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半導體的潛在物理過程

汽車玩家 ? 來源:傳感器專家網(wǎng) ? 作者:傳感器專家網(wǎng) ? 2020-05-04 17:36 ? 次閱讀

半導體”一詞已經(jīng)與在20世紀下半葉迅速改變?nèi)祟惿畹募舛?a target="_blank">電子技術聯(lián)系在一起。

一、什么是半導體?

“半導體”一詞已經(jīng)與在20世紀下半葉迅速改變?nèi)祟惿畹募舛穗娮蛹夹g聯(lián)系在一起。但是,就其本身而言,半導體并不那么引人注目:它只是一種具有中等導電性的材料-也就是說,它的導電性比導體小,但比絕緣體大。

熱能使價電子脫離半導體的晶格結構,從而變成“自由”電子。這些移動電子是可以在施加的電場的影響下移動的負電荷,這些自由電子留下的空穴起移動正電荷的作用。電子和空穴都參與半導體電流,并且半導體中的電學性質受材料中存在的自由電子和空穴的數(shù)量影響。

半導體的潛在物理過程

左圖表示半導體的規(guī)則晶格,右圖包括電子-空穴對。

普通的未經(jīng)修飾的半導體無法提供有用的電子功能。將半導體轉變?yōu)榧夹g革命手段的第一步稱為摻雜。

二、半導體摻雜

我們可以通過將其他材料注入晶格結構來控制半導體中載流子的數(shù)量。更具體地說,我們注入具有不同價電子數(shù)量的材料。

假設我們的半導體是硅(Si),它是IV組元素,因此具有四個價電子。如上圖所示,硅原子通過共價鍵結合成規(guī)則的晶格結構。諸如磷(P)之類的V組元素具有五個價電子,如果我們向硅中注入磷,則每個注入的原子都會向半導體的晶格中引入一個自由電子:

半導體的潛在物理過程

用V族元素摻雜會引入自由電子。

在這種情況下,磷起摻雜劑的作用,而硅成為n型半導體:它通過摻雜獲得了額外的自由電子,并且在施加電場時,電流將主要歸因于具有負電荷的電子。因此,在n型半導體中,電子是多數(shù)載流子,而空穴是少數(shù)載流子。

另一方面,如果我們用III族元素(例如硼(B))摻雜,則每個摻雜原子都會引入一個額外的空穴。這將硅變成了p型半導體:空穴的數(shù)量超過了自由電子的數(shù)量,電流的流動將主要歸因于正電荷的運動。因此,在p型半導體中,空穴是多數(shù)載流子,電子是少數(shù)載流子。

半導體的潛在物理過程

用III族元素摻雜會引入空穴。

注入元素并不是摻雜過程中唯一的變量。我們還可以控制摻雜劑濃度,從而影響半導體的電性能。當半導體包含相對較高濃度的摻雜原子時,我們稱其為重摻雜。如果它包含相對較低濃度的摻雜劑原子,則將其輕摻雜。例如,場效應晶體管將重摻雜硅用作源極和漏極區(qū)域。

如果目標是制造有用的電子組件,那么摻雜材料本身并沒有比原始半導體更好。但是,當我們將n型半導體與p型半導體相鄰放置時,一切都會改變,此結構稱為pn結。

三、pn結和半導體二極管

當我們專注于半導體操作的物理學時,我們使用術語pn結;當我們專注于電路設計時,我們使用二極管一詞。但是它們本質上是同一回事:一個基本的半導體二極管是一個帶有導電端子的pn結。首先,讓我們看一下圖,然后,我們將簡要探討這個極為重要的電路元件的行為。

左邊的實心圓是空穴,右邊的實心圓是電子。該耗盡區(qū)由已經(jīng)與從n型半導體(這些重組孔由圓圈負號表示)和電子已經(jīng)與從p型半導體(由帶圓圈的正號表示)空穴重新結合的自由電子再結合孔。該復合導致耗盡區(qū)的p型部分帶負電,并且耗盡區(qū)的n型部分帶正電。

半導體的潛在物理過程

在p型和n型材料的接合處電荷的分離會導致電位差,稱為接觸電位。在硅pn結二極管中,接觸電勢約為0.6V。如上圖所示,該電勢的極性與我們預期的相反:在n型側為正,而在負極為負在p型一側。

電流可以通過擴散流過結-由于結兩部分的電荷載流子濃度不同,一些來自p型材料的空穴將擴散到n型材料中,而一些來自n型電子型材料將擴散到p型材料中。然而,由于接觸電勢對該擴散電流起阻擋作用,因此幾乎沒有電流流動。此時,我們將開始使用術語勢壘電壓代替接觸電勢。

四、正向和反向偏置

如果我們將二極管連接到電池,使得電池的電壓與勢壘電壓具有相同的極性,則結點將被反向偏置。由于我們正在增加勢壘電壓,因此擴散電流進一步受到阻礙。

半導體的潛在物理過程

施加反向偏置電壓會使結的耗盡區(qū)變寬。

另一方面,如果我們將電池的正極端子連接到二極管的p型側,而負極端子連接到n型側,則我們正在降低勢壘電壓,從而促進電荷載流子在結上的擴散。但是,在我們克服勢壘電壓并完全耗盡耗盡區(qū)之前,電流量將保持相當?shù)偷乃健_@在施加的電壓等于勢壘電壓時發(fā)生,并且在這些正向偏置條件下,電流開始自由流過二極管。

半導體的潛在物理過程

五、二極管作為電路組件

前面的討論揭示了產(chǎn)生硅二極管電行為的兩個最突出特征的潛在物理過程。

首先,當以反向偏壓極性施加電壓時,pn結阻止電流流動,而當以正偏壓極性施加電壓時,pn結允許電流流動。這就是為什么二極管可以用作電流的單向閥的原因。

其次,當施加的正向偏置電壓接近勢壘電壓時,流過二極管的電流呈指數(shù)增長。這種指數(shù)電壓-電流關系使正向偏置二極管的電壓降保持相當穩(wěn)定,如下圖所示。

半導體的潛在物理過程

二極管的工作量可以近似為一個恒定的電壓降,因為電流的大增加對應于很小的電壓增加。

下圖闡明了二極管的物理結構,其電路符號以及我們用于其兩個端子的名稱之間的關系。施加正向偏置電壓會使電流沿藍色箭頭方向流動。

半導體的潛在物理過程

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