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24nm NAND Flash量產(chǎn)? 東芯半導(dǎo)體高容量存儲產(chǎn)品助力5G基站和可穿戴應(yīng)用

章鷹觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友原創(chuàng) ? 作者:章鷹 ? 2020-07-07 14:56 ? 次閱讀

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7月3日,2020慕尼黑上海電子展盛大開幕,作為慕尼黑展唯一的視頻直播合作方,<電子發(fā)燒友>在展會期間,通過現(xiàn)場直播方式采訪了5G領(lǐng)域內(nèi)眾多企業(yè),就相關(guān)的行業(yè)、技術(shù)、市場和產(chǎn)品等話題進行了廣泛的交流。

作為國內(nèi)存儲芯片的重要廠商之一,東芯半導(dǎo)體在汽車存儲、5G基站存儲和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的存儲上頗有建樹。7月4日,東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊接受了<電子發(fā)燒友>的獨家專訪,對5G基站和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場的存儲技術(shù)和市場趨勢進行了前瞻。

圖:東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊

東芯半導(dǎo)體作為國內(nèi)存儲IC芯片設(shè)計的重要廠商之一,如何前瞻存儲芯片在5G和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的市場前景和趨勢是怎樣的?

陳磊:最近兩年,5G和物聯(lián)網(wǎng)快速發(fā)展推動存儲器的市場發(fā)展。以物聯(lián)網(wǎng)、5G、人工智能和大數(shù)據(jù)中心等為重點的新基建應(yīng)用,都需要高速且穩(wěn)定可靠的存儲芯片作為各種大大小小的數(shù)據(jù)站點,且數(shù)據(jù)站點的需求在不斷擴大,為云端大數(shù)據(jù)或者終端點應(yīng)用的基礎(chǔ)儲存?zhèn)}庫。

左:電子發(fā)燒友執(zhí)行副主編章鷹 右:東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊

2020年,5G宏基站相比4G基站,密度更大,5G宏基站對存儲器提出了更多的性能要求。尤其這種大容量FLASH在5G基站的AAU上面的應(yīng)用。在存儲容量上,從512Mb上升1Gb,甚至2Gb的容量。5G宏基站也增加對SLC NAND需求,還有TWS耳機為代表的可穿戴產(chǎn)品對NOR Flash的需求增長明顯。主要需求集中在1.8V NOR Flash部分。

2020年,5G手機出貨量大增,三大運營商計劃部署55萬站5G基站,貴司主攻Nand Flash閃存和NOR Flash閃存主攻5G應(yīng)用的哪些領(lǐng)域?在5G+物聯(lián)網(wǎng)市場實現(xiàn)了哪些突破?

陳磊:5G基站對高容量的NOR Flash需求大,東芯半導(dǎo)體已經(jīng)研發(fā)1Gb的大容量SPI NOR Flash。物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,東芯推出了1.8V低功耗的SPI NOR Flash,容量可以涵蓋32Mb至256Mb,主要應(yīng)用在TWS耳機、智能手環(huán)、智能手表等可穿戴設(shè)備上。

作為國內(nèi)中小容量存儲芯片企業(yè),東芯半導(dǎo)體產(chǎn)品聚焦在以2D SLC NAND, 低功耗的中高容量NOR FLASH和NAND MCP為主。目前在合作伙伴中芯國際的生產(chǎn)線上,已經(jīng)實現(xiàn)了38納米和24納米NAND FLASH的量產(chǎn)。作為最新的工藝節(jié)點,我們也正在努力開發(fā)1x納米NAND FLASH工藝技術(shù)。明年我們會繼續(xù)在48nm的工藝上開發(fā)512Mb,乃至1Gb的SPI NOR FLASH。

憑借自主研發(fā)的態(tài)度,努力為產(chǎn)品的性能進行不斷調(diào)整提升,東芯半導(dǎo)體現(xiàn)在的存儲器產(chǎn)品已經(jīng)從5G接入網(wǎng)的終端進入到核心網(wǎng),骨干網(wǎng)和5G宏基站內(nèi)部。為國內(nèi)的電信級設(shè)備提供了完全國產(chǎn)化的存儲器產(chǎn)品。

在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域、汽車和手機存儲市場,目前中國市場的痛點是什么?

陳磊:汽車市場需求的存儲器,門檻就是高可靠性要求。普通消費電子需求的存儲器產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)在100PPM到200PPM左右,這個標(biāo)準(zhǔn)在汽車上是不允許,汽車要求的存儲產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)達到PPB級別,即10億顆才能出現(xiàn)的錯誤,而PPM是百萬顆的標(biāo)準(zhǔn),汽車電子對產(chǎn)品的長期供貨要求嚴苛,要求10-15年產(chǎn)品的長期供貨能力。這對東芯半導(dǎo)體生產(chǎn)周期構(gòu)成大的挑戰(zhàn)。

在數(shù)據(jù)中心等大規(guī)模的IDC,目前的DDR4, 未來的DDR5將給數(shù)據(jù)中心帶來更高的帶寬。大容量的SSD使用的3D NAND還基本都是以韓國,美國和日本的供應(yīng)商為主。在大容量存儲芯片領(lǐng)域,國內(nèi)供應(yīng)商和境外大廠相比,在技術(shù)和生產(chǎn)工藝端還有著不少的差距。例如3D NAND,國內(nèi)目前能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品跟國外知名企業(yè)可能還存在1~2代的技術(shù)差距。未來的挑戰(zhàn)可能更偏重在存儲容量的提升和制造工藝技術(shù)的累積。

汽車級的存儲器目前國內(nèi)公司涉足的還非常的少,主要原因還是在于設(shè)計能力,長期穩(wěn)定的工藝配套,和長時間的供應(yīng)能力。手機存儲還是以大容量,低功耗為訴求。

目前,東芯半導(dǎo)體的產(chǎn)品已經(jīng)開始涉足汽車級的產(chǎn)品,公司已經(jīng)在開發(fā)符合AEC Q100規(guī)范的SLC NAND,也開始下一代低功耗DRAM的產(chǎn)品,相信我們的LPD4x的產(chǎn)品將會面世,配合我們先進工藝的SLC NAND在5G的物聯(lián)網(wǎng)時代為客戶帶來更高性能,更具性價比的存儲器產(chǎn)品。

東芯半導(dǎo)體在慕尼黑展帶來哪些重磅產(chǎn)品發(fā)布?

陳磊:在慕尼黑上海電子展會上,東芯半導(dǎo)體不僅帶來了量產(chǎn)的38nm的SLC NAND, SPI NAND, 65nm的低功耗1.8v SPI NOR,NAND MCP還有下一代的明星產(chǎn)品:24nm SLC NAND, 28nm SPI NAND和48nm的1.8v 256Mb SPI NOR FLASH。




東芯半導(dǎo)體在存儲領(lǐng)域的哪些創(chuàng)新技術(shù)和解決方案解決了市場的痛點?

陳磊:目前,東芯半導(dǎo)體產(chǎn)品有四大類。首先,東芯已經(jīng)量產(chǎn)65nm SPI NOR FLASH,2020年下半年將會量產(chǎn)的48nm SPI NOR FLASH,東芯的48nm制程相較上一代65nm產(chǎn)品有更高密度的集成,于是對于同等容量的存儲芯片來說,Die size也就更小,大幅提高了成本優(yōu)勢,相較65nm來說,成本有顯著的下降。同時,我們還可以給用戶需求提供小型的封裝。

新產(chǎn)品繼續(xù)支持標(biāo)準(zhǔn)SPI/Dual/Qual SPI及QPI的基礎(chǔ)上,增加了DTR傳輸模式,即在時鐘上升沿和下降沿都可以進行數(shù)據(jù)輸出,相較于之前STR的單時鐘邊沿采樣,同樣的頻率下,有了雙倍的傳輸速率,進一步提高了數(shù)據(jù)訪問的效率。

其次,東芯半導(dǎo)體量產(chǎn)了 38nm的SLC NAND FLASH,未來將會量產(chǎn)24nm SLC NAND,這是目前國內(nèi)最先進工藝的SLC NAND。主要應(yīng)用在光貓、路由器、4G模塊上。這些旗艦產(chǎn)品都是東芯半導(dǎo)體自主研發(fā),擁有完全知識產(chǎn)權(quán),可以給國內(nèi)客戶提供全國產(chǎn)化的器件。

最新推出的28nm SPI NAND FLASH, 兼容1.8V/3.3V供電電壓, 我們在設(shè)計產(chǎn)品時,通過金屬層選項的改變,可與靈活在這兩個供電電壓之間切換,從而適用于大多數(shù)的商用產(chǎn)品。東芯半導(dǎo)體的SPI NAND和國內(nèi)的大多數(shù)公司采用通過外接控制器,從而實現(xiàn)單口,雙口,四口的接口模式是截然不同的。

東芯的SPI NAND FLASH都是內(nèi)置4比特/8比特ECC技術(shù),先進的內(nèi)置ECC模塊能極大的提高產(chǎn)品的可靠性,保證產(chǎn)品的容錯率,大多數(shù)公司使用外置的ECC模塊并封裝在一起,但是這樣增加了芯片的面積以及CP測試時間。

第三、DRAM產(chǎn)品,包括DDR3和Low Power DRAM,主要以NAND MCP產(chǎn)品形式封裝。第四部分,NAND MCP產(chǎn)品,主要是交付功能手機,4G和5G模塊的物聯(lián)網(wǎng)客戶。

2020年下半年,東芯半導(dǎo)體在主要存儲業(yè)務(wù)線的增長目標(biāo)是怎樣的?

陳磊:今年上半年,東芯半導(dǎo)體業(yè)務(wù)健康發(fā)展,受惠于國內(nèi)疫情的快速控制,海外疫情的分階段發(fā)展,東芯半導(dǎo)體調(diào)整了生產(chǎn)的節(jié)奏,在海外市場受到影響的情況下,大力開拓國內(nèi)市場。6月以來,海外市場逐步打開,東南亞市場、歐美市場向公司敞開了大門,2020年下半年客戶的需求向好。

疫情對公司未來運營會產(chǎn)生影響,東芯半導(dǎo)體聚焦提升核心競爭力應(yīng)對未來客戶需求。上半年,公司的SPI NAND FLASH產(chǎn)品已經(jīng)服務(wù)覆蓋了全國所有的網(wǎng)絡(luò)通訊類的客戶,1.8v SPI NOR FLASH取得了幾個關(guān)鍵客戶的設(shè)計。除此之外,公司的NAND MCP產(chǎn)品在國內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)市場開始嶄露頭角,得到了國內(nèi)主要模塊廠商的設(shè)計案例。

基于28nm SPI NAND FLASH和48nm SPI NOR FLASH,東芯半導(dǎo)體下半年可以給客戶提供更有優(yōu)勢的產(chǎn)品。我們希望可以在去年的基礎(chǔ)上實現(xiàn)業(yè)績的成倍增長。

請介紹一下,貴公司存儲產(chǎn)品在5G領(lǐng)域應(yīng)用的成功案例?

陳磊:公司的4Gb/8Gb SLC NAND已經(jīng)取得了國內(nèi)領(lǐng)先的5G宏基站供應(yīng)商的認可,已經(jīng)開始量產(chǎn)供應(yīng)。以往東芯半導(dǎo)體的NAND主要用于客戶的接入網(wǎng)、個人和家庭的光貓、路由器,今年東芯半導(dǎo)體的高容量NAND進入5G核心網(wǎng)。

5G宏基站的部署條件非常復(fù)雜,在我們和客戶交流后,基站部署橫跨高熱高潮濕度的地域,也部署在北方低溫、干燥的環(huán)境中,還有部署在布滿粉塵等惡劣的環(huán)境下,5G基站信號要做到7*24*365天,器件要求高過車規(guī)要求。通過研發(fā)工程師和客戶做過技術(shù)對接后,做了客制化的開發(fā),得到國內(nèi)中芯國際北京、國內(nèi)封裝測試廠的支持,目前在合作伙伴中芯國際的生產(chǎn)線上,已經(jīng)實現(xiàn)了38納米和24納米NAND FLASH的量產(chǎn)。這些器件滿足工業(yè)寬溫(105C)的要求,和符合車規(guī)AEC Q100的SLC NAND FLASH產(chǎn)品。

憑借自主研發(fā)的態(tài)度,努力為產(chǎn)品的性能進行不斷調(diào)整提升,東芯半導(dǎo)體現(xiàn)在的存儲器產(chǎn)品已經(jīng)從接入網(wǎng)的終端進入到核心網(wǎng),骨干網(wǎng)和5G宏基站內(nèi)部。為中國的電信級設(shè)備提供了完全國產(chǎn)化的存儲器產(chǎn)品。

作為最新的工藝節(jié)點,東芯也正在努力開發(fā)1x納米NAND FLASH工藝技術(shù)。東芯的低功耗1.8v的SPI NOR FLASH容量可以涵蓋32Mb至256Mb,明年我們會繼續(xù)在48nm的工藝上開發(fā)512Mb,乃至1Gb的SPI NOR FLASH。

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