2020年，從中央密集部署，到資本市場熱捧，“新基建”正式站上風口。相比傳統的基建，“新基建”立足于高新科技的基礎設施建設，無論是信息基礎設施、融合基礎設施還是創新基礎設施均發力于科技端，從‘互聯網＋’、‘數字經濟’、‘智能＋’到‘工業互聯網’，以智能經濟為核心的數字經濟時代勢不可擋。

社會的數字化轉型拉動了電子產業的發展。作為電子產品的基礎元器件之一，功率半導體器件在傳統電力電子行業即有著非常廣泛的應用，5G、新能源等“新基建”均涉及功率半導體芯片等基礎元器件，可以說是“新基建”的“心臟”。根據 Yole 數據，2017 年全球功率半導體器件市場規模為 144.01 億美元，預計到 2022 年功率半導體器件市場規模將達到 174.88 億美元，復合增長率為 3.96%。可以預見，在這波席卷而來的產業電子化升級浪潮中，功率半導體器件必將得到越來越多的重視與應用，也必將帶動本土功率半導體芯片需求趨于旺盛。

圖源半導體行業觀察

而隨著Si和化合物半導體材料GaAs在器件性能的提升到了瓶頸，尋找新一代半導體材料成為了發展的重要方向。至此，第三代寬禁帶半導體材料碳化硅（SiC）闖入了人們的視線！

直面高成本挑戰，SiC如何破局未來產業應用

提到SiC，人們的第一反應是其性能優勢，如電氣（更低阻抗/更高頻率）、機械（更小尺寸）和熱性質（更高運行溫度），非常適合制造很多大功率電子器件；但如果說到應用，大多數人都會說它成本太高，推廣起來需假以時日。事實上，在一些有性能、效率、體積、散熱，甚至系統成本要求的應用中，SiC器件已開始在取代硅。

以新能源汽車為例。汽車市場無疑是SiC最重要的驅動力，據測算，電動汽車整車半導體平均總成本是傳統汽車的兩倍，而電動汽車50％的總成本與功率器件有關。然而僅比較SiC器件和硅器件的成本是有失偏頗的。據統計，在汽車中SiC MOSFET增加的成本大約為300美元，而估計節省的成本可達2000美元。

圖源與非網

特斯拉的Model 3就采用了意法半導體和英飛凌的SiC逆變器，是第一家在主逆變器中集成全SiC功率模塊的車企；2017年12月，羅姆為VENTURI車隊在電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E”錦標賽中提供了采用全SiC功率模塊制造的逆變器，使逆變器尺寸下降了43%，重量減輕了6kg；科銳一直在積極擴大其SiC襯底產能并將業務重心從LED向功率器件轉移，成為大眾FAST（未來汽車供應鏈）項目合作伙伴，和安森美簽署了多年期協議，為其供應6英寸襯底和外延片，并擴大了和意法半導體的合作范圍，增加了訂單；其它廠商方面，豐田和電裝、富士、三菱合作開發SiC基MOSFET，博世擬用其位于羅伊特林根的半導體制造廠生產SiC晶圓。

把握時代機遇，國產SiC器件應用前景廣闊

從產業格局來看，目前全球SiC產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。具體到SiC應用方面，SiC肖特基二極管器件已經廣泛應用于高端電源市場，包括PFC、光伏逆變器和高端家電變頻器。以科銳、英飛凌、羅姆等為代表的半導體SiC巨頭，正逐步推出SiC金屬一氧化物半導體場效應晶體管、雙極結型晶體管、結型場效應管和絕緣柵雙極型晶體管等產品。

盡管我國開展SiC材料和器件方面的研究工作較晚，但仍有部分企業在產業化方面初具規模。國內比亞迪就在SiC方面進行積極布局，并投入巨資入局。在即將于11月3-5日在深圳國際會展中心舉辦的慕尼黑華南電子展上，也將匯集諸多SiC領域的國產廠商進行產品和技術展示。目前，比亞迪己經成功研發了SiC MOSFET，包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT、MOSFET等。預計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中實現SiC基車用功率半導體對硅基IUBT的全面替代。

泰科天潤（展位號：10A66）可以提供多達四個電壓等級的SiC肖特基二極管，其中有針對普通應用場合的650V/1200V電壓等級產品，以及針對于高壓應用領域的1700V/3300V電壓等級產品。泰科天潤650V/1200V電壓等級的產品已經廣泛應用于光伏、通信、電動汽車等應用領域，其1200V器件更是成為國內率先由權威第三方檢測機構測試并通過AEC-Q101車規認證的產品。此外公司的高電壓的1700V/3300V電壓等級產品也同樣成熟，1700V碳化硅肖特基二極管產品型號齊全，也是同行中極少數可以批量供貨3300V碳化硅產品的功率半導體器件廠商。

圖源泰科天潤

瀚薪科技（展位號：10K26）作為少有的整合型碳化硅功率器件技術開發廠商，所生產的SiC MOSFET能夠達到650V/1200V/1700V三種電壓等級要求，在各類電源供應器、太陽光伏逆變器、新能源車等高效率電力電子系統中得到廣泛應用。其獨創的整合型碳化硅JMOSFET (JBS integrated SiC MOSFET; SiC JMOSFET)結構技術透過電路設計的方式，成功將1700V碳化硅肖特基二極管(Junction Barrier Schottky; JBS)電路布局與金氧半場效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; MOSFET)整合為單一芯片，成功改善了碳化硅材料長期加壓致使外延雙載子劣化衰退(Bipolar Degradation)的問題。

除此之外，里陽半導體（展位號：10H23）、揚杰科技等也是國內SiC功率器件產業的佼佼者。前者通過組建專業的功率半導體芯片生產線及產品封測線，將芯片研發、設計、制造、封測融合為一體，能夠提供多種封裝型號的高性能650V/1200V電壓等級SiC二極管/MOSFET產品；后者作為功率器件領域的后起之秀，依托“內生+外延”的發展路徑，持續推進第三代寬禁帶半導體碳化硅項目的研發及產業化。

結語

近年來，萬物互聯的呼聲越來越高，以汽車、高鐵為代表的交通工具，以光伏、風電為代表的新能源領域，以手機為代表的通信設備，以電視機、洗衣機、空調、冰箱為代表的消費級產品，都在不斷提高電子化水平，其中又以新能源汽車的高度電子化最為引人注目；與此同時，工業、電網等傳統行業也在加速電子化進程。在中美貿摩擦升級的大背景下，本土功率半導體企業正積極邁進，積蓄實力、加快實現行業的國產替代進程，在即將到來的首屆慕尼黑華南電子展上，也將有更多的優秀國產SiC功率器件產品和解決方案登場，讓我們拭目以待！

以上內容來源于：半導體行業觀察、與非網等。

原文標題：打破固有印象，看國產SiC功率器件如何實現“將本增壓”！

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責任編輯：haq