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紫光國芯發布12納米低功耗GDDR6存儲控制器和物理接口IP

工程師鄧生 ? 來源:IT之家 ? 作者:孤城 ? 2020-11-06 16:32 ? 次閱讀

根據西安紫光國芯半導體的消息,紫光國芯在GLOBALFOUNDRIES(格芯)舉辦的中國全球科技會議上正式發布了基于格芯12納米低功耗工藝(GF 12LP)的GDDR6存儲控制器和物理接口IP。

官方表示,與已有的方案相比,新方案在芯片功耗、面積和成本等方面均有明顯的提升,并能滿足在面向人工智能AI)和計算應用等熱點領域不斷增長的需求。

IT之家了解到,西安紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP包括一個可配置的內存控制器(MC),其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標準,并允許設計工程師生成具有優化延遲和帶寬的GDDR6控制器以滿足高性能應用的要求,如顯卡,游戲機和AI計算等。該IP針對功耗和性能進行了優化設計,西安紫光國芯的GDDR6物理接口(PHY)提供了高達12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的數據速率,同時兼容JEDEC250和DFI3.1標準。物理接口(PHY)部分還嵌入了高性能鎖相環以滿足嚴格的時序規范。與主流GDDR6存儲顆粒集成,經過流片測試驗證,該IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps數據率時滿足設計規格要求。且當數據率為16Gbps時,平均每個DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。

目前,紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP已經在格芯的12LP工藝平臺上架。

責任編輯:PSY

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