近日，江蘇蘇州英諾賽科氮化鎵項目傳來新進展。

據新華網報道，英諾賽科氮化鎵項目預計今年11月底實現通線試產，明年4月正式投產。

此外，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司副總經理王培仁表示，按照規劃，項目開工兩年內將建成8英寸第三代化合物半導體硅基氮化鎵大規模量產線，投產后三年將實現年產78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目標。

據了解，今年9月，英諾賽科蘇州第三代半導體基地舉行設備搬入儀式。

據當時的英諾賽科表示，該項目建成后將成為全球最大的集研發、設計、外延生產、芯片制造、封裝測試等于一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平臺，滿產后將實現月產8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片。

英諾賽科于2015年底成立，是一家硅基氮化鎵功率器件制造商。據此前集微網報道，英諾賽科已經和下游的幾家封裝企業建立合作關系，并與上海、江蘇、浙江上游端的IC設計公司等密切合作，尤其在快充領域，英諾賽科“InnoGaN”氮化鎵功率器件已被魅族、努比亞、ROCK、飛頻、Lapo等多個品牌采用。
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