那么，像Spin Memory這樣的MRAM公司在DRAM領域能做什么呢？事實證明，開發超高密度、高性能MRAM存儲與垂直外延晶體管有很大關系，這在DRAM設計中非常有用。特別是，它們可以消除行錘攻擊，這些攻擊在較新的DRAM設計中可能是慢性的。

與靜態內存不同，DRAM需要一個刷新周期來維護內存單元的內容。放棄刷新太久，內容變成垃圾。傳統的系統通過定期的刷新周期防止發生這種情況，因此內容不會降級到導致錯誤的程度。

盡管如此，還是會出現降級問題，甚至鄰近的訪問也會影響相鄰的數據行。行錘擊是一種快速循環附近行的技術。對于系統攻擊者來說，訣竅是在他們想要破壞的數據附近運行這些事務，導致軟件以一種攻擊者可以利用的方式失敗。解決方案是隔離行，使附近事務的影響最小，允許定期刷新周期來維護數據。

IRPS 2020技術項目主席Charlie Slayman表示，Row hammer是影響DRAM可靠性和安全性的主要問題之一，長期以來一直是內存行業的一個令人煩惱的難題。作為DRAM長期以來的主要干擾問題，排錘只會隨著細胞的縮小而變得越來越嚴重。自旋存儲器的通用選擇器提供了一種設計垂直電池晶體管的新方法，并已提交給JEDEC任務組評估解決行錘擊問題的方案。

已經有一些軟件方法可以減輕row錘擊的效果，但它傾向于與攻擊者玩“打地鼠”的游戲。

通用選擇器

當然，僅僅減輕對DRAM的攻擊是有效果的，但是自旋存儲器提供的通用選擇器架構還有其他優點，特別是當開發人員繼續縮小芯片設計的規模時。該方法總體上提高了DRAM軟錯誤率。4F2 （4F2） DRAM位元配置也可以提高20%到35%的陣列密度。

該技術適用于新興的內存技術，包括MRAM、ReRAM和PCRAM。這里，通用選擇器允許創建6F2 - 10F2 （6F2 - 10F2）的1T1R內存位單元。這相當于在相同區域增加了5倍的內存，而只需要最小的晶片處理成本。

Spin Memory首席執行官湯姆·斯帕克曼表示，當今最創新、最苛刻的技術需要更先進的內存來跟上計算需求。對于運行在邊緣的復雜應用程序來說，速度和可靠性是必要的，比如自動駕駛汽車或健康可穿戴設備——在這些地方，準確和實時的決策可能決定生死。除了推動MRAM進入主流市場之外，他們最新的突破性創新還為這些技術帶來了令人興奮的新進展和能力！
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