英偉達安培顯卡或基于三星10nm工藝
IT之家3月12日消息 根據外媒WCCFTECH的報道，爆料消息稱英偉達的下一代GPU架構將基于三星10nm制程，而不是之前報道的臺積電7nm工藝，據稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
外媒表示，英偉達安培架構曝光的GPU有GA102、GA103、GA104、GA106和GA1075款，配置最高的是GA102。報道還稱英偉達新款GPU將全部支持RTX(實時光線跟蹤)，這意味著英偉達在安培架構上對RT核心設計進行升級，使其在性能較弱的顯卡中也能實現光線追蹤的效果。
爆料者@CorgiKitty提供的信息顯示，配置最低的GA107為1280流處理器，4GB顯存，最高的GA102 GPU為5376流處理器，12GB顯存，其中GA102比上代的RTX 2080Ti性能提升了40%。
IT之家曾報道，受到疫情的影響，英偉達曾宣布將月底GTC的大會改為線上直播。根據外媒anandtech的最新消息，GTC線上直播也將取消，英偉達將會采用新聞稿的形式公布新品，時間定在3月24日。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15885瀏覽量
181933 -
英偉達
+關注
關注
22文章
3898瀏覽量
92795
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星與英偉達高層會晤，商討HBM3E供應
近期，三星電子設備解決方案(DS)部門負責人兼副董事長全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達公司CEO黃仁勛，在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達
英偉達、高通或轉單三星2納米工藝
近日，據SamMobile的最新消息，英偉達和高通兩大芯片巨頭正在考慮對其2納米工藝芯片的生產策略進行調整。具體來說，這兩家公司正在評估將部分原計劃在臺積電生產的2納米工藝訂單轉移至
英偉達加速認證三星新型AI存儲芯片
近日，英偉達首席執行官黃仁勛近日在接受采訪時透露，英偉達正在全力加速對三星最新推出的AI存儲芯片——HBM3E的認證進程。這一舉措標志著
英偉達加速認證三星AI內存芯片
近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內存芯片的認證工作。據英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進程，旨在盡快將
三星電子或向英偉達供應先進HBM
近日，韓國三星電子公司透露了一個引人矚目的消息，有可能在不久的將來向美國的人工智能巨頭英偉達提供其先進的高帶寬存儲器(HBM)。這一消息無疑為科技界帶來了新的期待。 值得一提的是，三星
三星HBM3E內存挑戰英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內存（新一代高帶寬內存產品）已順利通過英偉達嚴格測試。然而，三星
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試
韓國新聞源NewDaily近日發布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試，預示著即將開啟大規模生產并向英偉達供貨
三星否認HBM3E通過英偉達測試傳聞
近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內存）質量測試，并預計很快將啟動量產流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星
三星HBM研發受挫，英偉達測試未達預期，如何滿足AI應用GPU的市場需求？
據DigiTimes報道，三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環節出現問題。三星與臺積電在晶圓代工領域長期競爭，但在英偉
三星HBM芯片因發熱和功耗問題影響測試，與英偉達合作暫時擱淺
這是三星首次公開承認未能通過英偉達測試的原因。三星在聲明中表示，HBM是定制化存儲產品，需“依據客戶需求進行優化”，并強調正與客戶緊密合作以提升產品性能。然而，對于具體客戶信息，
三星HBM芯片遇阻英偉達測試
近日，三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露，芯片因發熱和功耗問題未能達標，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
工商網監
評論