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儒卓力推出了一款具有高功率密度和高效率的MOSFET器件

電子工程師 ? 來源:網絡整理 ? 作者:佚名 ? 2020-02-20 10:27 ? 次閱讀
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威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝,可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網站上供應這款MOSFET器件。

SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導通電阻(RDS(ON)),可以最大限度地降低傳導損耗。此外,該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優化柵極電荷(Qg),減少了與開關相關的功率損耗。

與采用6x5mm封裝的相似解決方案相比,TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%,從而實現了更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測試,符合RoHS要求且不含鹵素。

這款N-Channel MOSFET的應用包括AC/DC電源中的同步整流;面向電信、服務器和醫療設備的DC/ DC轉換器中的初級和次級側開關;用于服務器和電信設備中電壓調節的半橋功率級和降壓-升壓轉換器;電信和服務器電源中的OR-ing功能;用于開關電容器或開關柜轉換器的功率級;電動工具和工業設備中的電動機驅動控制;以及電池管理模塊中的電池保護和充電。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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