相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會(huì)存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序運(yùn)行是在DRAM還是 NOR FLASH？ram 和 rom 的區(qū)別？等等的疑問。

從 IT 小白到資深工程師都會(huì)存在這種現(xiàn)象。本文將根據(jù)個(gè)人理解，從存儲(chǔ)器與 CPU 的接口、程序運(yùn)行的角度，系統(tǒng)而詳細(xì)介紹各種存儲(chǔ)器的分類與用途，從而讓讀者深刻的認(rèn)識(shí)并區(qū)分各種存儲(chǔ)器。

ROM

ROM 是只讀存儲(chǔ)器（Read-Only Memory）的簡(jiǎn)稱，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，部分擁有 CPU 的總線接口，可以執(zhí)行代碼（需要配合RAM，因?yàn)槌绦虻膱?zhí)行過程肯定有寫操作的）。這是很早期的定義了，現(xiàn)今 ROM 的概念已經(jīng)非常廣了，通常掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)消失的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器都泛稱為 ROM 了。比如手機(jī)參數(shù)里所說的 ROM 通常就是指 NAND FLASH 類存儲(chǔ)器。但這些 ROM 基本上都是不支持執(zhí)行代碼的。

NAND FLASH

Nand FLASH 是目前市面上的兩種主流的非易失性閃存技術(shù)之一，支持掉電保存數(shù)據(jù)，具有容量較大，改寫速度快的優(yōu)點(diǎn)。但不能通過 CPU 總線隨機(jī)訪問，依賴 NAND FLASH 控制器訪問，所以不能直接執(zhí)行程序。通常作為廣義上的 ROM 來使用。

NOR FLASH

NOR FLASH 和 Nand FLASH 一樣，是兩種主流的非易失性閃存技術(shù)之一，同樣支持掉電保存數(shù)據(jù)。相對(duì)于 NAND FLASH，NOR FLASH 有類似于RAM的接口，可以通過 CPU 總線隨機(jī)訪問，所以可以作為傳統(tǒng)的 ROM 直接執(zhí)行程序，不過也是需要與RAM配合，因?yàn)?NOR FLASH 不支持隨機(jī)寫操作。NOR FLASH 的成本較高，在容量小的時(shí)候收益才較大。

SRAM

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持，掉電還是會(huì)消失的。這是性能十分優(yōu)秀的RAM，但價(jià)格較高，一般用在 CPU 內(nèi)部做高速緩存（cache），或是起步石。如三星的 S3C2440 內(nèi)部就有 16Kb 的指令緩存、16Kb 的數(shù)據(jù)緩存和 4Kb 的內(nèi)部RAM（起步石）。

DRAM

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory)，是如今最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存 RAM(無論是個(gè)人電腦還是智能手機(jī))。它相對(duì)于SRAM，在通電的情況下，也只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間，為了保持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定，所以必須隔一段時(shí)間就要對(duì)存儲(chǔ)單元刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，那么存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。

SDRAM

同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Synchronous Dynamic Random Access Memory），它與DRAM類似，只是多了一個(gè)同步（Synchronous）。同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。

程序的執(zhí)行與存儲(chǔ)器的關(guān)系

最后再從程序執(zhí)行的角度來區(qū)分以上各種存儲(chǔ)器。首先，程序的執(zhí)行有取指令、分析指令和執(zhí)行指令這三個(gè)過程。取指令的過程必然有按順序取指令和跳躍取指令這兩種方式的，那么在程序執(zhí)行過程中，指令的存儲(chǔ)器就必須是支持隨機(jī)讀取的。而執(zhí)行指令這個(gè)過程則必然會(huì)有隨機(jī)寫這一需求的。

那么，以上各種存儲(chǔ)器的差別就很明顯了。

1、在程序沒有被執(zhí)行的時(shí)候，程序可以存在所有支持掉電保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器（ROM、NAND FLASH、NOR FLASH）。當(dāng)程序需要被執(zhí)行的時(shí)候再將其加載到可以執(zhí)行程序的存儲(chǔ)器中。

2、當(dāng)程序執(zhí)行時(shí)，

（1）很明顯各種 RAM（SRAM、DRAM、SDRAM）都是可以完全的支持程序執(zhí)行的，因?yàn)樗鼈兌际侵С蛛S機(jī)讀/寫的。

（2）而對(duì)于擁有總線接口的 ROM 和 NOR FLASH 來說則不能完全支持程序的執(zhí)行了，因?yàn)樗鼈冎恢С蛛S機(jī)讀，而不支持隨機(jī)寫。所以，要想在程序執(zhí)行時(shí)將代碼存在 ROM 或者 NOR FLASH，則需要 RAM 的配合。代碼指令存在 ROM 或 NOR FLASH 上執(zhí)行，而需要寫的存儲(chǔ)空間則安排在 RAM，如此，也就可以在 ROM 和 NOR FLASH 上執(zhí)行程序了。
編輯：hfy