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全面考慮產品設計的EMC挑戰

analog_devices ? 來源:亞德諾半導體 ? 作者:亞德諾半導體 ? 2020-05-29 09:31 ? 次閱讀
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電子系統需要實施隔離,它的作用是保護人員和設備不受高電壓的影響,或者僅僅是消除PCB上不需要的接地回路。在各種各樣的應用中,包括工廠和工業自動化、醫療設備、通信和消費類產品,它都是一個基本設計元素。 近日,ADI接口與隔離產品中國區業務拓展專家陳捷先生做客ADI智庫在線課程直播,從隔離技術的前景展望看集成電路發展到 EMI 挑戰及目前主要解決方法延展至ADI新一代具有低輻射發射的isoPower的產品綜述。

全面考慮產品設計的EMC挑戰 眾所知周,芯片級隔離電源的進步可以大大降低設計的復雜性,減少元路件數量,同時通過多個隔離電源實現空間受限應用。輻射發射一直是一個挑戰,使用50MHz至200MHz的頻率來減小變壓器尺寸會帶來輻射的增加:

共模電流:寄生電流通過變壓器耦合到副邊

無返回途徑:這些電流不能穿過隔離柵,沒有返回的物理途徑,會形成偶極天線,進而產生輻射

環路面積:VISOOUT和GND2引腳連接到平面會增加環路面積和輻射

拼接電容:為減少偶極輻射,需要為高頻共模電流提供一個低阻抗返回路徑

隔離電源技術工作原理

挑戰:輻射發射增加

產品上市前,必須符合EMC規定。將變壓器和所需的電路集成到更小的封裝中會產生EMI,因此需要采用復雜且成本高昂的RE抑制技術,以滿足電磁兼容性(EMC)法規的要求。據報道,50%的產品首次EMC測試都以失敗告終。這可能是因為缺乏相關知識,且未能在產品設計階段的早期應用EMC設計技術。想要最大限度地縮短設計時間和降低項目成本,在項目開始時就進行EMC設計是至關重要的。組件的選擇和放置也很重要。將符合行業標準的器件納入選擇和設計可以提高合規性。

EMC抑制技術亟需更好的方法 與使用分立式變壓器的傳統方法相比,將變壓器和電路集成到芯片級封裝中可減少組件數量,進而大大節省PCB空間,但可能會引入更高的輻射發射。輻射發射抑制技術會使PCB的設計更加復雜,或需要額外組件,因此可能會抵消集成變壓器所節省的成本和空間。例如,在PCB級別抑制輻射發射的一種常見方法是為CM電流形成一個從次級端至初級端的低阻抗路徑,從而降低RE水平。要實現這一點,可以在初級端和次級端之間使用旁路電容。該旁路電容可以是分立式電容,也可以是嵌入式夾層電容。

分立式電容是最簡單的解決方案,可能是有引線或表面安裝組件。它還具有適用于2層PCB的優點,但分立式電容價格昂貴且體積龐大,會占用寶貴的PCB空間,特別是在可能堆疊了多個組件的隔離柵旁。 另一個不是很理想的解決方案是使用嵌入式旁路電容,當PCB中的兩個面重合時就會形成該電容。此類電容具有一些非常有用的特性,原因在于平行板電容的電感極低,因此在更大的頻率范圍內都有效。它可以提高發射性能,但因為需要自定義層厚來獲得正確的電容,且PCB需要四層或更多層,所以設計復雜性和成本都會增高。此外,還必須通過隔離的方式,確保內部重疊層的間距滿足相關隔離標準所規定的最低距離標準。 無論是分立式還是嵌入式,使用旁路電容都不是理想的抑制技術。它雖然可以幫助減少輻射發射,卻要以增加組件、采用復雜的PCB布局和提高瞬態敏感性為代價。理想的抑制技術不需要采用旁路電容,因此可以降低成本和PCB設計的復雜性。

ADI新一代isoPower系列產品 新一代isoPower系列產品采用創新的設計技術,可以避免產生大量輻射發射,甚至在沒有旁路電容的2層板上也不例外。ADuM5020和ADuM5028在以大幅裕量滿足CISPR22/EN55022B類限制的同時,可以分別跨隔離柵提供500mW和330mW功率。

ADuM5020采用16引腳寬體SOIC封裝,而對于ADuM5028,可以選擇的最小封裝是8引腳SOIC。ADuM5020/ADuM5028提供3V和5V兩種電源選項,以及3kV rms額定隔離。 為了減少輻射發射,ADuM5020/ADuM5028具有出色的線圈對稱性和線圈驅動電路,有助于將通過隔離柵的CM電流傳輸最小化。擴頻技術也被用來降低某一特定頻率的噪聲濃度,并將輻射發射能量擴散到更廣泛的頻段。在次級端使用低價鐵氧體磁珠會進一步減少輻射發射。在RE合規測試期間,這些技術可以改善峰值和準峰值測量水平。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:給您一個方法簡化電源隔離設計,輕松滿足EMI目標

文章出處:【微信號:analog_devices,微信公眾號:analog_devices】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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