模擬IC設計與數字IC設計

模擬IC設計與數字IC設計有很大不同。在數字IC設計大多是在抽象的層次上完成的系統和過程中，確定柵極/晶體管級布局和布線的細節的地方，模擬IC設計通常將更多的個性化焦點集中在每個電路上，甚至包括每個電路的尺寸和細節。

晶體管。

同樣，許多鑄造工藝主要是為具有模擬功能的數字IC開發的，這就要求模擬IC設計人員應對工藝限制和更適合數字IC的功能進行工作。

模擬設計團隊通常從一組規范和功能入手，就像數字IC設計一樣。從那里開始，可以使用各種功能的功能模型進一步縮小約束條件，并做出有關設備尺寸，類型和其他過程功能的決策。這可能包括晶體管的選擇，高層布局，電感器和電容器技術的加入以及IC和子電路的理想品質因數。

諸如VHDL-AMS之類的體系結構硬件描述語言（AHDL）用于執行高層仿真并確定子塊的約束。雖然模擬設計人員也經常為其子電路設計開發測試臺，但也可以在此階段開發一個測試臺，隨后將其用于仿真。

電路設計，物理布局和仿真

有了這些詳細信息并根據模擬電路的復雜性，模擬設計團隊通常會將子電路設計分配給個人。進行了理想的宏級測量，可以進一步確定子電路的約束和性能期望。

然后，將這些宏示意圖分解為示意圖，并使用從鑄造過程中建模的電路元件。對這些電路進行仿真和優化，然后開始物理布局過程。在進行寄生提取和布局后仿真之前，先進行布局和布線，然后進行設計規則檢查（DRC）和布局與原理圖。

布局后的仿真可能會揭示設計中的缺陷，并且可能需要重新設計，布局和仿真的迭代過程才能達到最終的設計目標，并將IC提交流片。子電路也可能在整個芯片布局和仿真之前經歷其自己的設計，布局和仿真過程，盡管這兩種方法都可能導致需要在流片之前重新設計電路。

模擬抽象水平

以下是模擬IC設計過程的抽象級別：

• 功能性
• 行為的
• 巨集
• 電路圖
• 晶體管
• 物理布局
• 模擬IC設計流程

與模擬IC設計相關的具體步驟可以分為以下幾類：

1. 設計規范
2. 技術指標
3. 約束條件
4. 拓撲結構
5. 測試臺開發
6. 原理圖流程
7. 系統級原理圖輸入
8. 架構HDL仿真
9. 塊HDL規范
10. 電路級原理圖輸入
11. 電路仿真與優化
12. 物理流量
13. 基于PCell的布局條目
14. 設計規則檢查（DRC）
15. 布局與原理圖（LVS）
16. 寄生提取
17. 布局后模擬
18. 出帶

編輯：hfy