作為NADN閃存技術(shù)的發(fā)明者，鎧俠（原來(lái)的東芝存儲(chǔ)）在新一代閃存研發(fā)上再次甩開對(duì)手，率先推出了Twin BiCS FLASH閃存技術(shù)，有望成為PLC閃存的最佳搭檔。

隨著3D閃存以及TLC、QLC閃存的普及，大容量SSD硬盤已經(jīng)成為被桌面、筆記本及數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)廣為接受。為了進(jìn)一步提高SSD容量、降低成本，閃存廠商開始推100+層堆棧的3D閃存，但是層數(shù)越多，制造難度也會(huì)增加，而且還要在每個(gè)單元內(nèi)容納更多的存儲(chǔ)電位，挑戰(zhàn)很大。

鎧俠推出的Twin BiCS閃存是全球首個(gè)3D半圓形分裂浮柵極閃存單元，從這個(gè)比較拗口的專業(yè)名詞中可以看出它使用的技術(shù)主要有半圓形、分裂、浮柵極，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是將傳統(tǒng)的浮柵極分裂為兩個(gè)對(duì)稱的半圓形柵極，利用曲率效應(yīng)提高閃存P/E編程/擦除過(guò)程中的性能。

Twin BiCS閃存的P/E操作性能對(duì)比

雖然新型閃存中也有BiCS的字樣，但是現(xiàn)在的BiCS閃存是基于CTP電荷捕捉原理的，在進(jìn)入3D閃存時(shí)代之后，幾乎所有閃存廠商都轉(zhuǎn)向了制造更簡(jiǎn)單的CTP技術(shù)而放棄了FG浮柵極技術(shù)，最后堅(jiān)持的兩家廠商中——美光在96層閃存之后也會(huì)放棄浮柵極技術(shù)，只有Intel還在堅(jiān)持FG浮柵極技術(shù)，后者性能、可靠性更好，但是制造工藝復(fù)雜。

鎧俠的Twin BiCS閃存技術(shù)現(xiàn)在又回到了浮柵極技術(shù)路線上來(lái)了，未來(lái)有可能改變?nèi)蜷W存技術(shù)的走向。

對(duì)于Twin BiCS閃存技術(shù)來(lái)說(shuō)，優(yōu)點(diǎn)還有一個(gè)，那就是分裂浮柵極減少了物理尺寸，使得使得同樣的單元里可以容納更多的電位——直白點(diǎn)說(shuō)就是，Twin BiCS閃存也給QLC之后的PLC閃存鋪平了道路。