我國終于打破了芯片制造被別國封鎖的局面，研制出了很多東西，就像超高級高模級紅外芯片、華為公司自主研發(fā)的麒麟990 5G芯片。它們都一步一步的打破了別國對中國的芯片制造封鎖局面，在華為研發(fā)出5G芯片之后中國又在芯片制造上獲突破，成為全球第一個(gè)解決芯片2納米問題的國家。

在這方面我們起步晚，又沒有相應(yīng)的技術(shù)支持，再加上沒有其他國家的一些援助力量，所以幾乎都是自己在進(jìn)行，而這樣的研發(fā)過程當(dāng)中就會(huì)做很多的彎路。因此也會(huì)更加的艱難，在半導(dǎo)體的制造上也一直是我國的一個(gè)弱點(diǎn)，但是現(xiàn)在我國取得了一些突破性的勝利。

報(bào)道指出，為了打破日韓美等國芯片制造技術(shù)的壟斷地位，我國早在2016年就開始著手對2nm芯片制程展開相關(guān)研究。目前，這項(xiàng)晶體管已經(jīng)獲得多項(xiàng)發(fā)明專利授權(quán)。

并被看作未來2nm及以下工藝的主要技術(shù)候選。與此同時(shí)，在我國成功將此項(xiàng)技術(shù)掌握在自己手里后，意味著未來我國在先進(jìn)芯片的制造上不用再依賴美企。

據(jù)中科院透露，2納米級的芯片在2024年就能夠投入生產(chǎn)了，此外，根據(jù)中芯國際公布的數(shù)據(jù)顯示，我國14納米芯片也將投入量產(chǎn)，其第一條生產(chǎn)線已經(jīng)在上海建立并投入使用了。據(jù)資料顯示，我國最新的12納米級芯片的訂單也已經(jīng)成功導(dǎo)入，更加先進(jìn)的制程工藝讓其能耗相比上代下降20%左右，性能提高10％。

就在全球處于7納米芯片的進(jìn)一步研發(fā)制造時(shí)，近日中科院成功攻克了2納米級芯片所需的關(guān)鍵技術(shù)——垂直納米環(huán)柵晶體管，為今后我國2納米級半導(dǎo)體的研發(fā)提前打下了基礎(chǔ)，堪稱全球首創(chuàng)。