在智能化電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)過程中,經(jīng)常會(huì)遇到一些重要數(shù)據(jù)的非易失性保存問題。早期普遍采用的是電池維持RAM供電以實(shí)現(xiàn)整機(jī)掉電后的數(shù)據(jù)保存。但這樣做會(huì)由于電池本身的原因,如電池的使用壽命相對(duì)較短及某些惡劣環(huán)境(高濕高溫等)導(dǎo)致電池失效,而引起數(shù)據(jù)丟失的情況出現(xiàn)。同時(shí)電池體積相對(duì)較大,會(huì)嚴(yán)重限制某些電子產(chǎn)品的微型化設(shè)計(jì)。
目前非易失性的數(shù)據(jù)保存方法多采用EEPROM。但EEPROM也有其弱點(diǎn),一是擦次數(shù)有限(多為10萬次),二是定入速率慢,這樣就限制了其在許多需要頻繁更新數(shù)據(jù)且需高速傳輸數(shù)據(jù)場(chǎng)合中的應(yīng)用。
本文介紹的存儲(chǔ)器芯片X24C45,可以較好地解決上述非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)過程中遇到的難題。
1 X24C45的功能特點(diǎn)
X2C45是Xicor公司開發(fā)的一種設(shè)計(jì)思想獨(dú)特的非易失性存儲(chǔ)器。這種器件將RAM和EEPROM制作在同一塊芯片上,RAM存儲(chǔ)陣列(16×16)的各個(gè)bit與EEPROM存儲(chǔ)陣列的各個(gè)bit一一對(duì)應(yīng),通過軟件指令或外部輸入能夠使數(shù)據(jù)在兩個(gè)存儲(chǔ)陣列之間相互傳送。其中的RAM存儲(chǔ)陣列正常工作時(shí)能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)與外部芯片的隨機(jī)存取功能,這樣可保證該芯片適合數(shù)據(jù)快速存取的場(chǎng)合;而在電源電壓降至閾值電壓時(shí),該芯片能自動(dòng)將RAM中的當(dāng)前數(shù)據(jù)傳輸至EEPROM中,這樣就保證了掉電時(shí)的數(shù)據(jù)非易失性保存。掉電情況在絕大多數(shù)系統(tǒng)中都不會(huì)頻繁出現(xiàn),故對(duì)EEPROM的擦寫次數(shù)相應(yīng)地不會(huì)太多。而X24C45中EEPROM的擦寫閃數(shù)又高達(dá)100萬次,可見X24C45完全能勝任在數(shù)據(jù)頻繁更新的場(chǎng)合實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)的任務(wù)。
X24C45的引腳圖如圖1所示。
腳1為片選端,當(dāng)該腳為高時(shí)片選有效,當(dāng)該腳為低時(shí)芯片處于低功耗待機(jī)狀態(tài),且X24C45中的指令寄存器被復(fù)位;腳2為串行時(shí)鐘端;腳3為串行數(shù)據(jù)輸入;腳4為串行數(shù)據(jù)輸出;腳5為接地端,腳8為電源端;腳7為漏極開路輸出,當(dāng)電源電壓降至低于自動(dòng)存儲(chǔ)閥值電壓VASTH(VASIT在4.0V~4.3V范圍)時(shí),腳7為低,對(duì)外部電路發(fā)出一個(gè)掉電報(bào)警或掉電復(fù)位信號(hào),可見該芯片同時(shí)具有電源監(jiān)視功能。腳6輸入一個(gè)低電平時(shí),將會(huì)執(zhí)行由EEPROM將數(shù)據(jù)傳輸?shù)絉AM的操作。
2 X24C45的指令集及工作時(shí)序
X24C45的各種功能主要是由軟件來實(shí)現(xiàn)。CPU通過DI端口向X24C45中的指令寄存器傳送一個(gè)指令,以實(shí)現(xiàn)某個(gè)功能。其指令集如表1所示。
可見,所有指令的最高位都為“1”。所以在片選信號(hào)CE為高有效時(shí),DI口由低電平跳變出一個(gè)時(shí)鐘周期的高電平,表明開始輸入一個(gè)指令,其工作時(shí)序如圖2所示。
由RAM將數(shù)據(jù)存入EEPROM的操作條件限制較嚴(yán)格,為的是防止對(duì)EEPROM的意外寫操作(因?yàn)镋EDPROM的擦寫次數(shù)有限,不必要的寫操作應(yīng)避免)。所以該存儲(chǔ)功能的實(shí)現(xiàn),必須滿足以下三個(gè)條件同時(shí)成立:接收到STO指令;接收到WREN指令;接收到RCL指令或腳6電平被拉低。在將EEPROM的數(shù)據(jù)送回到RAM中的同時(shí),應(yīng)使X24C45內(nèi)部的“前次數(shù)據(jù)恢復(fù)”鎖存器置位。另外需要說明的是,在將RAM中的數(shù)據(jù)存入EEPROM的操作過程中,X24C45的其它所有功能都被禁止。
ENAS指令將X24C45內(nèi)部的“自動(dòng)存儲(chǔ)器使能”鎖存器置位,從而允許在電源電壓降至低于自動(dòng)存儲(chǔ)閥值電壓VASTH時(shí),自動(dòng)執(zhí)行將RAM中的數(shù)據(jù)存入EEPRO的操作。
為了少占用CPU的I/O端口,X24C45的DI腳和DO腳通常連接到CPU的同一個(gè)I/O口(如圖1所示)。READ指令將RAM中AAAA地址的數(shù)據(jù)讀出,該指令的最低位為無關(guān)位,這樣正好允許在READ指令的第八個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)將I/O口由輸出轉(zhuǎn)換為輸入。RAM的讀操作時(shí)序如圖3所示。
WRITE指令將數(shù)據(jù)寫入RAM的AAAA地址中,其時(shí)序如圖4所示。需要說明的是,RAM中的每個(gè)地址存儲(chǔ)16bit數(shù)據(jù)。
3 X24C45應(yīng)用時(shí)需注意的問題
X24C45實(shí)際應(yīng)用時(shí)與CPU的連接如圖1所示。前面已經(jīng)提到為節(jié)省CPU的I/O端口,可以將DI腳和DO腳連接到CPU的同一個(gè)I/O口(PA4)。
在此要特別強(qiáng)調(diào)的是,電容C和二極管D本來是沒有加上去的,X24C45芯片手冊(cè)中也沒有這樣說明。但在實(shí)際應(yīng)用中筆者發(fā)現(xiàn),在沒有加上電容C和二極管D的情況下,X24C45會(huì)出現(xiàn)掉電時(shí)備份數(shù)據(jù)出錯(cuò)的現(xiàn)象。究其原因,是因?yàn)樵赬24C45中將當(dāng)前數(shù)據(jù)由RAM存儲(chǔ)到EEPROM時(shí)需要一定的時(shí)間(該時(shí)間典型數(shù)值為2ms,最長(zhǎng)可達(dá)5ms),而且啟動(dòng)自動(dòng)存儲(chǔ)的閾值電壓在4.0V~4.3V之間,數(shù)據(jù)由RAM存儲(chǔ)到EEPROM所需要的最低電源電壓為3.5V,掉電后電源電壓由閥值電壓電路和負(fù)載的不同而不同。顯然,掉電后電源電壓由閥值電壓下降到3.5V所需的時(shí)間如果少于數(shù)據(jù)由RAM存儲(chǔ)到EEPROM所需的時(shí)間,就會(huì)出現(xiàn)一部分?jǐn)?shù)據(jù)因不能被及時(shí)備份而丟失的問題,而這種問題的出現(xiàn)如果不采取相應(yīng)的措施是可能被避免的。圖1中的電容C和二極管D可以保證掉電后X24C45電源端的電壓由閥值電壓下降到3.5V所需時(shí)間足夠長(zhǎng),從而杜絕掉電時(shí)備份數(shù)據(jù)出錯(cuò)的情況。
4 X24C45相關(guān)操作的軟件實(shí)現(xiàn)
X24C45與MC68HC05C4單片機(jī)的硬件連接如圖1所示。下面給出與其對(duì)應(yīng)的有關(guān)X24C45的前次數(shù)據(jù)恢復(fù)到RAM和自動(dòng)存儲(chǔ)功能能使設(shè)置等操作的軟件編程。
SAMP:LDA #$1C $1C=00011100
STA $04 設(shè)置PA2、PA3、PA4為輸出
LDA #$00
STA $00 初始化PA2、PA3、PA4為0
LDA #$85 $85=10000101為RCL指令
STA $81 將RCL指令送至待發(fā)送地址
JSR CEHI 調(diào)用置CE為高子程序
JSR OUTB 調(diào)用輸出8bit子程序
JSR CELO 調(diào)用置CE為低子程序
LDA #$82 $82=10000010為ENAS指令
STA $81 將ENAS指令送至待發(fā)送地址
JSR CEHI 調(diào)用置CE為高子程序
JSR OUTB 調(diào)用輸出8bit子程序
JSR CELO 調(diào)用置CE為低子程序
……
CEHI:BSET 2,$00 置CE(PA2)為高
RTS
OUTB:LDA #$08 準(zhǔn)備移出8個(gè)bit
STA $84 將8送至計(jì)數(shù)器
LOOP:ROL $81 待發(fā)送內(nèi)容循環(huán)左移
BCC IS0 C=0轉(zhuǎn)移至IS0
BSET 4,$00 送1至DI/O(PA4)
BRA IS1 跳轉(zhuǎn)至IS1
IS0:BCLR 4,$00 送0至DI/O(PA4)
IS1:JSR CLOCK 調(diào)用時(shí)鐘信號(hào)子程序
DEC $84 計(jì)數(shù)器減1
BNE LOOP 計(jì)數(shù)器內(nèi)容≠0跳轉(zhuǎn)
RTS 計(jì)數(shù)器內(nèi)容=0結(jié)束
CELO:BCLR 4,$00 將DI/O(PA4)拉低
BCLR 2,$00 置CE(PA2)為低
RTS
CLOCK:BSET 3,$00 置SK(PA3)為高
BCLR 3,$00 置SK(PA3)為低
RTS
限于篇幅,CPU對(duì)X24C45其它操作的軟件編程不再贅述。按照上述硬件、軟件的設(shè)計(jì)思想,已將X24C45成功地應(yīng)用在電話計(jì)費(fèi)器的設(shè)計(jì)中。
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更小的非易失性存儲(chǔ)器特性分析

汽車系統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的選擇
X24C45 pdf datasheet (Serial A
用X24C45實(shí)現(xiàn)設(shè)備掉電時(shí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
X24C45在多表集中抄收系統(tǒng)中的應(yīng)用
X24C45在多表集中抄收系統(tǒng)中的應(yīng)用
基于X24C45芯片的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)

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非易失性存儲(chǔ)器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊(cè)
非易失性存儲(chǔ)器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊(cè)
使用SD Flash為TMS320C28x器件編程外部非易失性存儲(chǔ)器

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