多數汽車]

差異化的多晶硅浮柵嵌入式閃存
多年來，大多數]

]這里來插播一下閃存最最基本的位單元存儲結構和工作原理，請看下面三圖。

嵌入式閃存的低工作電壓特性使其非常適用于]

嵌入式閃存支持]

這經常讓人們誤認為嵌入式閃存不能滿足]

]嵌入式閃存是可以擴展的十年以前，紛紛流傳嵌入式閃存無法突破 90nm 以下節點，理由是存儲單元擴展面臨諸多困難和挑戰。可如今嵌入式閃存已發展到 28nm 級，因此證明上述看法是錯誤的。現在面臨的挑戰是將嵌入式閃存邁入 FinFet 工藝時代。不過，諸如 Samsung 和 GLOBALFOUNDRIES 等代工廠正專注于平面 22 nm 技術節點（甚至更小）的 FDSOI 技術，可能會使嵌入式閃存的使用壽命比 28nm 節點更長。

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圖]

所有無晶圓廠的 IDM 和許多只有小規模晶圓廠的 IDM 都在與純代工廠進行合作。不過，IDM 都有自己的制造設備，可以根據產品集和可用技術，選擇自己生產或外包給純代工廠。許多一流 IDM 選擇了在其自己的代工廠部署 SST 的嵌入式閃存技術，目的是為了能夠定制一系列技術節點的差異化產品。