據(jù)湖北省葛店經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，三安光電 Mini/Micro LED芯片產(chǎn)業(yè)化項目預(yù)計明年三月項目將投產(chǎn)見效。這是我國首個大規(guī)模微發(fā)光二極管芯片項目，產(chǎn)品主要供應(yīng)三星、華為、蘋果等公司。

2019年7月，三安光電 Mini/Micro LED芯片產(chǎn)業(yè)化項目在葛店開發(fā)區(qū)正式開工，據(jù)當時鄂州發(fā)改委消息，三安光電Mini/MicroLED芯片項目，用地約756畝，總投資120億元，總建筑面積47.77萬平方米，將建成Mini/MicroLED氮化鎵芯片、Mini/MicroLED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產(chǎn)品系列的研發(fā)生產(chǎn)基地，預(yù)計將形成年產(chǎn)MiniLED芯片210萬片、Micro LED芯片26萬片、4K顯示屏用封裝產(chǎn)品84000臺的研發(fā)制造能力。

項目分二期建設(shè)，建成達產(chǎn)后將形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)、掌握核心技術(shù)、掌握行業(yè)話語權(quán)，具有重要國際影響力的Mini/MicroLED芯片產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地，也將帶來光電芯片、新一代功率器件、射頻芯片和濾波器、Micro顯示屏及其上下游產(chǎn)業(yè)鏈入駐聚集效應(yīng)。

本次葛店經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)數(shù)據(jù)指出，項目建成達產(chǎn)后，預(yù)計氮化鎵芯片系列年產(chǎn)161萬片、砷化鎵芯片系列年產(chǎn)75萬片、4K顯示屏用封裝產(chǎn)品年產(chǎn)84000臺。隨著工程的推進，大型設(shè)備也將陸續(xù)進廠進行調(diào)試，為明年3月能夠順利投產(chǎn)做好準備。
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