電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）8月25日，臺積電舉辦了第26屆技術(shù)研討會，并分享了其最新的工藝制程情況。在今年實現(xiàn)5nm芯片的量產(chǎn)后，臺積電的5nm+、3nm等也在規(guī)劃中，并取得最新進展。

7nm芯片出貨10億顆，5nm量產(chǎn)，N5+、N4、N3量產(chǎn)準備中

今年7月，臺積電宣布采用7nm工藝生產(chǎn)出第10億顆芯片，用于最新的 5G 設(shè)備和基礎(chǔ)

建設(shè)以及 AI 和 HPC 應用當中。此外，臺積電也是第一家將EUV技術(shù)用于7 納米世代商業(yè)化生產(chǎn)的晶圓制造服務公司。臺積電7nm工藝于2018年4月正式進入量產(chǎn)，已經(jīng)為數(shù)十家客戶的100多種產(chǎn)品制造芯片。

今年以來，在對抗 COVID-19疫情的過程當中，科技被運用在溫度傳感器、自動駕駛送貨車輛，以及機器人等領(lǐng)域。也更需要運算能力來幫助研究人員研究疾病和尋找治療方法。此外，網(wǎng)絡(luò)的使用量在今年得到大幅躍升。

臺積電CEO魏哲家表示，臺積電堅定看好5G部署和 AI普化，預計這兩大趨勢將會持續(xù)很長的一段時間，而臺積電將在此過程當中與我們的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴協(xié)同合作，并且支持我們的客戶。

在7nm方面，N7和N7+已經(jīng)量產(chǎn)，并持續(xù)維持高良率，保持較高的速度和邏輯密度。

N5與N5+，后者2021年量產(chǎn)

N5也已經(jīng)量產(chǎn)，臺積電的N5是業(yè)界目前最先進的制程技術(shù)，提供最佳PPA。跟N7相比，N5在速度上提升15%，功耗降低30%，邏輯密度提升80%。N5制程廣泛采用EUV技術(shù)，表現(xiàn)出臺積在先進制造的領(lǐng)導地位。

臺積電計劃在2021年推出N5的加強版N5P，與N5相比，它將帶來5％的額外速度提升和10％的功率提升。

N4：預計2021年第四季試產(chǎn)，2022年量產(chǎn)

N4是5納米工藝家族的最新成員，它透過完全兼容的設(shè)計規(guī)則從 N5 進行直接轉(zhuǎn)移，從而提供更高的效能、功率和密度。這將使客戶能夠利用已充分發(fā)展的 N5 設(shè)計基礎(chǔ)建設(shè)，并從與 N5 相比極具競爭力的成本/效能優(yōu)勢中獲益。

N4預計于2021年第四季開始試產(chǎn)，目標 2022 年量產(chǎn)。

臺積電表示，相信5納米工藝家族將成為本公司另一個具規(guī)模龐大且持久的工藝。

N3:預計2021年試產(chǎn)，2022年下半年量產(chǎn)。

N3定位將成為全世界最先進的專業(yè)集成電路制造服務工藝技術(shù)，其邏輯密度將可提高 70％，效能提升 15％，功耗則比N5降低 30％。

N3工藝將繼續(xù)采用FinFET晶體管的架構(gòu)，臺積電高管表示有兩個重要的考量，一是研發(fā)團隊發(fā)現(xiàn)了新的方式將FinFET的性能提高到新的高度。二是提供最佳的技術(shù)成熟度、效能和成本，擁有完整的平臺支持行動和 HPC 應用，能夠把這樣的創(chuàng)新盡快帶給客戶。

N3 的試產(chǎn)預計于 2021 年開始，量產(chǎn)的目標時間則是 2022 年下半年。

臺積電將繼續(xù)先進工藝的研發(fā)，目前正在與客戶密切合作，定義N3之后下個重要節(jié)點的技術(shù)與規(guī)格。

而臺積電高管也介紹，正在研究新材料以及架構(gòu)方面的突破，例如高遷移率通道、納米片/納米線、2D 材料，碳納米管等等。

先進制程產(chǎn)能與擴建：3nm生產(chǎn)基地，2nm研發(fā)中心

自2018年導入7nm工藝量產(chǎn)后，臺積電的7nm產(chǎn)能逐漸增長，預計2020年7nm產(chǎn)能將是2018年3.5倍還多，2020年另一個重要工藝5nm的量產(chǎn)，大量采用EUV制程，進一步提升芯片效能、降低功耗，預計兩年后5nm產(chǎn)能將在超過3倍的成長。

從全球EUV裝機量情況看，臺積電占比達到50%，而EUV Wafer Move方面，臺積電占比60%。越多的EUV Wafer Move代表累積更多的學習與經(jīng)驗，也是EUV能否成功量產(chǎn)的指標之一。

為了滿足市場對半導體先進工藝技術(shù)的需求，臺積電2020年的資本支出計劃提高了10億美元至 160億與170億美元之間。

在臺積電南科廠區(qū)，晶圓18廠第一到三期是5nm生產(chǎn)基地，其中第一、二期已經(jīng)開始量產(chǎn)，第三期開始裝機。晶圓18廠的第四到六期將是未來3nm生產(chǎn)基地，目前正在興建當中。

晶圓14廠第八期將作為特殊制程技術(shù)的生產(chǎn)基地，14廠第7期上方AP2C是未來先進封裝技術(shù)的生產(chǎn)基地。

臺積電新竹廠區(qū)，R1開始新建一座新的研發(fā)中心，計劃于2021年完工，將作為2nm以及更先進技術(shù)的研發(fā)基地。旁邊的晶圓廠將作為未來2nm的生產(chǎn)基地，目前正在進行土地取得中。

推出超低功耗工藝技術(shù)N12e，整合3D IC平臺為“3D Fabric”

臺積電提供最廣泛的特殊工藝產(chǎn)品組合，包括 MEMS、影像傳感器、嵌入式內(nèi)存、射頻、模擬、模擬、高壓和功率IC，它們能夠與臺積電的先進邏輯工藝無縫接軌，為客戶提供最佳的系統(tǒng)級解決方案。

據(jù)介紹，臺積電特殊工藝的產(chǎn)能占公司總產(chǎn)能的比重逐年上升，2015年為38%，今年預計占54%。今年特殊制程的總產(chǎn)能將比去年成長10%。

因應物聯(lián)網(wǎng)和人工智能的需求，臺積電推出最先進的超低功耗工藝技術(shù)，即N12e，其針對邊緣 AI 裝置進行優(yōu)化。

據(jù)介紹，N12e 建立在12FFC +工藝技術(shù)的基礎(chǔ)上，可以重復使用現(xiàn)有的 IP生態(tài)系統(tǒng)。這是第一種使用 FinFET 晶體管的超低功耗工藝技術(shù)，可顯著提高速度、功耗和邏輯密度。它也能支持超低漏電裝置和低至 0.4V 的超低 Vdd 設(shè)計，這對于業(yè)界來說也是重大技術(shù)突破，能夠在物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、行動和其他邊緣應用的人工智能領(lǐng)域促成最先進的創(chuàng)新。

此外，在此次技術(shù)論壇上，臺積電宣布將3D硅堆棧和先進封裝技術(shù)家族，即SoIC、InFO、CoWoS等3D IC平臺整合在一起命名為3D Fabric。2D微縮已不足以整合系統(tǒng)微縮的形勢下，臺積電3D IC技術(shù)可以縮小面積，提高性能，整合不同功能的需求。臺積電已經(jīng)擁有業(yè)內(nèi)最先進的晶圓級3D IC技術(shù)。臺積電將持續(xù)提供業(yè)內(nèi)最完整，最多用途的內(nèi)部互連解決方案，用于整合邏輯芯片，高帶寬內(nèi)存和特殊制程芯片，實現(xiàn)很多創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計。

魏哲家還表示，臺積電的商業(yè)模式與客戶建立的信任關(guān)系是臺積電制勝的關(guān)鍵。他說，我們33年來一路與各位客戶建立起信任關(guān)系，客戶信任一直是我們的核心價值和使命，也是臺積電商業(yè)模式不可或缺的一部分。最重要的是，我們絕對不與客戶競爭，從未推出自己的產(chǎn)品，因此才能投入所有資源，專注于確保客戶的成功。我們也會投入更多力量一起創(chuàng)新，一起為世界作出貢獻！

本文由電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)，未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。如需轉(zhuǎn)載，請?zhí)砑游?a target="_blank">信號elecfans999。