美元。
陜西省委常委、西安市委書記王浩表示，三星電子決定啟動二期項目第二階段投資，有利于西安市做大電子信息產業、加快建設先進制造業強市步伐，也有利于三星電子鞏固產業優勢地位。
責任編輯：wv
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