據(jù)報道，2018年全球存儲芯片市場規(guī)模高達(dá)1620億美元，其中NOR Flash 全球市場規(guī)模約為26億美元（占比為1.6%），NAND Flash全球市場規(guī)模約為610億美元（占比37.65%），DRAM全球市場規(guī)模約為960億美元（占比59.2%）。DRAM，NAND，NOR占據(jù)了所有存儲芯片市場規(guī)模的98%以上，然而存儲芯片高度壟斷，主要參與者為韓國和歐美企業(yè)。

全球NAND閃存行業(yè)正處在2D向3D的轉(zhuǎn)進期，幾大巨頭將重點都放在了3D的比拼上，未來沒有計劃增加2D的產(chǎn)能，并有可能進一步降低2D的生產(chǎn)比重。產(chǎn)業(yè)巨頭逐步放棄中小容量，這就給國內(nèi)存儲企業(yè)創(chuàng)造了歷史性的發(fā)展機遇。

我國存儲芯片的發(fā)展現(xiàn)狀

近年來在存儲國產(chǎn)化的政策支持下，隨著產(chǎn)品技術(shù)和研發(fā)經(jīng)驗的不斷積累，部分國內(nèi)優(yōu)秀廠商已開發(fā)出更貼近本土用戶需求的高性價比存儲產(chǎn)品，我國幾大做存儲芯片的企業(yè)業(yè)務(wù)模式大致情況如下：

日前半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者采訪到了東芯半導(dǎo)體的助理總經(jīng)理陳磊，談到當(dāng)下存儲芯片的現(xiàn)狀時，陳總闡述道：“現(xiàn)在國內(nèi)每年進口的半導(dǎo)體產(chǎn)品金額是最大的，而其中，存儲器產(chǎn)品又是最大量的進口半導(dǎo)體器件。目前東芯半導(dǎo)體的產(chǎn)品包括NOR FLASH，SLC NAND Flash和DRAM的產(chǎn)品，我們在存儲器產(chǎn)品上的布局還是比較全面的。”

NOR FLASH產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域非常的廣泛，只要你的系統(tǒng)有軟件代碼，就肯定需要或大或小容量的NOR FLASH來做存儲。從大類來分的話，主要應(yīng)用領(lǐng)域包括消費類，通訊類，電腦，工業(yè)和汽車這5大領(lǐng)域。

SLC NAND包括SPI NAND目前國內(nèi)主要應(yīng)用在通訊類（GPON， EPON），還有一些視頻監(jiān)控產(chǎn)品也需要低容量的NAND FLASH。

DRAM產(chǎn)品的市場和NOR，NAND的市場非常接近，所以，從產(chǎn)品布局上來看，東芯半導(dǎo)體非常有優(yōu)勢，我們可以在終端客戶面前做到“一站式”的存儲器供應(yīng)商的領(lǐng)先優(yōu)勢。

業(yè)內(nèi)預(yù)計，中小容量存儲芯片市場規(guī)模將保持在120億-200億美元，其中低容量NAND 60億-100億美元，NOR約30億，低容量DRAM約70億美元。東芯在這3個領(lǐng)域的布局明顯是看中了其廣闊的市場前景。

盡管國內(nèi)的內(nèi)存芯片廠商取得了一些成績，但我們需要清醒地認(rèn)識到，在核心技術(shù)、市場份額、人才儲備等方面，差距仍然很大。近年來，很多國外廠商以知識產(chǎn)權(quán)等方式壓制國內(nèi)廠商，這更要求企業(yè)擁有自己的核心技術(shù)。

陳磊講到，整體上來看，我們國內(nèi)的存儲器公司和國外的差距還是非常大的。當(dāng)然，我們國內(nèi)的存儲企業(yè)在近幾年也都在努力的奮起直追，從產(chǎn)品來看，我們已經(jīng)在消費市場完成了“國產(chǎn)替代”，在包括智能電視，機頂盒等領(lǐng)域，現(xiàn)在都是國內(nèi)存儲器的天下，甚至在一些工業(yè)，汽車方面，我們也都在積極的進入。

總體來看，國內(nèi)存儲芯片市場需求巨大，但目前嚴(yán)重依賴于進口；存儲是信息安全的基礎(chǔ)，國產(chǎn)替代需求空間大；國家產(chǎn)業(yè)政策支持下，本土企業(yè)面臨重大發(fā)展機遇；存儲行業(yè)更新迭代快，對設(shè)計能力和制造工藝提出了極高的要求，屬于技術(shù)、人才、資金高度密集型行業(yè)，進入門檻相當(dāng)高，本土參與企業(yè)非常稀少；所以發(fā)展存儲芯片已經(jīng)成為國家繁榮富強的重中之重。

發(fā)展存儲芯片的重要性

存儲芯片是電子信息領(lǐng)域的重大戰(zhàn)略性支柱產(chǎn)品，是應(yīng)用面最廣、市場比例最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。對電子產(chǎn)品來說，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、智慧產(chǎn)業(yè)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)的重要性與日俱增。

發(fā)展存儲芯片的三大原因：

必要性：存儲芯片是電子系統(tǒng)的糧倉，數(shù)據(jù)的載體，關(guān)乎數(shù)據(jù)的安全；其市場規(guī)模足夠大，約占半導(dǎo)體總體市場的三分之一。

安全性：存儲芯片非常重要，但目前存儲芯片中NAND、DRAM我國自給率幾乎為零。

緊急性：我國在存儲芯片上的進口總額高達(dá)880億美元，對外依賴度超過90%。

前幾年，內(nèi)存漲價一直是困擾很多國內(nèi)電子廠商的“心病”，由于存儲芯片的國產(chǎn)化很低，導(dǎo)致很多國外廠商瘋狂漲價，對整個產(chǎn)業(yè)鏈影響很大。存儲芯片又被稱為電子產(chǎn)品的“糧食”，能占產(chǎn)品成本的二成左右，在競爭激烈的電子產(chǎn)業(yè)鏈里面，沒有核心技術(shù)的企業(yè)，就容易被人扼住喉嚨。另外，發(fā)展存儲芯片還可助力“大國”崛起，提升國際話語權(quán)。從國家的一些政策就可以看出其重要性。

自2000年開始，國家的政策就在積極鼓勵國內(nèi)集成電路企業(yè)的發(fā)展，2000年和2011年先后出臺了《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》、《進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》，其主要內(nèi)容包括財稅政策、投融資政策、研究開發(fā)政策、進出口政策、人才政策、知識產(chǎn)權(quán)政策、市場政策等，對推動我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展發(fā)揮了重要作用。

2014年6月國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，設(shè)立國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，解決了制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的投資瓶頸問題，我國集成電路產(chǎn)業(yè)進入跨越式發(fā)展的歷史時期。

2014年9月國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立之后，即投資近400億元入股長江存儲，兆易創(chuàng)新和合肥長鑫等，占其首期募資1387億元的近30%，體現(xiàn)了國家對發(fā)展本土存儲芯片產(chǎn)業(yè)的高度重視。

2015年5月國務(wù)院印發(fā)《中國制造2025》的通知，將集成電路產(chǎn)業(yè)列為10大戰(zhàn)略發(fā)展產(chǎn)業(yè)的首位，要求著力提升集成電路設(shè)計水平，突破關(guān)系國家信息與網(wǎng)絡(luò)安全及電子整機產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心通用芯片，提升國產(chǎn)芯片的應(yīng)用適配能力。

2017年大基金啟動第二步規(guī)劃，重點布局國家戰(zhàn)略和新興行業(yè)，進一步推動投融資與產(chǎn)業(yè)發(fā)展形成合力。

存儲芯片的發(fā)展是未來國家戰(zhàn)略的一部分，企業(yè)除了閉門造車，也得時刻關(guān)注政策、市場變化，通過產(chǎn)業(yè)鏈引導(dǎo)來滿足更多規(guī)模的應(yīng)用，只有讓相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)享受到經(jīng)濟收益，才能發(fā)揮存儲芯片的價值，做出最有市場價值的存儲芯片。

東芯的存儲之路

鑒于歐美韓占據(jù)了存儲大部分的市場規(guī)模，再加之新一代萬億藍(lán)海物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備需要大量的數(shù)據(jù)存儲和傳輸，中小容量存儲芯片將更合適物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的需要。所以現(xiàn)在國內(nèi)的存儲企業(yè)大都避開巨頭，在中小容量存儲芯片發(fā)力。

東芯是一家Fabless芯片企業(yè)，聚焦中小容量NAND、NOR閃存芯片、DRAM內(nèi)存及MCP的設(shè)計、生產(chǎn)和銷售，是目前國內(nèi)唯一可以同時提供NAND/NOR/DRAM/MCP設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。

2014年11月，東芯半導(dǎo)體有限公司成立

2014年12月，與中芯國際共同開發(fā)24nm工藝制程的NAND Flash

2015年4月，收購Fidelix ，成為其第一大股東

2015年10月，國內(nèi)首顆1G SPI NAND芯片，在中芯國際38nm工藝生產(chǎn)線上成功流片

2016年7月，國內(nèi)首顆4G SLC NAND芯片，在中芯國際24nm工藝生產(chǎn)線上成功流片

2016年09月 ， 11月，獲得上海市科委舉辦的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽一等獎，獲得上海市高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定

2017年03月，獲得上海市集成電路行業(yè)協(xié)會理事單位榮譽，50nm Wide-range NOR Flash 在武漢新芯成功流片

2017年04月，自主研發(fā)的16Gb MLC NAND Flash系列芯片獲得上海市經(jīng)信委軟件和集成電路專項資金支持

2017年09月，國內(nèi)首顆 2G SPI NAND芯片在中芯國際 38nm 工藝生產(chǎn)線成功流片

現(xiàn)在，東芯半導(dǎo)體不僅是行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，而且多次縮小了國家存儲芯片IC設(shè)計能力與國際領(lǐng)先水平的差距。“東芯半導(dǎo)體雖然成立時間不長，但是我們整個產(chǎn)品設(shè)計，IP有過往二十多年的經(jīng)驗和積累，這個是國內(nèi)的很多初創(chuàng)團隊不具備的。包括產(chǎn)品質(zhì)量，和晶圓廠的工藝參數(shù)的磨合，在產(chǎn)品交付，全球大客戶的合作上，我們都非常的有優(yōu)勢。目前，我們在國內(nèi)合作的晶圓廠，都非常期待和我們一起開發(fā)新工藝，新產(chǎn)品，大家一起合作，努力把國內(nèi)的整個存儲器行業(yè)提升到新的高度。”東芯半導(dǎo)體助理總經(jīng)理陳磊日前在接受半導(dǎo)體行業(yè)觀察時談到。

陳磊還講到，東芯的芯片應(yīng)用領(lǐng)域集中在消費類產(chǎn)品，比如智能電視，機頂盒，穿戴式產(chǎn)品等，還有網(wǎng)絡(luò)通訊產(chǎn)品，如我們每家每戶都需要用的上網(wǎng)的光貓。我們也在進入工業(yè)和汽車的市場，這些市場對產(chǎn)品各方面要求高，包括質(zhì)量，產(chǎn)品交付，而且設(shè)計周期長，但是這是我們必須要做的前期工作。

東芯半導(dǎo)體致力于大力發(fā)展具有自主知識產(chǎn)權(quán)的國內(nèi)存儲芯片技術(shù)并積極開拓國內(nèi)市場應(yīng)用，迅速提升中國在Memory行業(yè)的設(shè)計研發(fā)能力。對此，東芯采取了一系列的業(yè)務(wù)發(fā)展戰(zhàn)略。

東芯采取的產(chǎn)品戰(zhàn)略是，避開和大公司廣譜產(chǎn)品進行全線競爭，聚焦中小容量閃存市場的開拓，充分發(fā)揮公司的技術(shù)優(yōu)勢和研發(fā)能力，提升產(chǎn)品性價比，抓住存儲器國產(chǎn)替代進口的市場機會，快速成長為閃存尤其是NAND閃存領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。

從市場來看，東芯深入研究用戶需求，加大差異化定制產(chǎn)品的比重，增強客戶粘性，逐步成為各主要應(yīng)用市場主導(dǎo)公司的核心品牌供應(yīng)商。

研發(fā)上，東芯堅持自主研發(fā)保持公司在國內(nèi)小容量NAND， NOR， DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，在不斷提升和完善38nm&24nm NAND ，48nm NOR 閃存產(chǎn)品品質(zhì)的前提下，積極開展1xnm NAND閃存的產(chǎn)品開發(fā)，達(dá)到國際最先進生產(chǎn)水平，目前已取得105項專利。

生產(chǎn)方面，和晶圓代工、封裝測試龍頭企業(yè)建立穩(wěn)定而深入的戰(zhàn)略合作關(guān)系，實現(xiàn)互利共贏。

資本方面，充分利用資本市場實現(xiàn)跨越式發(fā)展，為長期可持續(xù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

在談到東芯未來的3-5年規(guī)劃時，陳磊談到，公司首先還是要做好產(chǎn)品的品質(zhì)，這個是我們的立足根本。在NOR FLASH領(lǐng)域，產(chǎn)品發(fā)展已經(jīng)做的很完善了。我們目前著眼于NAND FLASH，包括大容量的NAND FLASH的產(chǎn)品布局，還有就是我們的DRAM產(chǎn)品，我們希望可以在后兩者上多下苦功，給我們的客戶帶來更多EPN，更有性價比的產(chǎn)品，幫助我們的客戶實現(xiàn)更多的設(shè)計功能。

存儲技術(shù)未來該如何發(fā)展？陳磊認(rèn)為：“全球范圍對新的存儲器技術(shù)的研發(fā)一直沒有停止過，我們現(xiàn)在看到的，比如3D Xpoint，RRAM，F(xiàn)eRAM，MRAM， PCM等都是過去數(shù)十年的投入，到今天才算開花結(jié)果。現(xiàn)在國內(nèi)也有公司在做新一代的存儲器產(chǎn)品，包括和海外合作。簡單的說，新一代存儲器要解決的問題，就是“非掉電易失性”和容量/性能的問題。我們需要更大容量，更高密度的存儲器，同時性能（讀寫速度，擦寫次數(shù)，功耗等）也要更好。在一些特定產(chǎn)品領(lǐng)域，如嵌入式（主要是微控制器），新一代的存儲器也要考慮工藝制程的微縮，現(xiàn)在最新的邏輯工藝可以做到7nm，甚至5nm，那存儲器的工藝如何跟上，這方面譬如MRAM， RRAM都是比較適合的。”
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